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使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni（Pt）Si（Ge）接触的方法和器件

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本发明涉及使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni（Pt）Si（Ge）接触的方法和器件。提供了在不使用帽层的情况下形成光滑硅化物的技术。在一个方面，提供了一种用于形成硅化物的无帽层方法。所述方法包括以下步骤。提供选自硅和硅锗的半导体材料。在所述半导体材料上沉积至少一种硅化物金属。在约400℃到约800℃的温度下，将所述半导体材料和所述至少一种硅化物金属退火小于或等于约10毫秒的时长以形成硅化物。另外还提供了FET器件和用于制造FET器件的方法。

著录项

公开/公告号CN103632951B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-29

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN201310371406.6
发明设计人 J·S·纽伯里;K·P·罗德贝尔;章贞;朱煜;
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申请日2013-08-23
分类号H01L21/285(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/417(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人于静;张亚非
地址美国纽约
入库时间 2022-08-23 09:43:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/285 授权公告日:20160629 终止日期:20190823 申请日:20130823

专利权的终止
2017-11-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/285 登记生效日:20171107 变更前: 变更后: 申请日:20130823

专利申请权、专利权的转移
2017-11-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/285 登记生效日:20171107 变更前: 变更后: 申请日:20130823

专利申请权、专利权的转移
2017-11-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/285 登记生效日:20171107 变更前: 变更后: 申请日:20130823

专利申请权、专利权的转移
2017-11-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/285 登记生效日:20171107 变更前: 变更后: 申请日:20130823

专利申请权、专利权的转移
2016-06-29

授权

授权
2016-06-29

授权

授权
2016-06-29

授权

授权
2014-04-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20130823

实质审查的生效
2014-04-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/285 申请日:20130823

实质审查的生效
2014-04-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/285 申请日:20130823

实质审查的生效
2014-03-12

公开

公开
2014-03-12

公开

公开
2014-03-12

公开

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机译：使用快速退火在SiGe层上形成均匀的Ni（Pt）Si（Ge）接触