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Si(111)衬底上GSMBE AlN的结构性质

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我们用NH<,3>作气源的MBE法在Si(111)衬底上外延生长了高质量的AlN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积Al以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的表征,用高分辨率电子显微镜对AlN外延层进行了考察,发现我们获得的AlN是六方相,外延的取向关系为(0001)AlN//(111)Si,(11-20)AlN//(110)Si,[10-10]AlN//[11-2]Si,.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|70-73|共4页
会议地点厦门
作者
罗木昌; 王晓亮; 刘宏新; 王雷; 李晋闽; 张小平; 潘华勇; 胡国新; 孙殿照; 曾一平; 林兰英;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21;TN304.054.4;
关键词
分子束外延; 氮化铝; 半导体材料; 外延生长; 表面形貌; 结构性质;

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