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磁控溅射ZAO薄膜工艺参数对其性能的影响

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利用中频交流磁控溅射方法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al<,2>O<,3>)陶瓷靶材制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,考察了基体温度和工作气压对ZAO薄膜的晶体结构,电学和光学性能的影响.利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学,电学特性,利用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率.结果表明:沉积薄膜时的基体温度和工作气压对薄膜的结构.结晶状况,可见光透过率以及导电性有较大的影响.当基体温度为250℃,氩气分压为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10<'-4>Ω.Cm,方块电阻为32Ω时,可见光(λ=550nm)透过率高达91.8%.

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来源
《第12届全国高技术陶瓷学术年会》|2002年|523-527|共5页
会议地点广东佛山
作者
付恩刚; 庄大明; 张弓; 侯亚奇; 吴敏生;
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作者单位

中国硅酸盐学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
磁控溅射; 陶瓷靶材; ZAO薄膜; 电阻率; 透过率; 工艺参数;

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