机译:金属有机气相外延的Ga-和N-极性GaN纳米线 - 壳生长的系统研究
机译:通过分子束外延在O面ZnO衬底上生长Ga和N极性GaN层
机译:通过在p-GaN层中使用反平行的Ga和N极性畴提高基于GaN的LED的ESD水平
机译:用于平面界面的小型切割衬底上的N极性GaN / AlxGa1-xN / GaN异质结构的MOVPE生长
机译:用金属有机化学沉积和器件表征设计和外延生长超尺寸的N-极性GaN /(IN,Al,Ga)N的垫圈
机译:HVPE在C面SiC上直接生长独立式GaN
机译:使用扫描探针显微镜技术研究Ga和N极性GaN的表面特性