...
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Влияние быстрого отжига на электрофизические свойства структур SiO_2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния
【24h】

Влияние быстрого отжига на электрофизические свойства структур SiO_2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния

机译:快速退火的对电特性的影响SiO_2 / Si的结构与阳极氧化硅的薄层

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Исследованы особенности влияния быстрого отжига на электрофизические характеристики структур SiO_2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния (с толщиной диэлектрических слоев ~10 нм), сформированных на подложках из Исследованы особенности влияния быстрого отжига на электрофизические характеристики структур SiO_2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния (с толщиной диэлектрических слоев ~10 нм), сформированных на подложках из.
机译:快速退火效果对SiO_2 / Si结构的电神法特性的影响,硅的阳极薄层(具有〜10nm的介电层的厚度),形成在来自研究的基板上快速退火对硅阳极氧化物薄层的SiO_2 / Si结构的电神法特性的影响(具有〜10nm的介电层的厚度)。

著录项

  • 来源
  • 作者单位

    Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники 220013 Минск Белоруссия;

    Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники 220013 Минск Белоруссия;

    Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники 220013 Минск Белоруссия;

    Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники 220013 Минск Белоруссия;

    Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics 220013 Minsk Belarus;

    Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics 220013 Minsk Belarus;

    Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics 220013 Minsk Belarus;

    Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics 220013 Minsk Belarus;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号