掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
中文会议
>
工业技术
>
无线电电子学与电信技术
>
1998年全国半导体硅材料学术会议
1998年全国半导体硅材料学术会议
召开年:
1998
召开地:
上海
出版时间:
1998-09
主办单位:
中国有色金属学会
会议文集:
98年全国半导体硅材料学术会议论文集
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
现代音响技术
电子世界
变频器世界
电子元器件应用
信息通信技术
电子制作
电信科学
世界宽带网络
通信对抗
通讯世界
更多>>
相关外文期刊
Advanced Functional Materials
電子情報通信学会論文誌
International journal of interdisciplinary telecommunications and networking
桂林电子工业学院学报
Electronics and Communications in Japan / 電子情報通信
International journal of pervasive computing and communications
Circuits, systems, and signal processing
Journal of Electronics (CHINA)
IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control
Aeronautical and Navigational Electronics, Transactions of the IRE Professional Group on
更多>>
相关中文会议
2004年高大功率LED外延及芯片技术研讨会
2008'激光技术论坛
第七届中国通信集成电路技术与应用研讨会
2010全国节能灯用原材料、元器件及设备技术研讨会
2009 LED照明技术及发展论坛
微波学会第三届全国毫米波亚毫米波学术会议
第9届中国卫星通信广播电视技术国际研讨暨新设备展示会
2009第四届中国电信行业网络信息安全论坛
2008世界通信大会(ICC2008)中国论坛
第16届国际广播电视技术讨论会(ISBT 2011)
更多>>
相关外文会议
Sensors, Actuators, and Microsystems(General)
Proceedings of the Forty-First IEEE holm conference on electrical contacts(Electrical Contacts-1995)
Spectroscopic Characterization Techniques for Semiconductor Technology V
2013 International conference on Circuits, Controls and Communications
EPP-vol.5; ASME(American Society of Mechanical Engineers) International Mechanical Engineering Congress and Exposition; 20051105-11; Orlando,FL(US)
Thermonsense: thermal infrared applications XXXV
Quantum dots and nanostructures: Synthesis, characterization, and modeling VIII
ICIDSA'06;International conference on impulsive dynamical systems and applications
Optical Materials Technology for Energy Efficiency and Solar Energy Conversion X
International Conference on Signal Processing(ICSP'06); 20061116-20; Guilin(CN)
更多>>
热门会议
2015第十届全国体育科学大会
2019年中国城市规划年会
2018中国城市规划年会
中国工程热物理学会2014年年会
第三届世界灾害护理大会
第30届中国气象学会年会
2017年中国地球科学联合学术年会(CGU2017)
中华医学会第十八次全国儿科学术会议
2006中国科协年会
2011年第二十八届中国气象学会年会
更多>>
最新会议
2005中国首届国际铜板带研讨会
全国小儿病毒性肝炎学术会议
模糊系统及其应用成果学术交流会
中国金属学会高温合金中微量元素的控制及其作用鉴定会
中国有色金属学会冶金设备学术委员会第一届年会
2003年全国理论计算机科学学术年会
2015年齐鲁高教论坛
中国石油学会油品应用技术交流会
中国化工学会第一届流体流动传热传质及燃烧技术会
中国金属学会第四界炭素材料年会
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
硅单晶生长的磁场拉晶和等效微重力生长
徐岳生
;
李养贤
;
刘彩池
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
硅单晶生长磁场拉晶微重力生长;
2.
Φ100mm重掺砷硅单晶的研制
董尧德
;
黄肖军
;
余俊军
;
吴圣登
;
郑志秀
;
丁亭亭
;
吴常开
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
通过拉晶热场系统、单晶炉真空系统及计算机自控参数,掺杂机构、拉晶工艺等一系列改进,在国产TDR-62B单晶炉上采用12″热场成功地实现了大投料量,生长出Φ100mm重掺砷硅单晶。同时还进一步改进和完善了重掺砷单晶在试制、生产过程中的环保治理,采取了高效安全的砷毒防护措施,目前已投入批量生产,产品80℅以上销往美、日等国。
重掺砷;
硅;
单晶生长;
3.
软损伤吸杂作用机构的分析
陈一
;
宗祥福
;
李积和
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化。分析了软损伤吸杂的作用机构:当热氧化时软损诱生热氧化层错,当外延生长时软损伤诱生半环形位错,硅片表面电活性区的有割杂质被吸收、沉积在这些诱生缺陷上。
软损伤;
吸杂;
晶体加工;
硅片;
4.
硅单晶抛光镜面吸附动力学的分析研究
刘玉岭
;
郝美功
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文对硅单晶新生抛光镜面活性状态及其与环境吸附质之间的相互作用的动力学过程进行了分析研究。提出了两类吸附质状态的控制模型,通过实验验证了使用非离子大分子活性剂优先吸附抛光镜面,隆低活性,达到稳态,满足VLSI和ULSI用硅单晶抛光片表面清洗的工艺要求。
硅单晶;
吸附动力学;
抛光片;
清洗;
5.
硅片化学机械抛光动力学的分析研究
刘玉岭
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文分析研究了IC工艺中化学机械抛光动力学过程及控制条件。
硅片;
化学机械抛光;
动力学;
6.
硅片表面微量化学性沾污的分析
王敬
;
屠海令
;
朱吾新
;
周旗钢
;
刘安生
;
孙燕
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
硅片;
表面;
化学性;
沾污;
检测;
7.
增强吸杂硅外延片
闵靖
;
邹子英
;
姚保纲
;
李积和
;
陈一
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
增强吸杂硅外延片;
检测;
延片;
8.
P<'->/P<'+>外延片质量评估--国产与进口P<'->/P<'+>外延片性能比较
陈康民
;
曾庆光
;
张挺
;
张一峰
;
毛柏雄
;
朱朝辉
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
P'-/P'+;
外延片;
评估;
国产;
进口;
性能;
硅;
9.
Au/Bi合金低温外延硅薄膜
史伟民
;
陈培峰
;
五林军
;
钱永彪
;
闵嘉华
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文从热力学角度对LPE中同时存在的Si氧休与SiO〈,2〉腐蚀的动态平衡过程进行了分析,探讨低温液相外延过程中防止硅氧化的技术条件,尝试采用Au/60wt℅Bi合金作为外延溶剂,采用饱和和Sn源保护Si衬底的方法以解决LPE过程中硅的氧化问题,以实现低温下硅薄膜的外延生长,外延温度400~500℃。通过对外延层表面形貌和成分的分析研究表明此法成功地解决了硅的氧化问题。
Au/Bi合金;
低温;
外延;
硅薄膜;
10.
硅上外延SiGe组分渐变缓冲层的双晶X射线研究
卢焕明
;
叶志镇
;
汪雷
;
黄靖云
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
用UHV/CVD法在780℃生长了组分渐变的缓冲层及外延层,缓冲层顶层的应变基本上已完全驰豫,最外层SiGe材料的双晶X射线半高峰宽与单五成分的SiGe外延层比较要低得多,从而提高了外延层的晶体质量。
硅;
外延生长;
硅锗组分;
缓冲层;
双晶X射线;
11.
硅基GaN外延生长的界面分析
张昊翔
;
叶志镇
;
赵炳辉
;
李先杭
;
汪雷
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文报导了在硅基上用真空反应法生长出了GaN外延层,利用X射线衍射仪和投射电镜对外延层和初底处的界面情况进行了研究分析,发现在界面外存在着一层GaN多晶过渡层,这层过渡层能够有效地缓解由两种材料晶格失配引起的应变,改善外延层的晶体质量。同时初步建立了在Si初底上生长GaN的模型。
硅;
外延生长;
氢化镓;
12.
硅外延雾缺陷和背面多晶硅对雾缺陷的吸除作用
闵靖
;
邹子英
;
陈一
;
李积和
;
姚保纲
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
硅;
外延;
雾缺陷;
多晶硅;
吸除;
13.
硅材料的透射电镜分析
陈一
;
曾伟
;
胡岗
;
唐雷钧
;
宗祥福
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
硅材料;
透射电镜;
检测;
14.
SPV法检测硅材料性能的新进展
王世进
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
简述了SPV法测量少子扩散长度的原理。分析子标准方法与改进方法之间的差别,概述了SPV在测量长度方面的进展,特别指扩散长度监测重金属杂质沾污的优点以及必须要完成的基础工作,并介绍有关实例。
检测硅材料性能表面光电压法;
15.
用光伏扫描法测试硅单晶片的电阻率分布
郭运德
;
蒋建国
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
光伏扫描法;
检测;
硅单晶;
电阻率;
16.
硅薄片材料少子寿命曲线的计算机实时测量
褚幼令
;
王宗欣
;
陈乃东
;
唐剑平
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文介绍了硅薄片少子寿命曲线的计算机实时测量系统,就其基本原理、系统设计、可行性等方面进行了分析。该方法的提同,改变了由于用示波器观察少子寿命时的显示不稳定、噪声信号干扰强、一般只读取少数几个点等使少子寿命测量精度无法提高的缺点。该方法是微型计算机及高速数据接口卡在半导体少子寿命测量方面的一个实用实例。
硅薄片;
少子寿命曲线;
实时测量;
17.
红外光辐射法测量硅的表面温度的研究
陈修治
;
朱爱平
;
王燕
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
对于直拉硅单晶生长过程中单晶内部的温度分布的深入了解和有效控制是控制直拉硅单晶中的位错和微缺陷的关键。该文讨论了采用硅光电池作为传感器的红外光辐射测温仪测量硅单晶的表面温度时的测准问题。得到了红外辐射温度计所接收到的辐射亮度信号大小与其相对于表面的取向无关的结论,提出了定量计算反射信号对于红外辐射温度计实际测量得到的温度的修正量的方法。
红外光辐射法;
测量;
硅;
表面温度;
18.
JSK-1晶体生长控制器研制与运用
陆时根
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
晶体生长;
控制器;
硅;
设备;
19.
硬轴炉晶转爬动的原因分析
沈益军
;
杨光宇
;
肖世豪
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
硬轴炉是拉N型高昌的关键设备。但硬轴炉往往引起单晶爬动--晶锭扭振,这些然会引起单晶生长困难。该文通过对硬轴炉单晶的模型简化,分析研究了引起的单晶爬动的原因,由此指导生产实践,取得了良好的效果。
硬轴炉;
单晶爬动;
硅;
单晶炉;
20.
微机电系统(MEMS)中的化学和材料问题
张寿柏
;
丁桂甫
;
沈天慧
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
微机电系统;
材料;
半导体;
加工;
21.
一种新型加速度计的研究
方玉明
;
茅盘松
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文详细介绍了一种硅/玻璃结构的加速度计,介绍了其工作原理、挠性轴的结构性能,最后介绍了它的工艺实现方法。
加速度计;
传感器;
22.
欧陆数字调节器在CG3000/2000型单晶炉中的应用
梁开金
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文简略介绍CG3000/2000型单晶炉控制原理及南数字调节器功能,在对系统输入/输出分析估算,并经实测验证的数据基础上,提出了用欧陆仪改造CG3000/2000单晶炉控制系统的方法,并给出了两种单晶炉的实际接线图以及调试方法。
欧陆数字调节器;
单晶炉;
控制系统;
23.
璧ゾ的磁场拉晶和等效微重力生长
徐岳生
;
李养贤
;
刘彩池
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
硅;
单晶生长;
磁场;
拉晶;
微重力生长;
24.
掺锗直拉硅中锗对辐照缺陷的影响
裴志军
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
掺锗直拉硅的晶格结构中,锗产生扩张应力场,且易俘获硅中空位形成Ge-V复合体。
掺锗;
25.
重掺锑硅单晶析晶机理与观察
郭盘
;
刘建功
;
吴志刚
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
重掺锑;
硅;
单晶;
析晶机理;
26.
磁场下减压充氧直拉硅单晶的电阻率的研究
于伟波
;
杨德仁
;
阙端麟
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
磁场;
减压;
充氧;
硅;
单晶生长;
电阻率;
27.
Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究
郝玉清
;
张果虎
;
常青
;
方锋
;
吴志强
;
万关良
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该语文研究了Φ125mm单晶氧的径向均匀性,为控制氧径向均匀性应首选择Φ125mm热场,增加晶转速度可以改善氧径向均匀性。
直拉;
硅单晶;
氧;
径向均匀性;
28.
重掺锑直拉硅单晶电阻率的控制
万关良
;
方锋
;
吴志强
;
郝玉清
;
张果虎
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
通过拉晶实验,研究了炉室气压、拉晶速率和成晶时间等晶体生长工艺条件对直拉重掺锑单晶电阻率的影响。实验结果表明,炉室气压、拉晶速率和成晶时间对电阻率影响很大,推导一经验公式,选用适当工艺参数,能准确控制单晶电阻率大小及其纵向均匀性。
重掺锑;
硅单晶;
电阻率;
工艺;
29.
拉晶埚位对直拉硅单晶氧含量的影响
郝玉清
;
方锋
;
吴志强
;
张果虎
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文研究了直拉硅单晶氧含量与拉晶埚位的关系。埚位高,单晶头部氧含量较高;埚位低,单晶头部氧含量较低。
拉晶;
埚位;
硅单晶;
氧含量;
30.
增加区熔中子掺杂硅单晶实收率的几个途径
魏斌
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
市场经济要求规模生产必须是低成本与高产出。采取稳定控制中子辐照通量以增加照命中率,提高原始电阻率均匀性分布,并由些确定适当的中子掺杂比,合理使用反型原始硅单晶等措施;可达到提高中照单晶实收率,降低生产成本的目的。
区熔;
中子掺杂;
硅单晶;
实收率;
31.
Φ120mm多晶硅棒的制备
严世权
;
张祖伟
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文阐述生长Φ120mm多晶硅棒的工艺技术,给出了生产试验结果,提出了在已有技术基础上进一步提高炉产量、降低消耗的设想。
多晶硅;
制备;
工艺;
32.
分馏塔用导热油加热及其自动控制
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文介绍了利用多晶硅还原生产中产生的高温导热油对分镏塔加热,将热能充分利用,可节约能源,保证产品质量,降低生产成本。
分馏塔;
导热油;
加热;
自动控制;
多晶硅;
33.
太阳能用大晶粒铸造多晶硅
杨德仁
;
阙端麟
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
大晶粒铸造多晶硅是低成本高效率的新型太阳能光电转换材料,其应用范围和国际市场份额不断扩大。文阐述了铸造多晶硅的生产方式、生产厂家、光电转换效率,说明了铸造多晶硅的重要优势和缺点。该文还论述了铸造多晶硅中主要缺陷和杂质对材料电学性能和影响及其研究时展。
太阳能;
大晶粒铸造;
多晶硅;
光电转换材料;
34.
磨削助剂在磨片工艺中的应用
郭生贵
;
郝美功
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文介绍一种利用磨削助剂进行硅片研磨的工艺。此工艺在国外相当普及,在国内也正在推广。这种助剂不仅具有良好的润滑和防锈性能,而且具有较强的悬浮能力。粘度适中和硅片研磨后易清洗等特点。
磨削助剂;
磨片;
硅片;
35.
刷洗对硅单晶抛光片表面质量的影响
唐雪林
;
顾凯峰
;
姚保纲
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文研究了用SVG-18DWC双面擦片机擦洗经RCA工艺清洗后的抛光片表面。结果表明,结果表明:经SVG-18DWC双面擦片擦洗后抛光片的表面颗粒有明显的减少,经WISCR-80测试Φ100mm的抛光片表明颗粒大于0.3μm颗粒总数小于10个/片,而抛光片表面的部分金属杂质沾污有明显的增加。
刷洗;
硅单晶;
抛光片;
表面质量;
晶体加工;
36.
Φ150mm碱蚀硅片翘曲度和总厚度变化的研究
周兴峰
;
谢江华
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文研究了Φ150mm碱蚀硅片的加工工艺。结果表明,采用合理的工艺条件,基本能使Φ150mm碱蚀硅片的翘曲度(Warp)的数值99℅小于30μm,总厚变化(TTV)的数值97℅小于3.0μm,能满足线宽2~3μm的IC使用要求。
碱腐蚀;
硅片;
翘曲度;
厚度;
晶体加工;
37.
硅研磨片表面的预清洗
郭生贵
;
蒋建国
;
郝美功
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文提出硅研磨片的预清洗工艺,就是在磨片清洗之前的前置处理。用高压喷洗 、超声波平超和助洗 剂浸泡等方法,以使硅研磨片清洗一次成品率较大幅度的提高。
硅片;
研磨片;
表面;
预清洗;
38.
埚转速度变化对直拉硅单晶氧径向均匀性的影响
郝玉清
;
张果虎
;
方锋
;
吴志强
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文研究了直拉硅单晶氧径向均匀性与石英埚转速变化的关系。在单晶生长初期。石英埚转速变化对氧径向均匀性没有影响。但在单晶生长后期。石英埚转速增加导致氧径向均匀性变坏。
埚转速度;
直拉;
硅单晶;
氧;
径向均匀性;
39.
半导体硅片的电化学研究Ⅰ.N(100)硅片
程璇
;
林昌健
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
采用电化学直流极化和交流阻抗技术,并通过控制光照条件,研究了N(100)硅片/氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能。结果表明,有光照条件下,硅片/氢氟酸界面上的电化学反应很容易发生且起主导作用,黑暗条件下硅片处于消耗期,因而其半导体性能起着重要的作用。
硅片;
电化学;
氢氟酸;
半导体性能;
40.
掺镓区熔硅单晶的抗辐照特性
阎萍
;
刘洪飞
;
黄千驷
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
对由区熔法制备的捅稼、掺硼P型硅单晶进行了中子、γ复合场及γ辐照实验,并将辐照前、后样品的电学参数变化进行了对比。结果表明,在复合场下,对不同掺杂的样品,电阻率变化的差异较明显。而试验中所用剂量的γ辐照,对掺镓、掺硼样品电阻率的影响较小,几科可忽略,对少子寿命的影响则明显不同。掺镓样品较普通的掺B样品。对辐照具有更强的承受能力。
掺镓;
区熔;
硅单晶;
抗辐照特性;
41.
高灵敏度探测器级N型高阻硅单晶的研制
王炎
;
魏斌
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
N型高阻;
硅;
单晶生长;
42.
硅单晶生长工艺的发展动向
袁永春
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文较为详尽地立新离硅单晶生长的工艺方法和发展动向,并指出CZ-Si在半导体工业中所具的重要地位,MCZ法是一种大有前途的方法,在今后一段较长的时期内MCZ-Si将与NTD-Sio并存。
硅;
单晶生长;
43.
国外硅片清洗工艺研究新发展
董慧燕
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
硅片;
清洗;
工艺;
44.
勾形磁场拉晶技术
郝玉清
;
方锋
;
吴志强
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文研究了利用勾形磁场的拉晶技术。通过改变磁场强度及埚转速度,可将氧的轴向梯度控制在中氧范围内的±1ppma内,利用分段拉晶技术可以拉制N〈111〉高阻单晶,替代区熔单晶,用于制造小功率器件。
勾形磁场;
拉晶;
硅;
单晶生长;
45.
CMOS器件抗中子直拉硅单晶制备
张忆延
;
刘峰
;
裴志军
;
纪秀峰
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
采用等价掺杂技术,可以提高单晶硅的抗辐射加固性能。采用掺锗和预辐射技术,可以制备出加固多子COMS器件用的抗中子加固单晶硅片,且取得较好的效果。
CMOS器件;
抗中子;
硅;
单晶;
制备;
加固;
46.
六对棒SiHCl<,3>氢还原炉结构与工艺设计中的几个总是探讨
丁国江
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文就反应温度、H〈,2〉气与SiHCl〈,3〉的摩尔比、炉内混合气体量及其运动状况、炉膛容积、吸热和辐射传热表面积等对还原反应效率和多晶硅产品质量的影响进行分析,并在六对棒SiHCl〈,3〉氢还原炉结构和工艺设计中加以应用,对在运行中的有关问题进行了讨论。
六对棒SiHCl,3氢还原炉结构与工艺;
47.
应用表面扫描仪研究硅抛光片表面质量
卢立延
;
孙燕
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
表面扫描仪;
硅抛光片;
表面质量;
硅片;
检测;
48.
Φ125mmSiH<,2>Cl<,2>外延工艺的研究
肖建农
;
随郁文
;
秦舒
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
高性能的模拟集成电路需要高质量的外延片,该文研究了在Φ125mm硅初底片上,使用SiH〈,2〉Cl〈,2〉进行外延的工艺技术。重要解决了外延层均匀性问题,该 项技术已成功地应用于公司的彩电单片机及大屏幕彩电用集成电路的生产中。
外延;
工艺;
SiH〈;
2〉Cl〈;
2〉;
多晶硅;
49.
重掺砷硅初底外延工艺
薛宏伟
;
夏明颖
;
赵丽霞
;
田中元
;
陈秉克
;
吴福民
;
魏毓峰
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
重掺砷硅初底批量外延生产中存在着均匀性、一致性和重复性差等问题,该文对其主要原因---自掺杂进行了分析,并提出了抑制自掺杂的工艺,从而大大提高了批量生产中的工艺稳定性和成品率。
重掺砷;
硅;
初底;
外延;
工艺;
50.
大生产中抛光片测量与分选
顾梅
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
抛光硅片的厚度、平整度、翘曲度和电阻率等参数对器件性能有重要影响。从美国ADE公司引进的MICROSCAN-8100-6型晶片测量和分选系统为国内测量硅片参数的最先进的测试仪器,其优点是功能全面,方便快捷,准确可靠。为了使该机能顺利应用于大生产中,我们开发了3英寸、4英寸和5英寸硅片的测量与分选,从而保证了 光片的表面质量,并达到监控硅片抛光工艺,提高成品率,降低生率成本的目的。
抛光片;
测量;
分选;
测试仪器;
51.
扩展电阻探针在器件开发和失效分析中的应用
吴晓虹
;
闵靖
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
电阻探针;
半导体器件;
硅片;
检测;
52.
扩展电阻倾斜角度的测量
赵丽霞
;
陈秉克
;
吴福民
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
扩展电阻;
倾斜角度;
测量;
硅;
研磨;
53.
FZ14-1型区熔单晶炉的改进
梁书正
;
陈勇刚
;
孙华英
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
为了满足市场对Φ4英寸单晶的需求,我们针对FZ14-1型区熔单晶炉在Φ4英寸单晶生长过程中常出现的问题,经过分析进行了改进,基本消除了在拉制Φ4英寸单晶时常出现的如线圈紧固螺钉变色或熔断、高频炉跳闸、线圈打火等异常现肝效地提高了用TOPSOE FZ14-1型区熔炉拉制Φ4英寸单晶的成功率。
区熔;
单晶炉;
改进;
54.
乌克兰AJIMAC-12M切片机概况
赵晶
;
陈文杰
;
郑义翔
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文阐述了国内最新引进的“AJIMA3-12M”27〈’〃〉内圆切片机的主要概况及改造工作。
乌克兰;
切片机;
55.
SPC法检测硅材料性能的新进展
王世进
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
简述了SPV法测量少子扩散长度的原理。分析子标准方法与改进方法之间的差别,概述了SPV在测量长度方面的进展,特别指扩散长度监测重金属杂质沾污的优点以及必须要完成的基础工作,并介绍有关实例。
检测;
硅材料;
性能;
表面光电压法;
56.
封闭式热场对晶体纵向氧含量的影响
张向东
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文生要研究封闭式热场(Close Hot Zone)对晶体纵向氧含量的影响。并与敞开式热场(Open Hot Zone)进行了比较,再通过适当调节熔料功率、埚位、埚转等工艺条件参数,拉制出Φ150mm低氧硅单晶(氧含量:20~28ppma)。
封闭式热场;
晶体生长;
纵向氧含量;
硅;
工艺;
57.
氮气氛保护下直拉硅单晶的直径控制
沈益军
;
赵松宏
;
肖世豪
;
杨光宇
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
在大直径硅单晶生长中,直径控制是十分关键的,它直接影响单晶的成品率。影响直径控制好坏的因素很多,而保护气氛的种类、流量和压力等是影响直径控制的重要因素。采用浙江大学的专利工艺---减压氮保护硅单晶生长,不但对硅片的机械性能、电学性能有极大的提高,而且对单晶的直径控制亦有利。该文正是研究了这方面的机理。
氮气;
保护;
硅单晶;
直径;
工艺;
58.
高能粒子辐射加固CZ硅单晶的热处理技术
佟丽英
;
裴志军
;
张忆延
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
辐照加固CZ硅单晶受高能粒子辐射,由于辐照缺陷的产生,使期电阻率相对于其原始值有一定的偏离,经氮气气氛、650~700℃热处理,其电阻率可以其本恢复原始值。
高能粒子;
辐射加固;
硅单晶;
热处理;
59.
线切割硅片的表面损伤
樊瑞新
;
卢焕明
;
张锦心
;
杨德仁
;
阙端麟
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文利用台阶仪、扫描电镜和X射线双晶衍射仪,研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大,外表面损伤大,但损伤层的厚度要小于常规内圆切割硅片。该文还讨论了影响线切割硅片表面损伤的可能原因。
线切割;
硅片;
表面损伤;
60.
P型<111>硅片多晶吸杂工艺的研究
陈青松
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文阐述了LPCVD生长多晶硅对于P型〈111〉硅片的吸杂作用,通过对多晶硅的微观机构的研究来探讨多晶硅吸杂的吸杂机理。
P型;
多晶硅;
吸杂;
61.
内圆切片机导向器的使用
章斌
;
张向东
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
半导体行业中,切片从外圆切割发展到内圆切割,从内圆切割发展到线切割。但对于Φ76.2~200mm的硅片其主流多为内圆切割,对于Φ150mm或Φ200mm,就面临着翘曲度(warp)、变曲度(bow)过大的难题,该文就是介绍在内圆切片机上通过使用导向器,适当的补偿量,使刀片始终处于最佳状态,收改善Φ150mm硅片的上述两项参数。
内圆切片机;
导向器;
硅片;
晶体加工;
62.
氧轴向均匀性的控制
吴志强
;
方锋
;
郝玉清
;
万关良
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
氧;
轴向均匀性;
硅;
单晶生长;
63.
多晶硅薄膜应力特性研究
张国炳
;
郝一龙
;
孙玉秀
;
陈文茹
;
肖志雄
;
王铁松
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文报道了低压化学气相淀积(LPCVD)制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂黉度关系的实验结果。LPCVD制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速退炎(RTA)可以使其压应力检驰,并可使其转变成为该文征张应力。
多晶硅;
薄膜;
应力;
特性;
64.
硅中的氮氧复合物及其施主行为
刘培东
;
张锦心
;
李立本
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
含氮CZ硅的电学性能完全有别于含氮的FZ硅和无氮的CZ硅,研究表明,含氮CZ硅能形成一种与氮有关的新施主,它随氮氧复合物的形成而形成,随氮氧复合物的消失而消失。文章进一步研究了氮-新施主的结构模型,并对氮-新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨。
硅;
氮氧复合物;
施主行为;
65.
碳和氮原子对热施主的作用
刘培东
;
朱爱平
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
碳原子;
氮原子;
热施主;
硅;
66.
硅外延设备及其新进展
陈明琪
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文综合性地介绍了现有常见硅外延炉的性能、特点、生产能力等,同时还 国外大直径硅片外延炉的一些新进展。
硅;
外延生长;
设备;
外延炉;
67.
碳和氮原子在氧沉淀中的作用
大学硅材料科学国家重点实验室
;
朱爱平
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
碳原子;
氮原子;
氧沉淀;
硅单晶;
68.
电子辐照NTD硅层中缺陷态的退火特性
戴培英
;
董友梅
;
郭敏
;
张宇翔
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文报导了高阴(45~70Ω·cm)NTD-FZ-Si-P〈’+〉nn〈’+〉结的硅层中,经电子辐照后缺陷态的等温、等时退火特性,而且获得了主要缺陷态能级E〈,3〉、E〈,4〉的缺陷激活能和频率因子。
电子辐照;
硅;
缺陷;
退火特性;
中子嬗变掺杂;
69.
Φ100~150mm集成电路生产线上工艺硅片的缺陷研究
邹子英
;
闵靖
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
集成电路;
生产线;
硅片;
缺陷;
晶体加工;
硅片;
70.
硅材料结构的延伸与派生的发展
万群
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
硅;
材料结构;
71.
Φ200mm硅片生产线简介
张椿
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
硅片;
生产线;
72.
大直径硅片工艺技术及晶体完整性研究
屠海令
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
随着超大规模集成电路设计线宽向深同米级(<0.5μm)发展,对大直径硅片质量的要求越来越高,提高晶体完整性、减少污染和采用缺陷工程方法改善表面质量的研究更加深入。该文阐述了深亚微米集成电路用大直径大硅片工艺技术、表面完整性和洁净程度的研究热点和检测技术发展趋势。同时还介绍了硅及绝缘体上硅(SOI)材料的缺陷工程研究。
晶体生长;
晶片加工;
硅片;
工艺;
73.
面向21世纪的微电子技术和硅片市场发展动向
李本成
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
硅片;
市场;
74.
世界半导体硅材料的进展与趋势
蒋荣华
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
综述了国际半导体硅材料近年来的发展状况及未来的发展方向,同时叙述了半导体工业对硅材料的要求及多晶硅的状况。
硅;
晶体生长;
硅片加工;
75.
勾型磁场控氧技术的研究
方锋
;
张果虎
;
吴志强
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
磁场应有和在直接硅单晶的生长系统上(MCZ)能有效地掏硅熔体之热对流,降低晶体中的氧含量,该文在分析“勾型”磁场分布特点的基础上,制定相庆的拉晶工艺参数,达到控制晶体的氧含量和提高氧的径向分布均匀性的目的。
勾型磁场;
控氧;
拉晶;
硅;
单晶生长;
76.
密封拉晶工艺探索
叶祖超
;
陆荣
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
密封拉晶;
硅;
单晶生长;
77.
Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片增强氧沉淀
王启元
;
王俊
;
韩秀峰
;
邓惠芳
;
王建华
;
昝育德
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文报道了一种改进该征吸末技术-低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中,用连续的线性缓慢升温(Ramping)退火替代常规的长时间低温恒温退火,应用于直拉(CZ)重掺N型硅补底片,明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度。这些高密度氧沉淀物在随后IC器件热工艺中继续长大,成为稳定的高效本征吸杂中心。从经典的成核沉淀理论,讨论了Ramping热退火重掺硅初底片增强氧沉淀的机理。
重掺锑;
硅衬底片;
氧沉淀;
低温短热退火;
78.
硅/锗/硅键合新技术的研究
刘玉岭
;
张文智
;
徐晓辉
;
张德臣
;
张志花
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文分析了研究了亲水键合法存在的问题,发明了硅/锗/硅合新方法。试验研究了新方法的机理、键合工艺技术和键合强度,键合率以及与亲水键合方法的对比。
硅/锗/硅;
亲水键合;
工艺;
79.
硅材料电阻率测量双电测方法的三种组合模式
鲁效明
;
宿昌厚
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
摘要:
该文概述了双电测法的三种组合模式,简要说明了三种组合模式测量电阻率时与材料厚度的关系;并对第一种组合模式(Perloff法)测量电阻率的演变过程作了具体介绍。
硅材料;
电阻率;
测量;
双电测法;
组合模式;
80.
多功能半导体汞探针测试装置
邵志标
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
半导体;
汞探针;
测试装置;
检测;
81.
Ge/Si短周期超晶格的双晶衍射
季振国
;
卢焕明
;
阙端麟
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
超晶格;
双晶;
X射线衍射;
检测;
锗/硅;
外延生长;
82.
扩展电阻探针在材料测试和器件工艺中的应用
吴晓虹
;
闵靖
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
电阻探针;
测试;
半导体器件;
工艺;
硅片;
83.
硅抛光片表面微粗糙度测量的初步探讨
杨灏
;
严学俭
;
陆明
《1998年全国半导体硅材料学术会议》
|
1998年
硅;
抛光片;
表面;
粗糙度;
测量;
意见反馈
回到顶部
回到首页