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CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

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本论文通过实验制备得到CuIn<,0.7>Ga<,0.3>Se<,2>(CIGS),CdS,ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得它们的能带边失调值ΔE<,c>,ΔE<,v>.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔE<,c>对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0~0.4eV),这对电池整体性能都不是很好.

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来源
《2003年中国太阳能学会学术年会》|2003年|277-280|共4页
会议地点上海
作者
薛玉明; 孙云; 何青; 李凤岩; 朴英美; 刘维一; 周志强; 李长健;
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作者单位

中国太阳能学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.42;TN304.055;
关键词
异质结; 能带边失调值; 薄膜太阳电池; 半导体材料;

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