...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Особенности формирования эпитаксиальных пленок на пористых подложках AIIIBV
【24h】

Особенности формирования эпитаксиальных пленок на пористых подложках AIIIBV

机译：形成在多孔基材上的外延膜的特征AIIIBV

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Получены пористые подложки GaAs (100) и (111) с наноструктурированным (~ 10 нм) рельефом поверхности, под который на глубине ~ (50-100) нм поры, ветвящиеся вдоль < 111>, образуют густую сеть с объемной плотностью ~ 60%. Проведено исследование поверхности подложки и структуры выращенных на них слоев GaSb. Обнаружено уменьшение на 22% несоответствия параметров решеток на границе GaSb/GaAs(пористый) по сравнению с GaSb/GaAs(монолит). Развиты представления о химических механизмах порообразования в кристаллах AIIIBV и установлена связь структуры пористых слоев с составами электролитов и условиями анодирования. Показано, что зависимость скорости роста слоя от величины упругой деформации решетки может служить фактором ускоренного зарастания пор и перехода к планарному росту.
机译：通过纳米结构（〜10nm）表面地形获得GaAs（100）和（111）的多孔衬底，在孔的〜（50-100）的深度下，沿<111>分支，形成厚网络堆积密度〜60％。进行了对它们生长的基板表面的研究和在它们上生长的气体层的结构。发现与GasB / GaAs边界（多孔）相比，与Gasb / GaAs（Monolith）相比减少了22％的晶格参数。开发了关于AIIIBV晶体中孔形成化学机制的思想，并建立了多孔层与电解质组合物的结构和阳极氧化条件的连接。结果表明，层的生长速率从晶格的弹性变形的大小依赖于晶格的弹性变形的大小可以作为加速孔凸块的因子，并转变到平面生长。

著录项

  • 来源
  • 作者

    А.А.Ситникова; А.В.Бобыль; С.Г.Конников; В.П.Улин; A. A. Sitnikova; A. V. Bobyl; S. G. Konnikov; V. P. Ulin;

  • 作者单位

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences Politekhnicheskaya ul. 26 St. Petersburg 194021 Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences Politekhnicheskaya ul. 26 St. Petersburg 194021 Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences Politekhnicheskaya ul. 26 St. Petersburg 194021 Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences Politekhnicheskaya ul. 26 St. Petersburg 194021 Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号