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氨化磁控溅射Ga<,2>O<,3>膜在Si(111)衬底上制备GaN纳米棒

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通过氨化射频溅射工艺生长的Ga<,2>O<,3>薄膜,在Si(111)衬底上成功地制备出了GaN纳米棒.用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对样品的形貌、组分和结构进行了分析.生成的GaN纳米棒尺寸比较均匀,其直径为80~200nm,长1.5μm左右;纳米棒为六方纤锌矿结构,呈单晶相.这是首次报道,在没有催化剂和空间限制的作用下,由Ga<,2>O<,3>薄膜和NH<,3>直接反应生长GaN纳米棒.

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来源
《2002年中国材料研讨会》|2002年|96-99|共4页
会议地点北京
作者
杨利; 庄惠照; 魏芹芹; 孙振翠; 郭兴龙; 董志华; 高海永; 薛成山;
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作者单位

中国材料研究学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
Ga,2O,3薄膜; GaN纳米棒; 制备方法; 氨化磁控溅射;

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