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刷洗对硅单晶抛光片表面质量的影响

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该文研究了用ＳＶＧ－１８ＤＷＣ双面擦片机擦洗经ＲＣＡ工艺清洗后的抛光片表面。结果表明，结果表明：经ＳＶＧ－１８ＤＷＣ双面擦片擦洗后抛光片的表面颗粒有明显的减少，经ＷＩＳＣＲ－８０测试Φ１００ｍｍ的抛光片表明颗粒大于０．３μｍ颗粒总数小于１０个／片，而抛光片表面的部分金属杂质沾污有明显的增加。

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来源
《1998年全国半导体硅材料学术会议》|1998年|104-106|共3页
会议地点上海
作者
唐雪林; 顾凯峰; 姚保纲;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类晶体加工;
关键词
刷洗; 硅单晶; 抛光片; 表面质量; 晶体加工;

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