...
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >действие мощных нано- и фемтосекундных лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры
【24h】

действие мощных нано- и фемтосекундных лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры

机译:上硅纳米结构强大作用纳米和飞秒激光脉冲

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Изучено действие мощных наносекундных (20 нс) и фемтосекундных (120 фс) лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры, создаваемые ионно-лучевым синтезом в слоях 8Юг или осаждением на стеклянные подложки, Наносекундные отжиги приводят к появлению полосы фотолюминесценции вблизи 500 нм, ее интенсивность растет с энергией и числом импульсов,. Источниками излучения считаются кластеры атомов 81, сегрегированных из окисла. Наносекундные импульсы позволяют также кристаллизовать аморфные кремниевые нанопреципигаты в 8Юг Сильное легирование способствует кристаллизации. Длительности фемтосекундных импульсов недостаточно для сегрегации избыточного 81 из 8Юг Вместе с тем они кристаллизуют тонкие пленки а-5 на стекле. Диапазон энергий обоих типов импульсов( при которых наблюдалась кристаллизация, допускал кратковременное плавление поверхности.
机译:在硅纳米结构上的强大纳秒(20ns)和飞秒(120 fs)激光脉冲的作用,通过在玻璃基板上的层8yus或沉淀中由离子射线合成产生,纳秒退火导致光致发光带接近500nm的外观强度随能量和脉冲的数量而增长。辐射源被认为是从氧化物中偏析的原子81簇。纳秒脉冲还允许在8糖中结晶无定形硅纳米填充物。强掺杂有助于结晶。飞秒脉冲的持续时间不足以用于81中的过量81,同时,它们在玻璃上结晶细膜A-5 。两种类型的脉冲的能量范围(观察到结晶,允许表面的短期熔化。

著录项

  • 来源
  • 作者单位

    Институт физики полупроводников им А В. РжановаСибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

    Институт физики полупроводников им А В. РжановаСибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

    Институт физики полупроводников им А В. РжановаСибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

    Институт физики полупроводников им А В. РжановаСибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

    A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Russian Academy of Sciences Siberian Branch 630090 Novosibirsk Russia;

    A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Russian Academy of Sciences Siberian Branch 630090 Novosibirsk Russia;

    A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Russian Academy of Sciences Siberian Branch 630090 Novosibirsk Russia;

    Laser Zentrum Hannover 30419 Hannover Germany;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号