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硅单晶生长工艺的发展动向

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该文较为详尽地立新离硅单晶生长的工艺方法和发展动向，并指出ＣＺ－Ｓｉ在半导体工业中所具的重要地位，ＭＣＺ法是一种大有前途的方法，在今后一段较长的时期内ＭＣＺ－Ｓｉ将与ＮＴＤ－Ｓｉｏ并存。

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来源
《1998年全国半导体硅材料学术会议》|1998年|27-30|共4页
会议地点上海
作者
袁永春;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
硅; 单晶生长;

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