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高能粒子辐射加固CZ硅单晶的热处理技术

摘要

辐照加固CZ硅单晶受高能粒子辐射,由于辐照缺陷的产生,使期电阻率相对于其原始值有一定的偏离,经氮气气氛、650~700℃热处理,其电阻率可以其本恢复原始值。

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