本文报道了运用AMPS模拟程序对a-Si/c-Si HIT(heterojunction with an intrinsic thin layer)异质结太阳电池数值模拟结果.研究了本征层厚度以及异质界面能带不连续性对光伏性能的影响,并与Tanaka M等的试验结果进行了比较.为了解a-Si/c-Si界面的能带补偿,我们还就固定本征层厚度的HIT结构的光谱响应的电压和温度依赖关系进行了计算并同Gall S等报道的试验结果也进行了比较.结果表明,只有在较小的导带补偿(~0.18eV)和较大的价带补偿(~0.5eV)时,其光伏特性和光谱响应才能同已有实验报道相符合.
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