Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe

П. А. Бахтин; С. А. Дворецкий; В. С. Варавин; А. Л. Коробкин; Н. Н. Михайлов; И. В. Сабинина; Ю. Г. Сидоров; P. A. Bahtin; C. A. Dvoreckiy; V. S. Varavin; A. P. Korobkin; N. N. Mikhailov; I. V. Sabinina; J. G. Sidorov

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe

【24h】

Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe

机译：低温退火对电影正CdHgTe的电生理参数的影响

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Проведено исследование влияния низкотемпературного изотермического отжига на электрофизические параметры пленок Cd_xHg_(1-x)Te (KPT). Пленки с составом х =0.21 -0.23 к л-типа проводимости были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs. Отжиги проводились в интервале температур 90-230°С и длительностью 1-1000 ч. Изменения проводимости, коэффициента Холла и времени жизни неосновных носителей при отжиге объясняются образованием вакансий ртути и выходом атомов ртути из образца. Исследовано влияние различных защитных покрытий на скорость изменения электрофизических параметров пленок КРТ. Наиболее эффективным покрытием, стабилизирующим параметры пленок п-типа, оказался анодный оксид. Анализ зависимостей эффекта Холла и проводимости от магнитного поля показал, что наблюдаемые при отжиге изменения параметров можно описать в рамках двухслойной модели с двумя типами электронов: с высокой и низкой подвижностью.

机译：通过低温等温退火对CD_HG_（1-X）TE（KPT）膜的电神法参数的影响进行了研究。通过在GaAs基材上的分子射线外延生长具有组合物x = 0.21 -0.23k的薄膜。退火在90-230°C的温度范围内进行，持续时间为1-1000小时。通过形成汞空缺的形成，解释了导电性，霍尔系数和非核载体的寿命的变化。来自样品的汞原子的产量。研究了各种保护涂层对CRT膜的电神法参数变化速率的影响。稳定p型膜参数的最有效的涂层已经是阳极氧化物。从磁场的霍尔和电导率的依赖性依赖性的分析表明，在退火期间观察到的参数变化可以描述为具有两种类型的电子的双层模型的一部分：具有高且低移动性。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2004年第10期|共4页
作者
П. А. Бахтин; С. А. Дворецкий; В. С. Варавин; А. Л. Коробкин; Н. Н. Михайлов; И. В. Сабинина; Ю. Г. Сидоров; P. A. Bahtin; C. A. Dvoreckiy; V. S. Varavin; A. P. Korobkin; N. N. Mikhailov; I. V. Sabinina; J. G. Sidorov;
展开▼
作者单位

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Institute of Semiconductor Physics Siberian branch Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

Institute of Semiconductor Physics Siberian branch Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

Institute of Semiconductor Physics Siberian branch Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

Institute of Semiconductor Physics Siberian branch Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

Institute of Semiconductor Physics Siberian branch Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

Institute of Semiconductor Physics Siberian branch Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

Institute of Semiconductor Physics Siberian branch Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe [J] . П. А. Бахтин, С. А. Дворецкий, В. С. Варавин, Физика и техника полупроводников . 2004,第10期

机译：低温退火对n-CdHgTe薄膜电物理参数的影响
2. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe [J] . П. А. Бахтин, С. А. Дворецкий, В. С. Варавин, Физика и техника полупроводников . 2004,第10期

机译：低温退火对电影正CdHgTe的电生理参数的影响

Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅