Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии

В.М.Лантратов; Н.А.Калюжный; С.А.Минтаиров; Н.Х.Тимошина; М.З.Шварц; В.М.Андреев; V.M. Lantratov; N.A. Kaluzhniy; S.A. Mintairov; N.K. Timoshina; M.Z. Shvarts; V.M. Andreev

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии

【24h】

Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии

机译：高度dvuhperehodnye的GaInP /砷化镓太阳能电池，通过MOCVD获得

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Методом МОС-гидридной эпитаксии проведены исследования по созданию монолитных двухпереходных солнечных элементов GaInP/GaAs. Определены и оптимизированы условия роста изопериодических с GaAs тройных твердых растворов GaxIn1-xP и AlxIn1-xP. Разработана технология создания туннельного диода с высоким пиковым током 207 А/см2 на основе сильно легированных слоев n++-GaAs : Si и p++-AlGaAs : C. Полученные в результате исследований каскадные солнечные элементы GaInP/GaAs имели хорошую эффективность преобразования солнечной энергии как для космических, так и для наземных применений. Максимальное значение кпд составило 30.03% (AM1.5D, 40 солнц).

机译：已经在整形二适用太阳能电池GAINP / GaAs的产生上进行了MOS-氢化物外延方法。确定并优化了Gaxin1-XP的三固体溶液的GaAs的异态生长条件。已经开发了技术以创建具有高峰电流207a / cm2的隧道二极管，基于高掺杂的N ++ - GaAs：Si和P ++ - Algaas：C。所得的研究级联太阳能元件GAINP / GaAs具有良好的太阳能转换效率至于宇宙，为地面应用。效率的最高效率为30.03％（AM1.5D，40个太阳）。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2007年第6期|共5页
作者
В.М.Лантратов; Н.А.Калюжный; С.А.Минтаиров; Н.Х.Тимошина; М.З.Шварц; В.М.Андреев; V.M. Lantratov; N.A. Kaluzhniy; S.A. Mintairov; N.K. Timoshina; M.Z. Shvarts; V.M. Andreev;
展开▼
作者单位

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

loffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

loffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

loffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

loffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

loffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

loffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. GaInP/GaAs double heterojunction bipolar transistor with GaAs/Al_(0.11)Ga_(0.89)As/GaInP composite collector [J] . Z. S. Poh, H. K. Yow, P. A. Houston, Journal of Applied Physics . 2006,第2期

机译：具有GaAs / Al_（0.11）Ga_（0.89）As / GaInP复合集电极的GaInP / GaAs双异质结双极晶体管
2. Electroluminescence properties of GaInP/GaAs:Er,O/GaInP double heterostructure light-emitting diodes at low temperature [J] . Yoshikazu Terai, Takehiro Tokuno, Hideki Ichida, Optical Materials . 2009,第9期

机译：GaInP / GaAs：Er，O / GaInP双异质结构发光二极管在低温下的电致发光特性
3. Composition and parameters of domains resulting from spinodal decomposition of quaternary alloys in epitaxial GaInP/Ga (x) In1-xAsyP1-y/GaInP/GaAs(001) heterostructures [J] . Domashevskaya EP, Gordienko NN, Rumyantseva NA, Semiconductors . 2008,第9期

机译：外延GaInP / Ga（x）In1-xAsyP1-y / GaInP / GaAs（001）异质结构中四元合金旋节线分解产生的畴的组成和参数
4. Saturation charge storage measurements in GaInP/GaAs/GaAs and GaInP/GaAs/GaInP HBTs [C] . Chen, P.F., Hsin, . 1998

机译：GaInP / GaAs / GaAs和GaInP / GaAs / GaInP HBT中的饱和电荷存储测量
5. InAsP/GaInP strain-compensated multiple quantum wells and their optical modulator applications. [D] . Mei, Xiaobing. 1997

机译：InAsP / GaInP应变补偿多量子阱及其光调制器应用。
6. Using Spin-Coated Silver Nanoparticles/Zinc Oxide Thin Films to Improve the Efficiency of GaInP/(In)GaAs/Ge Solar Cells [O] . Po-Hsun Lei, I-Jen Chen, Jia-Jan Chen, 2018

机译：使用旋涂银纳米粒子/氧化锌薄膜提高GaInP /（In）GaAs / Ge太阳能电池的效率
7. Desarrollo de células solares de doble unión de GaInP/GaAs para concentraciones luminosas elevadas (Development of GaInP/GaAs dual-junction solar cells for high light concentrations). [O] . García Vara Iván 2010

机译：高光浓度GaInP / GaAs双结太阳能电池的开发（高光浓度GaInP / GaAs双结太阳能电池的开发）。
8. Upconversion of near GaAs bandgap photons to GaInP(sub 2) emission at the GaAs/(ordered) GaInP(sub 2) heterojunction [R] . Teo, K. L. , Su, Z. P. , Yu, P. Y. , 1996

机译：Gaas /（有序）GaInp（sub 2）异质结上近Gaas带隙光子向GaInp（sub 2）发射的上转换

Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅