首页>外文期刊>数学、物理、化学、力学>物理学>Физика и техника полупроводников

Физика и техника полупроводников

Физика и техника полупроводников

中文名称：半导体物理与技术

ISSN：0015-3222
出版周期：Ежемес.

发文量：2885

期刊论文

年度选择

2023
- 第1期
- 第2期
- 第3期
2022
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2021
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2020
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2019
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2018
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
- 第13期
2017
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2016
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2015
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第12期
2014
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第12期
2013
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2012
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2011
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2010
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2008
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
2007
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2006
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2005
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
2004
- 第1期
- 第2期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第7期
- 第8期
- 第9期
- 第10期
- 第11期
- 第12期

更多>>

全选（0）

1.Контакты с диффузионными барьерами на основе фаз внедрения TiN, Ti(Zr)B_x в СВЧ диодах диапазона 75-350 ГГц

机译：接触与间质性相锡，钛（Zr）的B_X微波二极管的范围75-350千兆赫的基础上的扩散阻挡层
- 作者：Н.С.Болтовец;В.Н.Иванов;А.Е.Беляев;Р.В.Конакова;Я.Я.Кудрик;В.В.Миленин;И.Н.Арсентьев;А.В.Бобыль;П.Н.Брунков;И.С.Тарасов;N.S. Boltovets;V.N. Ivanov;A.E. Belyaev;R.V. Konakova;Ya.Ya. Kudrik;V.V. Milenin;I.N. Arsentyev;A.V. Boby;P.N. Brunkov;I.S. Tarasov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第6期
2.Резонансы в массиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем

机译：量子点的InAs的阵列，通过外部电场来控制在共振
- 作者：В.Г.Талалаев;Б.В.Новиков;А.С.Соколов;И.В.Штром;J.W.Tomm;Н.Д.Захаров;P.Werner;Г.Э.Цырлин;А.А.Тонких;V.G. Talalaev;B.V. Novikov;A.S. Sokolov;I.V. Strom;J.W. Tomm;N.D. Zacharov;P. Werner;G.E. Tsyrlin;A.A. Tonkikh
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第2期
3.Исследование влияния gamma-облучения на фоточувствительность гетеропереходов ZnO / CuIn_3Se_5

机译：伽玛辐照的影响，对异质的ZnO / CuIn_3Se_5的光敏性研究
- 作者：Б.Х.Байрамов;И.В.Боднарь;В.В.Емцев;Д.С.Полоскин;В.Ю.Рудь;Ю.В.Рудь;М.В.Якушев;B. Kh. Bairamov;I. V. Bodnar’;V. V. Emtsev;D. S. Poloskin;V. Yu. Rud’;Yu. V. Rud’;M. V. Yakushev
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第1期
4.Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs

机译：制备BGaAs层通过MOCVD在GaAs衬底上
- 作者：Д. А. Пряхин;В. М. Данильцев;Ю. Н. Дроздов;М. Н. Дроздов;Д. М. Гапонова;А. В. Мурель;В. И. Шашкин;S. Rushworth;D. A. Pryakhin;V. M. Daniltsev;Yu. N. Drozdov;M. N. Drozdov;D. M. Gaponova;A. V. Murel;V. I. Shashkin;S. Rushworth
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第1期
5.Случайная лазерная генерация вертикальных наностержней ZnO

机译：随机激射垂直ZnO纳米棒
- 作者：А.Н.Грузинцев;А.Н.Редькин;З.И.Маковей;Е.Е.Якимов;К.Бартхоу;AM Gruzintsev;A.N. Redkin;Z.I. Makovei;E.E. Yakimov;C. Barthou
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第6期
6.Проявление квантово-размерных осцилляции времени излучательной экситонной рекомбинации в фотолюминесценции кремниевых наноструктур

机译：硅纳米结构的时间辐射激子复合的光致发光的量子尺寸振荡的表现
- 作者：А. В. Саченко;Ю. В. Крюченко;И. О. Соколовский;О. М. Сресели;A. V. Sachenko;Yu. V. Kryuchenko;I. O. Sokolovskii;O. M. Sreseli
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第7期
7.Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями TiB_x

机译：触点至所述InP层具有纳米级的TiB_x阻隔性能
- 作者：И.Н.Арсентьев;А.В.Бобыль;И.С.Тарасов;Н.С.Болтовец;В.Н.Иванов;А.Е.Беляев;А.Б.Камалов;Р.В.Конакова;Я.Я.Кудрик;О.С.Литвин;I N. Arsentyev;A.V. Bobyl;I.S. Tarasov;N.S. Boltovets;V.N. lvanov;A.E. Belyaev;A.V. Kamalov;R.V. Konakova;Ya.Ya Kudryk;O.S. Lytvyn
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第7期
8.Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

机译：增加辐射复合量子阱的AlGaN，通过分子束外延生长
- 作者：Б.А.Борисов;С.Н.Никишин;В.В.Курятков;В.И.Кучинский;M Holtz;H Temkin;B. A. Borisov;S. A. Nikishin;V. V. Kuryatkov;V. I. Kuchinskii;M. Holtz;H. Temkin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第4期
9.Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм

机译：倒装芯片LED的InGaAsSb基于/的GaSb，发射在1.94微米的波长
- 作者：Н.В.Зотова;Н.Д.Ильинская;С.А.Карандашев;Б.А.Матвеев;М.А.Ременный;Н.М.Стусь;А.А.Шленский;N. V. Zotova;N. D. Ilinskaya;S. A. Karandashev;B. A. Matveev;M. A. Remennyi;N. M. Stus;A. A. Shlenskii
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第3期
10.Структурные и электрические свойства гетеропереходов GexSi1-x/Si, полученных методом прямого сращивания

机译：异质结GexSi1-X / Si的结构和电学性质，通过直接接合而获得
- 作者：Т.С.Аргунова;Е.И.Белякова;И.В.Грехов;А.Г.Забродский;Л.С.Костина;Л.М.Сорокин;Н.М.Шмидт;J.M.Yi;J.W.Jung;J.H.Je;T.S. Argunova;E.I. Belyakova;I.V. GrekhoV;A.G. Zabrodskii;L.S. Kostina;L.M. Sorokin;N.M. Schmidt;J.M. Yi;J.W. Jung;J.H. Je
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第6期
11.Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны проводимости

机译：从InAlGaAs-GaAs的超晶格极化电子与光电子的导带的最小破坏
- 作者：Л.Г.Герчиков;Ю.А.Мамаев;А.В.Субашиев;Ю.П.Яшин;Д.А.Васильев;В.В.Кузьмичев;А.Е.Жуков;Е.С.Семенова;А.П.Васильев;В.М.Устинов;L.G. Gerchikov;Yu.A. Mamaev;A.V. Subashiev;Yu.P. Yashin;D.A. Vasilyev;V.V. Kuzmichev;A.E. Zhukov;E.S. Semenova;A.P. Vasiljev;V.M. Ustinov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第11期
12.Влияние температуры вакуумного отжига на край фундаментального поглощения и структурную релаксацию пленок a-SiC : H

机译：温度真空退火的影响的基本吸收边和薄膜的a-SiC的结构弛豫：H
- 作者：А.В.Васин;А.В.Русавский;В.С.Лысенко;А.Н.Назаров;В.И.Кушниренко;С.П.Старик;В.Г.Степанов;A. V. Vasin;A. V. Rusavsky;V. S. Lysenko;A. N. Nazarov;V. I. Kushnirenko;S. P. Starik;V. G. Stepanov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第5期
13.Необычные фотоэлектрические свойства полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы переходных металлов

机译：含有过渡金属的络合物杂多核聚合物复合材料的不寻常的光电性能
- 作者：Н.А.Давиденко;В.Н.Кокозей;И.И.Давиденко;О.В.Нестерова;Д.В.Шевченко;N. A. Davidenko;V. N. Kokozay;I. I. Davidenko;O. V. Nesterova;D. V. Shevchenko
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第2期
14.Оптические исследования двумерного фотонного кристалла с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области

机译：二维光子晶体的光学研究，量子点的InAs /砷化铟镓作为有源区
- 作者：С.А.Блохин;О.А.Усов;А.В.Нащекин;Е.М.Аракчеева;Е.М.Танклевская;С.Г.Конников;А.Е.Жуков;М.В.Максимов;Н.Н.Леденцов;В.М.Устинов;S.A. Blokhin;O.A. Usov;A.V. Nashchekin;E.M. Arakcheeva;EM. Tanklevskaya;S.G. Konnikov;A.E. Zhukov;M.V. Maximov;N.N. Ledentsov;V.M. Ustinov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第7期
15.Свойства слоев GaSb: Ми, полученных осаждением из лазерной плазмы

机译：性质的层的GaSb：祢从激光等离子体沉积获得
- 作者：Ю. А. Данилов;Е. С. Демидов;Ю. Н. Дроздов;В. П. Лесников;В. В. Подольский;Yu. A. Danilov;E. S. Demidov;Yu. N. Drozdov;V. P. Lesnikov;V. V. Podolskii
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第1期
16.Фотоэлектрические свойства структур In/In2Se3

机译：结构的光伏性质。在/ In2Se3
- 作者：Г.А.Ильчук;В.В.Кусьнэж;Р.Ю.Петрусь;В.Ю.Рудь;Ю.В.Рудь;В.О.Украинец;G.A. llchuk;V.V. Kusnezh;R.Yu. Petrus;V.Yu. Rud;Yu.V. Rud;V.O. Ukrainets
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第1期
17.действие мощных нано- и фемтосекундных лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры

机译：上硅纳米结构强大作用纳米和飞秒激光脉冲
- 作者：Г.А. КачуриФ;С.Г Черкова;В.А. Володин;Д.В. Марин М;G.A. Kachurin;S.G. Cherkova;V.A. Volodin;D.V. Mann
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第2期
18.Смешение частот в системе двух лазерных диодов

机译：频率混合系统两个激光二极管
- 作者：АЛ. Бирюков;Б.Н. Звонков;СМ. Некоркин;В.Я. Алешкин;В.И. Гавриленко;К.В Маремьянин;СВ. Морозов;В.В. Кочаровский;Вл.В. Кочаровский;A.A. Biryukov;B.N. Zvonkov;S.M. Nekorkin;V.Y. Aleshkin;V.I. Gavrilenko;K.V. Maremyanin;S.V. Morozov;V.V. Kocharovsky;Vl.V. Kocharovsky
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第11期
19.Лазерная генерация в гетероструктурах Cd(Zn)Se/ZnMgSSe при накачке излучением азотного InGaN/GaN лазеров

机译：在异质结构镉（Zn）的硒激射/ ZnMgSSe镀泵送通过氮的InGaN / GAN激光器
- 作者：И. В. Седова;С. В. Сорокин;А. А. Торопов;В. А. Кайгородов;С. В. Иванов;П. С. Копьев;Е. В. Пуценко;В. Н. Павловский;В. З. Зубелевич;А. Л. Гурский;I. V. Sedova;S. V. Sorokin;A. A. Toropov;V. A. Kaygorodov;S. V. Ivanov;P. S. Kopev;E. V. Lutsenko;V. N. Pavlovskii;V. Z. Zubialevich;A. L. Gurskii
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第9期
20.Особенности эпитаксиалыюго наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ

机译：属性减压MOCVD反应器epitaksialyyugo容量的GaN
- 作者：О. И. Хрыкин;А. В. Бутин;Д. М. Гапонова;В. М. Данильцев;М. Н. Дроздов;Ю. Н. Дроздов;А. В. Мурель;В. И. Шашкин;O. I. Khrykin;A. V. Butin;A. V. Butin;D. M. Gaponova;V. M. Daniltsev;M. N. Drozdov;Yu. N. Drozdov;A. V. Murel;V. I. Shashkin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第1期
21.Электролюминесцентные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaInNAs

机译：异质结构的电致发光特性与量子阱的GaInNAs
- 作者：А. В. Мурель;В. М. Данильцев;Ю. Н. Дроздов;Д. М. Гапонова;В. И. Шашкин;В. Б. Шмагин;О. И. Хрыкин;A. V. Murel;V. M. Daniltsev;Yu. N. Drozdov;D. M. Gaponova;V. I. Shashkin;V. B. Shmagin;O. I. Khrykin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第1期
22.Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe

机译：低温退火对电影正CdHgTe的电生理参数的影响
- 作者：П. А. Бахтин;С. А. Дворецкий;В. С. Варавин;А. Л. Коробкин;Н. Н. Михайлов;И. В. Сабинина;Ю. Г. Сидоров;P. A. Bahtin;C. A. Dvoreckiy;V. S. Varavin;A. P. Korobkin;N. N. Mikhailov;I. V. Sabinina;J. G. Sidorov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第10期
23.Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровков SiGe и их формы

机译：表面能量最小值自感应nanoislands SiGe和形式的关系
- 作者：А.М.Яремко;М.Я.Валах;В.Н.Джаган;П.М.Литвин;В.А.Юхимчук;A. M. Yaremko;M. Ya. Valakh;V. M. Dzhagan;P. M. Lytvyn;V. A. Yukhymchuk
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第4期
24.Влияние дополнительно введенных примесей Zn и Eu на вид спектров фотолюминесценции кристаллов GaN, легированных Er

机译：效果另外引入的杂质的Zn及Eu以形成光致发光光谱晶体的GaN，掺杂有Er
- 作者：М.М.Мездрогина;В.В.Криволапчук;В.Н.Петров;С.Н.Родин;А.В.Черенков;M.M. Mezdrogina;V.V. Krivolapchuk;V.N. Petrov;S.N. Rodin;A. V. Cherenkov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第12期
25.Cтруктурные дефекты на гетерограницах и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире

机译：扇区结构缺陷在异质结和GaN和的AlGaN / GaN，外延层的光致发光性质生长在蓝宝石
- 作者：В.П.Кладько;С.В.Чорненький;А.В.Наумов;А.В.Комаров;M.Tacano;Ю.Н.Свешников;С.А.Витусевич;А.Е.Беляев;V.P. Kladko;S.V. Chornenky;A.V. Naumov;A.V. Komarov;M. Tacano;Yu.N. Sveshnikov;S.A. Vitusevlch;A.E. Belyae
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第9期
26.Механизм формирования отклика газового сенсора водорода на основе кремниевого МОП диода

机译：形成的氢气传感器响应的基于硅MOS二极管的机构
- 作者：В-И- Гаман;В.И. Балюба;В.Ю. Грицык;ТА. Давыдова;В.М. Калыгина;V.I. Gaman;V.I. Baljuba;V.Y. Grisyk;T.A. Davidova;V.M. Kalygin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第3期
27.Оптическое детектирование асимметричных квантовых молекул в двухслойных структурах InAs / GaAs

机译：在双层结构的InAs /砷化镓光学检测非对称量子分子
- 作者：Г.Г.Тарасов;З.Я.Жученко;М.П.Лисица;Yu.I.Mazur;Zh.M.Wang;G.J.Salamo;T.Warming;D.Bimberg;H.Kissel;G. G. Tarasov;Z. Ya. Zhuchenko;M. P. Lisitsa;Yu. I. Mazur;Zh. M. Wang;G. J. Salamo;T. Warming;D. Bimberg;H. Kissel
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第1期
28.Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN

机译：量子效率和发射线在形成LED的量子阱结构的InGaN / GAN
- 作者：Н.И.Бочкарева;Д.В.Тархин;Ю.Т.Ребане;Р.И.Горбунов;Ю.С.Леликов;И.А.Мартынов;Ю.Г.Шретер;N.I. Bochkareva;D.V. Tarkhin;Yu.T. Rebane;R.I. Gorbunov;Yu.S. Lelikov;I.A. Martinov;Yu.G. Shreter
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第1期
29.Синие флип-чип светодиоды на основе AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой

机译：基于远程蓝宝石衬底上蓝色倒装芯片发光二极管的AlGaInN
- 作者：И.П.Смирнова;Л.К.Марков;Д.А.Закгейм;Е.М.Аракчеева;М.Р.Рымалис;IP. Smirnova;L.K. Markov;D.A. Zakheim;E.M. Arakcheeva;M.R. Rymalis
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第11期
30.Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминесценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоя

机译：在AlGaN / GaN外延层上的超晶格的光致发光剂量增加铒离子注入和退火温度的影响并
- 作者：А.М.Емельянов;Н.А.Соболев;Е.И.Шек;В.В.Лундин;А.С.Усиков;Е.О.Паршин;A. M. Emel’yanov;N. A. Sobolev;E. I. Shek;V. V. Lundin;A. S. Usikov;E. O. Parshin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第9期
31.Характеризация фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник по спектрам брэгговского отражения света

机译：基于光子晶体的表征复合材料蛋白石 - 半导体的光的布拉格反射光谱
- 作者：Г.М.Гаджиев;В.Г.Голубев;Д.А.Курдюков;А.Б.Певцов;А.В.Селькин;В.В.Травников;G.M. Gajiev;V.G. Golubev;D.A. Kurdyukov;A.B. Pevtsov;A.V. Selkin;V.V. Travnikov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第12期
32.Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si_(1-x)Ge_x/Si (001)

机译：上轻松缓冲层特性的Ge形成的岛屿（Si）的SI_（1-X）Ge_x / Si的（001）
- 作者：Н.В.Востоков;Ю.Н.Дроздов;З.Ф.Красильник;О.А.Кузнецов;Д.НЛобанов;А.В.Новиков;М.В.Шалеев;N. V. Vostokov;Yu. N. Drozdov;Z. F. Krasil’nik;O. A. Kuznetsov;D. N. Lobanov;A. V. Novikov;M. V. Shaleev
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第2期
33.Электрофизические ш структурные свойства двусторонне 5-легированных РНЕМТ-гетероструктур на основе AIGaAs/inGaAs/AIGaAs

机译：基于电BR结构特性右RNEMT 5-掺杂异质结构AIGaAs /的InGaAs / AIGaAs
- 作者：И.С. Васильевский;Г.Б. Галиев;Е.А. Климов;В.Г Мокеров;С С Широков;Р.М. Имамов;И. А Субботин;IS. Vasilevskii;G.B. Galley;E.A. Klimov;V.G. Mokerov;S.S. Shirokov;R.M. Imamov;LA. Subbotin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第9期
34.Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ ш диффузии цинка

机译：基于光电池异质结构的GaAs /锗，由相结合的方法获得的MOSGFE瓦特锌扩散
- 作者：В. М. Андреев;В. П. Хвостиков;Н. А. Калюжный;С. С. Титов;О. А. Хвостикова;М. З. Шварц;V. M. Andreev;V. P. Khvostikov;N. A. Kaluzhniy;S. S. Titkov;O. A. Khvostikova;M. Z. Shvarts
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第3期
35.Электронные ш структурные переходы в сплавах Pb_(1-x)Ge_xTe:Ca под давлением

机译：在合金Pb_（1-x）的电子BR结构转变Ge_xTe：钙加压
- 作者：Е. Л. Скипетров;Е. А. Зверева;О. С. Волкова;А. В. Голубев;А. Ю. Моллаев;Р. К. Арсланов;В. Е. Слынько;E. P. Skipetrov;E. A. Zvereva;O. S. Volkova;A. V. Golubev;A. Yu. Mollaev;R. K. Arslanov;V. E. Slynko
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第10期
36.Спиновые эффекты в индуцированном параллельным магнитным полем магнитосопротивлении двойной квантовой ямы n-In_xGa_(1-x)As/GaAs

机译：在感应磁场平行磁阻双量子自旋效应以及正In_xGa_（1-X）为/砷化镓
- 作者：М. В. Якунин;Г. А. Альшанский;Ю. Г. Арапов;В. Н. Неверов;Г. И. Харус;Н. Г. Шелушинина;Б. Н. Звонков;Е. А. Ускова;А. де Виссер;Л. Пономаренко;M. V. Yakunin;G. A. Alshanskii;Yu. G. Arapov;V. N. Neverov;G. I. Hams;N. G. Shelushinina;B. N. Zvonkov;E. A. Uskova;A. de Visser;L. Ponomarenko
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第1期
37.Элементарные полосы голубого свечения нелегированных пленок нитрида галлия

机译：初级带蓝色发光掺杂氮化镓薄膜
- 作者：А. Н. Грузинцев;А. Н. Редькин;В. И. Таций;C. Barthou;P. Benalloul;A. N. Gruzintsev;A. N. Redkin;V. I. Tatsii;C. Barthou;P. Benalloul
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第9期
38.Резонансное туннелирование носителей в фотовозбужденных гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe

机译：在异质第二型ZnSe / BeTe的光激发载流子的共振隧穿
- 作者：С.В.Зайцев;А.А.Максимов;И.И.Тартаковский;Д.Р.Яковлев;А.Вааг;S. V. Zaitsev;A.A. Maksimov;I.I. Tartakovskii;D R. Yakovle;A A. Waag
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第5期
39.Высшие гармоники колебаний тока в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs

机译：在松散耦合的超晶格的GaAs /的AlGaAs的高次谐波电流振荡
- 作者：Г.К.Расулова;Н.П.Брунков;А.Е.Жуков;В.М.Устинов;G.K. Rasulova;P.N Brunkov;A.E. Zhukov;V.M. Ustinov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第7期
40.Особенности формирования эпитаксиальных пленок на пористых подложках AIIIBV

机译：形成在多孔基材上的外延膜的特征AIIIBV
- 作者：А.А.Ситникова;А.В.Бобыль;С.Г.Конников;В.П.Улин;A. A. Sitnikova;A. V. Bobyl;S. G. Konnikov;V. P. Ulin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第5期
41.Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами

机译：在异质结构的InAs /的AlSb QW持久光电导光谱
- 作者：В. Я. Алешкин;В.И. Гавриленко;Д. М. Гапонова;А. В. Иконников;К. В. Маремьянин;С. В. Морозов;Ю. Г. Садофьев;S. R. Johnson;Y.-H. Zhang;V. Ya. Aleshkin;V. I. Gavrilenko;D. M. Gaponova;A. V. Ikonnikov;K. V. Maremyanin;S. V. Morozov;Yu. G. Sadofyev;S. R. Johnson;Y.-H. Zhang
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第1期
42.Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

机译：通过从有机金属化合物气相外延种植和镁合金的InAs层
- 作者：Т. Н. Воронина;Т. С. Лагунова;С. С. Кижаев;С. С. Молчанов;Б. В. Пушный;Ю. Л. Яковлев;T. I. Voronina;T. S. Lagunova;S. S. Kizhayev;S. S. Molchanov;B. V. Pushnyi;Yu. P. Yakovlev
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第5期
43.Фототок квантовых точек InAs, полученных самоорганизацией, в полупроводниковых лазерных гетероструктурах InAs/InGaAs/GaAs, излучающих на 1.3 мкм

机译：光电流量子点的InAs，通过自组织获得，半导体激光异质结构的InAs /砷化铟镓/砷化镓，发射在1.3微米
- 作者：А.В.Савельев;М.В.Максимов;В.М.Устинов;Р.П.Сейсян;A. V. Savel’ev;M. V. Maksimov;V. M. Ustinov;R. P. Selsyan
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第1期
44.Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs

机译：研究结构与纳米团簇的Al的属性的，嵌入在GaAs构成的矩阵
- 作者：Н. В. Востоков;С. А. Гусев;В. М. Данильцев;М. Н. Дроздов;Ю. Н. Дроздов;А. И. Корытин;А. В. Мурель;В. И. Шашкин;N. V. Vostokov;S. A. Gusev;V. M. Daniltsev;M. N. Drozdov;Yu. N. Drozdov;A. I. Korytin;A. V. Murel;V. I. Shashkin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第1期
45.Поляризационная пьезоспектроскопия фотолюминесценции квантовой ямы 6аАз/А1п '(Зап 'Аз : Ве

机译：光致发光量子阱6aAz / A1P“（扎普”卡兹的压电极化光谱：BK
- 作者：НС. Аверкиев;ЮЛ. Иванов;АЛ Красивичев;П.В. Петров;Н.И. Саблина;В.Е. Седов;N.S. Averkiev;Yu.L. Ivanov;A.A. Krasivichev;P.V. Petrov;N.I. Sablina;V.E. Sedo
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第3期
46.Формирование SiO_x-слоев при плазменном распылении Si- и SiO_2-мишеней

机译：形成SiO_x层通过等离子喷涂Si和SiO_2靶
- 作者：А.Н.Карпов;Д.В.Марин;В.А.Володин;J.Jedrzejewski;Г.А.Качурин;E.Savir;Н.Л.Шварц;З.Ш.Яновицкая;Y.Goldstein;I.Balberg;A M Karpov;D.V. Marin;VA. Volodin;J. Jedrzejewski;G.A. Kachurin;E. Savir;N.L. Shwartz;Z.Sh. Yanovitskaya;Y. Goldstein;I. Balberg
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第6期
47.Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния

机译：薄板的光学和电学性质由纳米晶硅粉末的
- 作者：Н.Н.Кононов;Г.П.Кузьмин;А.Н.Орлов;А.А.Сурков;О.В.Тихоневич;N. N. Kononov;G. P. Kuz’min;A. N. Orlov;A. A. Surkov;O. V. Tikhonevich
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第7期
48.Влияние примеси золота на фотолюминесценцию ш фотоэдс пористого кремния

机译：杂质金上的多孔硅BR光电压的影响的光致发光
- 作者：Е. Ф. Венгер;С. И. Кириллова;И. М. Кизяк;Э. Г. Манойлов;В. Е. Примаченко;E. F. Venger;S. I. Kirillova;I. M. Kiziak;E. G. Manoilov;V. E. Primachenko
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第1期
49.Свойства светодиодов на основе GaSb с сетчатыми омическими контактами

机译：LED的基于的GaSb欧姆与网格接触的属性
- 作者：А. Н. Именков;Е. Л. Гребенщикова;Б. Е. Журтанов;Т. Н. Данилова;М. Л. Сиповская;Н. В. Власенко;Ю. Л. Яковлев;A. N. Imenkov;E. A. Grebenshchikova;B. E. Zhurtanov;T. N. Danilova;M. A. Sipovskaja;N. V. Vlasenko;Yu. P. Yakovlev
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第11期
50.Спонтанное и стимулированное излучение из полупроводниковых пленок Cd_xHg_(1-x)Te

机译：从半导体膜Cd_xHg_（1-x）的碲自发和受激发射
- 作者：А.А.Андронов;Ю.Н.Ноздрин;А.В.Окомельков;В.С.Варавин;Р.Н.Смирнов;Д.Г.Икусов;A.A. Andronov;Yu.N. Nozdrin;A.V. Okomelkov;V.S. Varavin;R.N. Smirnov;D.G. Ikusov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第11期
51.Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами на основе CVD-пленок 4H-SiC

机译：基于CVD的膜的4H-SiC短程离子光谱测定的检测器
- 作者：Н. Б. Строкан;А. М. Иванов;Е. В. Калинина;Г. Ф. Холуянов;Г. А. Онушкин;Д. В. Давыдов;Г. Н. Виолина;N. B. Strokan;A. M. Ivanov;E. V. Kalinina;G. F. Kholuyanov;G. A. Onushkin;D. V. Davydov;G. N. Violina
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第3期
52.Формирование потенциальных барьеров на контакте металл-полупроводник с использованием метода селективного удаления атомов

机译：势垒的在金属 - 半导体使用选择性去除原子的方法形成
- 作者：Б. А. Гурович;Б. А. Аронзон;В. В. Рыльков;Е. Д. Ольшанский;Е. А. Кулешова;Д. И. Долгий;Д. Ю. Ковалев;В. И. Филиппов;B. A. Gurovich;B. A. Aronzon;V. V. Rylkov;E. D. Olshansky;E. A. Kuleshova;D. I. Dolgy;D. Yu. Kovalev;V. I. Filippov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第9期
53.Аномальная растворимость имплантированного азота в кремнии, сильно легированном бором

机译：在硅氮的异常植入溶解度重掺杂有硼
- 作者：Д. И. Тетельбаум;Е. И. Зорин;Н. В. Лисенкова;D. I. Tetelbaum;E. I. Zorin;N. V. Lisenkova
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第7期
54.Квазигидродинамическое моделирование электропроводности селективно легированных наноразмерных слоистых структур и островковых плен

机译：电导率的准液力建模选择性掺杂的纳米尺寸的分层结构和胰岛囚犯
- 作者：В.А.Гергель;Ю.В.Гуляев;В.А.Курбатов;М.Н.Якупов;V. A. Gergel’;Yu. V. Gulyaev;V. A. Kurbatov;M. N. Yakupov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第4期
55.Твердые растворы (C_2~(IV))_(1-x)(A~(III)B~V)_X, полученные из ограниченного объема оловянного раствора-расплава

机译：固体溶液（C_2〜（IV））_（1-X）（A〜（III）乙〜V）_X，从锡的量有限而获得熔化溶液
- 作者：Б. Сапаев;М. С. Саидов;А. С. Саидов;С. Ж. Каражанов;B. Sapaev;M. S. Saidov;A. S. Saidov;S. J. Karazhanov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第11期
56.Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe--n-InSe

机译：的单轴压缩参数的影响的光转换光学接触的p GASE - 正InSe系
- 作者：С.И.Драпак;М.О.Воробец;З.Д.Ковалюк;S. I. Drapak;M. O. Vorobets;Z. D. Kovalyuk
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第5期
57.Влияние фазового перехода на энергетический спектр электронов в Ag2S

机译：相变对电子的硫化银的能量谱的影响
- 作者：ф Ф. Алиев;МБ. Джафаров;Б А. Таиров;ГЛ. Пашаев;А.А. Саддинова;А.А. Кулиев;F.F. Aliev;MB. Jafarov;B A. Tairov;G P Pashayev;A.A. Saddinova;A.A Quliyev
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第10期
58.Примесная проводимость монокристаллов Hg_3In_2Te_6

机译：杂质导电Hg_3In_2Te_6单晶
- 作者：Л.А.Косяченко;И.И.Герман;И.М.Раренко;З.И.Захарук;Е.С.Никонюк;L A. Kosyachenko;I.I. German;I.M. Rarenko;Z.I. Zakharuk;E.S. Nykonyuk
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第5期
59.Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs с асимметричным волноводом, сформированным мето ом с

机译：光学研究的Microdrive基于submonoslojnyh InGaAs量子点与第梅托形成的非对称波导
- 作者：С.А.Блохин;Н.В.Крыжановская;А.Г.Гладышев;Н.А.Малеев;А.Г.Кузьменков;Е.М.Аракчеева;Е.М.Танклевская;А.Е.Жуков;А.П.Васильев;.С.Семенова;М.В.Максимов;Н.Н.Леденцов;В.М.Устинов;Э.Шток;Д.Бимберг;S. A. Biokhin;N. V. Kryzhanovskaya;A. G. Gladyshev;N. A. Maleev;A. G. Kuzmenkov;EM. Arakcheeva;E. M. Tanklevskaya;A. E. Zhukov;A. P. Vasilev;E. S. Semenova;M. V. Maximov;N. N. Ledentsov;V. M. Ustinov;E. Stock;D. Bimberg
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第4期
60.Влияние быстрого отжига на электрофизические свойства структур SiO_2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния

机译：快速退火的对电特性的影响SiO_2 / Si的结构与阳极氧化硅的薄层
- 作者：И.Л.Баранов;Л.В.Табулина;Л.С.Становая;Т.Г.Русальская;I.L. Baranov;L.V. Tabulina;L.S. Stanovaya;T.G. Rusalskaya
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第8期
61.Нелинейно-оптические эффекты в полупроводниковых лазерах на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs

机译：根据半导体激光器的非线性光学效应的量子阱异质结构的InGaAs /砷化镓/的AlGaAs
- 作者：Н.С.Аверкиев;С.О.Слипченко;З.Н.Соколова;Н.А.Пихтин;И.С.Тарасов;N.S. Averkiev;S.O. Slipchenko;Z.N. Sokolova;N.A. Pikhtin;I.S. Tarasov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第3期
62.Форма сигналов нестационарной фотопроводимости в кремнии, легированном золотом или серой

机译：形式的信号在硅瞬态光电导掺杂有金或灰色
- 作者：А.Д.Кирюхин;В.В.Григорьев;А.В.Зуев;В.В.Зуев;Н.А.Королев;A.D. Kiryukhin;V.V. Grigoriev;A.V. Zuev;V.V. Zuev;N.A. Korolev
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第3期
63.Теплопроводность легированных твердых растворов на основе PbTe с нецентральными примесями

机译：固溶体的热导率掺杂型合金与非中心的PbTe
- 作者：Е.А.Гуриева;П.П.Константинов;Л.В.Прокофьева;Д.А.Пшенай-Северин;М.И.Федоров;Ю.И.Равич;E.A. Gurieva;P.P. Konstantinov;L.V. Prokofieva;DA. Pshenay-Severin;M.I. Fedorov;Yu.I. Ravich
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第7期
64.Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур

机译：在发光二极管结构的薄层的光衰减系数的测定
- 作者：А.А.Ефремов;Д.В.Тархин;Н.И.Бочкарева;Р.И.Горбунов;Ю.Т.Ребане;Ю.Г.Шретер;A. A. Efremov;D. V. Tarkhin;N. I. Bochkareva;R. I. Gorbunov;Y. T. Rebane;Y. G. Shreter
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第3期
65.Энергетические параметры двухэлектронных центров олова в PbSe

机译：在硒化铅双电子锡中心的能量参数
- 作者：С.А.Немов;Ф.С.Насрединов;П.П.Серегин;Н.П.Серегин;Э.С.Хужакулов;S. A. Nemov;F. S. Nasredinov;P. P. Seregin;N. P. Seregin;é. S. Khuzhakulov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第6期
66.Кинетика фазово-структурных преобразований в тонких пленках SiO_x в процессе быстрого термического отжига

机译：在薄膜SiO_x相结构转变的快速热退火时的动力学
- 作者：В.А.Данько;И.З.Индутный;В.С.Лысенко;И.Ю.Майданчук;В.И.Минько;А.Н.Назаров;А.С.Ткаченко;П.Е.Шепелявый;V. A. Dan’ko;I. Z. Indutnyi;V. S. Lysenko;I. Yu. Maidanchuk;V. I. Min’ko;A. N. Nazarov;A. S. Tkachenko;P. E. Shepelyavyi
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第10期
67.Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии

机译：高度dvuhperehodnye的GaInP /砷化镓太阳能电池，通过MOCVD获得
- 作者：В.М.Лантратов;Н.А.Калюжный;С.А.Минтаиров;Н.Х.Тимошина;М.З.Шварц;В.М.Андреев;V.M. Lantratov;N.A. Kaluzhniy;S.A. Mintairov;N.K. Timoshina;M.Z. Shvarts;V.M. Andreev
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第6期
68.Интеркаляция лития в тонкие пленки аморфного кремния

机译：锂的嵌入到薄非晶硅膜
- 作者：Т.Л.Кулова;А.М.Скундин;Ю.В.Плесков;О.И.Коньков;Е.И.Теруков;И.Н.Трапезникова;T. L. Kulova;A. M. Skundin;Yu. V. Pleskov;O. I. Konkov;E. I. TerukoV;I. N. Trapeznikova
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第4期
69.Динамическая электропроводностьанизотропно наноструктурированого кремния

机译：动态elektroprovodnostanizotropno硅纳米结构
- 作者：П.А.Форш;М.Н.Мартышов;В.Ю.Тимошенко;П.К.Кашкаров;FA. Forsh;M. N. Martyshov;V. Yu. Timoshenko;P. K. Kashkarov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第4期
70.Магнитные свойства аморфного углерода, модифицированного железом

机译：所述无定形碳改性的铁的磁特性
- 作者：С.Г.Ястребов;В.И.Иванов-Омский;В.Поп;К.Морошану;А.Слав;Ж.Волрон;S. G. Yastrebov;V. I. Ivanov-Omskii;V. Pop;C. Morosanu;A. Slav;J. Voiron
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第7期
71.Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов

机译：隧道复合电流和电致发光效率的InGaN /氮化镓发光二极管
- 作者：Н.И.Бочкарева;E.A.Zhirnov;А.А.Ефремов;Ю.Т.Ребане;Р.И.Горбунов;Ю.Г.Шретер;N. I. Bochkareva;E. A. Zhirnov;A. A. Efremov;Yu. T. Rebane;R. I. Gorbunov;Yu. G. Shreter
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第5期
72.Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов GaSe, подвергнутых воздействию лазерного облучения

机译：单晶GASE的拉曼光谱，暴露于激光照射
- 作者：А.Байдуллаева;З.К.Власенко;Б.К.Даулетмуратов;Л.Ф.Кузан;П.Е.Мозоль;A. Baidullaeva;Z.K. Vlasenko;B.K. Dauletmuratov;L.F. Cuzan;P.E. Mozol
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第4期
73.Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из Cd_xHg_1-xTe

机译：矩阵中间和远红外光谱范围内的光检测器的光电二极管的基于Cd_xHg_1-XTE
- 作者：В.И.Стафеев;К.О.Болтарь;И.Д.Бурлаков;В.М.Акимов;Е.А.Климанов;Л.Д.Сагинов;В.Н.Соляков;Н.Г.Мансветов;В.П.Пономаренко;А.А.Тимофеев;V. I. Stafeev;K. O. Boltar’;I. D. Burlakov;V. M. Akimov;E. A. Klimanov;L. D. Saginov;V. N. Solyakov;N. G. Mansvetov;V. P. Ponomarenko;A. A. Timofeev
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第10期
74.Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур ITO--GaSe

机译：中子照射于结构ITO的光电参数的影响 - GASE
- 作者：З.Д.Ковалюк;П.Г.Литовченко;О.А.Политанская;О.Н.Сидор;В.Н.Катеринчук;В.Ф.Ластовецкий;О.П.Литовченко;В.К.Дубовой;Л.А.Поливцев;Z.D. Kovalyuk;P.G. Litovchenko;O.A. Politanska;O.N. Sydor;V.N. Katerynchuk;V.F. Lastovetsky;O.P. Litovchenko;V.K. Dubovoy;L.A. Polivtsev
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第5期
75.О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов Cd_xHg_(1-x)Te при Т = 77 К

机译：慢电子在霍尔系数为固溶Cd_xHg_（1-x）的碲在T = 77°K的场依赖性效应
- 作者：А.Г. Белов;И.М. Белова;В.Е. Каневский;М С. Свиридов;АЛ. Шленский;A.G. Belov;I.M. Belova;V.E. Kanevsky;M.S. Sviridov;A.A. Shlensky
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第10期
76.Условия достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности в интерметаллических полупроводниках структурног

机译：在条款半导体金属间化合物的最大热电功率因数值strukturnog
- 作者：В.А.Ромака;Д.Фрушарт;Ю.В.Стаднык;Я.Тобола;Ю.К.Гореленко;М.Г.Шеляпина;Л.П.Ромака;В.Ф.Чекурин;V.A Romaka;D. Fruchartv;Yu.V. Stadnyk;J. Tobola;Yu.K. Gorelenko;M.G. ShelyapinaA;L.P. Romaka;V.F. Chekurin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第11期
77.Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности полупроводниковых лазеров

机译：端的电荷载流子时间能量耗散作为半导体激光器的光功率限制的原因
- 作者：С.О.Слипченко;З.Н.Соколова;Н.А.Пихтин;К.С.Борщев;Д.А.Винокуров;И.С.Тарасов;S.O. Slipchenko;Z.N. Sokolova;N.A. Pikhtin;K.S. Borschev;D.A. Vinokurov;I.S. Tarasov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第8期
78.Мягкий пробой как причина спада тока в туннельной МОП структуре

机译：软击穿作为降低在隧道电流MOS结构的原因
- 作者：А. Ф. Шулекин;С. Э. Тягинов;R. Khlil;A. El Hdiy;М. И. Векслер;A. F. Shulekin;S. E. Tyaginov;R. Khlil;A. El Hdif;M. I. Vexler
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第6期
79.Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности

机译：光伏基于与发达表面积GaAs和的AlGaAs GaAs衬底的外延层
- 作者：И.Н.Арсентьев;А.В.Бобыль;О.Ю.Борковская;Д.А.Винокуров;Н.Л.Дмитрук;А.В.Каримов;В.П.Кладько;Р.В.Конакова;С.Г.Конников;И.Б.Мамонтова;I.N. Arsentev;A.V. Bobyl;O.Yu. Borkovskaya;D.A. Vinokurov;N.L. Dmitruk;A.V. Karimov;V.P. Kladko;R.V. Konakova;S.G. Konnikov;I.B. Mamontova
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第7期
80.Инфракрасные спектры отражения многослойных зпитаксиальных гетероструктур с погруженными слоями InAs ш GaAs

机译：多层异质结构的红外反射光谱与瓦特的InAs GaAs构成zpitaksialnyh浸没层
- 作者：П.В. Середин;Э.П. Домашевская;А.Н. Лукин;И.Н Арсентьев;ДА. Винокуров;И.С Тарасов;P.V. Seredin;E.P. Domashevskaya;A.N. Lukin;I.N Arsentev;D.A. Vinokurov;I.S. Tarasov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第9期
81.Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников

机译：的InGaAs / GaAs量子点的用于红外探测器的夹层结构
- 作者：Л.Д- Молдавская;Н.В. Востоков;ДМ. Гапонова;В.М. Данильцев;М.Н. Дроздов;Ю.Н. Дроздов;В. И. Шашкин;L.D. Moldavskaya;N.V. Vostokov;DM. Gaponova;V.M. Daniltsev;M.N. Drozdov;Yu.N. Drozdov;V.I. Shashkin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第1期
82.Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах

机译：在半导体激光器内部的光学损耗
- 作者：Н. А. Пихтин;С. О. Слипченко;З. Н. Соколова;И. С. Тарасов;N. A. Pikhtin;S. O. Slipchenko;Z. N. Sokolova;I. S. Tarasov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第3期
83.Влияние супрамолекулярного упорядочения на фотофизические свойства полиамидинов

机译：在光物理性质polyamidines影响超分子排序
- 作者：Е. Л. Александрова;М. Е. Компан;М. М. Дудкина;А. В. Теньковцев;Е. И. Теруков;E. L. Alexandrova;M. E. Kompan;M. M. Dudkina;A. M. Tenkovtsev;E. I. Terukov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第9期
84.Влияние адсорбции молекул пиридина на концентрацию свободных носителей заряда и спиновых центров в слоях пористого кремния

机译：吡啶吸附分子上的自由载流子和旋转中心在多孔硅层中的浓度的影响
- 作者：Л.А.Осминкина;А.С.Воронцов;Е.А.Константинова;В.Ю.Тимошенко;П.К.Кашкаров;L. A. Osminkina;A. S. Vorontsov;E. A. Konstantinova;V. Yu. Timoshenko;P. K. Kashkarov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第4期
85.Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствие сурфа&танта Sb методом молекулярной эпитаксии

机译：塑性弛豫的GeSi / Si的（001）膜生长在冲浪＆坦塔锑分子外延方法的存在
- 作者：Ю-Б. Бблховитянов;А С Дерябин;А.К. Гутаковский;А В. Колесников;Л В. Соколов;Yu.B. Bolkhovityanov;A.S. Deryabin;A.K. Gutakovskii;L. Kolesnikov;L.V. Sokolov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第10期
86.Термоэлектрическая эффективность монокристаллов полупроводникового силицида рутения

机译：钌硅化物的半导体单晶的热电效率
- 作者：А.Е.Кривошеев;Л.И.Иваненко;А.Б.Филонов;В.Л.Шапошников;Г.Бер;И.Шуманн;В.Е.Борисенко;A.E. Krivosheev;L.I. Ivanenko;A.B. Filonov;V.L. Shaposhnikov;G. Behr;J. Schumann;V.E. Borisenko
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第1期
87.Модель фотоотжига собственных дефектов гексагональных квантовых точек CdS_xSe_(1-x)

机译：模型fotootzhiga内在缺陷六边形量子点CdS_xSe_（1-x）的
- 作者：В. П. Кунец;Н. Р. Кулиш;М. Л. Лисица;В. П. Брыкса;V. P. Kunets;N. R. Kulish;M. P. Lisitsa;V. P. Bryksa
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第4期
88.Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированных Si

机译：掺杂有Si的电物理特性和低温光致发光的CdTe单晶
- 作者：О.А.Парфенюк;М.И.Илащук;К.С.Уляницкий;П.М.Фочук;О.М.Стрильчук;С.Г.Крилюк;Д.В.Корбутяк;O. A. Parfenyuk;M. I. Ilashchuk;K. S. Ulyanitskii;P. M. Fochuk;O. M. Strilchuk;S. G. Krylyuk;D. V. Korbutyak
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第2期
89.Бозонный пик в спектрах комбинационного рассеяния стекол As_xS_(1-x)

机译：色子峰在拉曼光谱As_xS_眼镜（1-x）的
- 作者：Д.Арсова;Я.Булметис;К.Раптис;В.Памукчиева;Е.Скордева;D. Arsova;Y. C. Boulmetis;C. Raptis;V. Pamukchieva;E. Skordeva
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第8期
90.Энергетические характеристики экситонов в структурах на основе твердых растворов InGaN

机译：在结构基于固溶激子的能量特性的InGaN
- 作者：С.О.Усов;А.Ф.Цацульников;В.В.Лундин;А.В.Сахаров;Е.Е.Заварин;М.А.Синицын;Н.Н.Леденцов;S.O. Usov;A.F. Tsatsulnikov;V.V. Lundin;A V. Sakharov;E.E. Zavarin;M A Sinitsin;N.N. Ledentsov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第6期
91.Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP

机译：反应器中子辐照和温度对单晶的结构的InP
- 作者：В.М.Бойко;В.Т.Бублик;М.И.Воронова;Н.Г.Колин;Д.И.Меркурисов;К.Д.Щербачев;V.M. Boiko;V.T. Bublik;M.I. Voronova;N.G. Kolin;D.I. Merkurisov;K.D. Shcherbatchev
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第6期
92.Особенности структурного взаимодействия в гетероструктурах (AlGaIn)N/GaN как дислокационных фильтрах

机译：属性在异质结构相互作用（AlGaIn）N / GaN作为位错过滤器
- 作者：И. П. Сошников;Н. Н. Леденцов;А. Ф. Цацульников;А. В. Сахаров;А. В. Лундин;Е. Заварин;А. В. Фомин;D. Litvinov;E. Hahn;D. Gerthsen;P. Soshnikov;N. N. Ledentsov;A. F. Tsatsulnikov;A. V. Sakharov;W. V. Lundin;E. A. Zavarin;A. V. Fomin;D. Litvinov;E. Hahn;D. Gerthsen
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第1期
93.Инфракрасная и субмиллиметровая спектроскопия щелевых кремниевых структур

机译：开槽的硅结构的红外和亚毫米波光谱
- 作者：Е.Ю.Круткова;В.Ю.Тимошенко;Л.А.Головань;П.К.Кашкаров;Е.В.Астрова;Т.С.Перова;Б.П.Горшунов;А.А.Волков;E.Yu. Krutkova;V.Yu. Timoshenko;LA. Golovan;P.K. Kashkarov;E.V. Astrova;T.S. Perova;B.P. Gorshunov;A.A. Volkov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第7期
94.Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe (x=0.20-0.23)

机译：在外延层的非平衡载流子的再结合的机制CdxHg1-XTE（X = 0.20-0.23）
- 作者：Д.Г.Икусов;Ф.Ф.Сизов;С.В.Старый;В.В.Тетеркин;D.G. Ikusov;F.F. Sizov;S.V. Stariy;V.V. Teterkin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第2期
95.Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора на основе диоксида олова

机译：基于二氧化锡电阻薄膜传感器的电和气体敏感特性
- 作者：О.В.Анисимов;В.И.Гаман;Н.К.Максимова;С.М.Мазалов;Е.В.Черников;O.V. Anisirnov;V.I. Gamarf;N.K. Maksimova;S.M. Mazalov;E.V. Chernikov
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2006年第6期
96.фотолюминесценция с длиной волны до 1.6мкм в квантовых точкахс увеличенной эффективной толщиной слоя 1пАз

机译：光致发光被至多1.6mkm量子tochkahs的波长厚度1pAz增加的有效层
- 作者：М.Н. Дроздов;Н.В. Востоков;В.М. Данильцев;Ю.Н. Дроздов;Л.Д- Молдавская;А.В. Мурель;В.И. Шашкин;M.M. Drozdov;N.V. Vostokov;V.M. Daniltsev;Yu.M. Drozdov;L.D. Moldavskaya;A.V. Murel;V.I. Shashkin
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第3期
97.Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл-квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюми

机译：效率elektrolyumi在异质金属 - 半导体量子在（Ga）的作为中间氧化物层的效果/砷化镓
- 作者：Н. В. Байдусь;П. Б. Демина;М. В. Дорохин;Б. Н. Звонков;Е. И. Малышева;Е. А. Ускова;N. V. Baidus;P. B. Demina;M. V. Dorokhin;B. N. Zvonkov;E. A. Uskova
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2005年第1期
98.Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением

机译：肖特基势垒基薄膜正In2S3，通过激光蒸发得到
- 作者：И.В.Боднарь;В.А.Полубок;В.Ф.Гременок;В.Ю.Рудь;Ю.В.Рудь;I.V. Bodna;V.A. Polubotd;V.F. Gremenok;V.Yu. flurff;Yu.V. Rud
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2007年第1期
99.Фоточувствительные структуры на основе соединения

机译：基于化合物光敏结构
- 作者：И. В. Боднарь;Г. А. Ильчук;В. Ю. Рудь;Ю. В. Рудь;I. V. Bodnar;G. A. Ilchuk;V. Yu. Rud;Yu. V. Rud
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2004年第2期
100.Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками 0е(8|)/81(001)

机译：可光并用自组装岛屿0E（8 |）的多层结构的电致发光的对比分析/ 81（001）
- 作者：Ю. Н. Дроздов;З.Ф. Красильник;К.Е. Кудрявцев;Д.Н. Лобанов;А.В. Новиков;М-В- Шалеев;Д.В. Шенгуров;В. Б. Шмагин;А.Н. Яблрнский;Yu.N. Drozdov;Z.F. Krasilnik;K.E. Kudryavtsev;D.N. Lobanov;A.V. Novikov;M.V. Shaleev;D.V. Shengurov;V.B. Shmagin;A.N. Yablonskiy
- 期刊名称：《Физика и техника полупроводников》 | 2008年第3期

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有出版物经营许可证

客服微信
服务号