Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов

Н.И.Бочкарева; E.A.Zhirnov; А.А.Ефремов; Ю.Т.Ребане; Р.И.Горбунов; Ю.Г.Шретер; N. I. Bochkareva; E. A. Zhirnov; A. A. Efremov; Yu. T. Rebane; R. I. Gorbunov; Yu. G. Shreter

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов

【24h】

Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов

机译：隧道复合电流和电致发光效率的InGaN /氮化镓发光二极管

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Механизм инжекционных потерь в светодиодах p-GaN/InGaN/n-GaN с квантовой ямой анализируется с помощью измерений температурных и токовых зависимостей внешней квантовой эффективности в области температур 77--300 K, а также измерений переходных токов. Результаты интерпретируются на основе туннельно-рекомбинационной модели избыточного тока, включающей туннелирование электронов сквозь потенциальный барьер в n-GaN и термическую активацию дырок над барьером в p-GaN. При малых прямых напряжениях доминирует захват электронов на состояния гетерограницы InGaN/p-GaN. Избыточный ток резко увеличивается с напряжением при росте плотности дырок на границе InGaN/p-GaN и рекомбинации их с захваченными электронами. Туннельно-рекомбинационный ток ограничивает инжекцию носителей заряда в квантовую яму и является причиной снижения эффективности при высоких плотностях тока и низких температурах. Пиннинг уровня Ферми связывается с декорированием гетерограниц, границ зерен и дислокаций примесными комплексами.

机译：通过测量外部量子效率的温度范围为77-300 k的温度和电流，分析P-GaN / IngaN / N-GaN LED中的注射损失机制，以及瞬态测量。结果是基于过电流的隧道重组模型来解释，包括通过N-GaN中的潜在屏障的电子隧道和P-GaN中的屏障上方的孔的热激活。具有小的直接应力，电子捕获在ingan / p-GaN异化状态下占主导地位。过电流随着电压急剧增加，电压随着InGaN / P-GaN边界的孔密度增加及其与捕获电子的重组。隧道重组电流限制将电荷载体注入量子坑，并且是降低高电流密度和低温下效率的原因。费米钉扎与杂种，晶界和脱位杂质复合物的装饰相关。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2005年第5期|共6页
作者
Н.И.Бочкарева; E.A.Zhirnov; А.А.Ефремов; Ю.Т.Ребане; Р.И.Горбунов; Ю.Г.Шретер; N. I. Bochkareva; E. A. Zhirnov; A. A. Efremov; Yu. T. Rebane; R. I. Gorbunov; Yu. G. Shreter;
展开▼
作者单位

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Department of Physics Bath University UK;

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет 194251 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences St. Petersburg 194021 Russia;

Department of Physics Bath University Bath BA2 7AY UK;

St. Petersburg 194251 Russia;

Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences St. Petersburg 194021 Russia;

Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences St. Petersburg 194021 Russia;

Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences St. Petersburg 194021 Russia;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Improvement of the carrier distribution with GaN/InGaN/AlGaN/InGaN/GaN composition-graded barrier for InGaN-based blue light-emitting diode [J] . Min Guo, Zhi-You Guo, Jing Huang, 中国物理：英文版 . 2017,第002期

机译：基于GaN / InGaN / AlGaN / InGaN / GaN的梯度成分的InGaN基蓝色发光二极管的载流子分布改善
2. Improvement of electrostatic discharge characteristics of InGaN/GaN MQWs light-emitting diodes by inserting an n~+ -InGaN electron injection layer and a p-InGaN/GaN hole injection layer [J] . Chuanyu Jia, Cantao Zhong, Tongjun Yu, Semiconductor science and technology . 2012,第6期

机译：通过插入n〜+ -InGaN电子注入层和p-InGaN / GaN空穴注入层来改善InGaN / GaN MQWs发光二极管的静电放电特性
3. Origin of GaN-InGaN-GaN barriers in enhancing the hole injection for InGaN/GaN green light-emitting diodes [J] . Tie Li, Guan-Long Cao, Wei Mao, Superlattices and microstructures . 2020,第Octa期

机译：GaN-Ingan-GaN屏障的起源在增强InGaN / GaN绿色发光二极管的空穴注射中
4. High brightness GaN-based light emitting diodes using ITO/n~+-InGaN/InGaN superlattice/n~+-GaN/p-GaN tunneling junctio [C] . Suk-Hun Lee, Hyo-Kun Son, Sung-Jae Kim, International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes . 2004

机译：高亮度GaN的发光二极管使用ITO / n〜+ -ingan / Ingan Superlattice / n〜+ -gan / p-gaN隧道junctio
5. Electron Dynamics of TiN Thin Films and InGaN/GaN Dot-in-Nanowires [D] . George, Heather J. 2018

机译：TiN薄膜和InGaN / GaN点对纳米线的电子动力学
6. Effects of a Si-doped InGaN Underlayer on the Optical Properties of InGaN/GaN Quantum Well Structures with Different Numbers of Quantum Wells [O] . George Christian, Menno Kappers, Fabien Massabuau, 2018

机译：掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
7. On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes [O] . Kyaw, Z., Zhang, Z. H., Liu, W., 2014

机译：关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响
8. MBE Growth and Properties of GaN, InGaN and GaN/InGaN Quantum Well Structures for Laser Diode Applications [R] . Schetzina, J. F. 2001

机译：用于激光二极管应用的GaN，InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质

Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅