首页> 中文会议>1998年全国半导体硅材料学术会议 >勾形磁场拉晶技术

勾形磁场拉晶技术

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

该文研究了利用勾形磁场的拉晶技术。通过改变磁场强度及埚转速度，可将氧的轴向梯度控制在中氧范围内的±１ｐｐｍａ内，利用分段拉晶技术可以拉制Ｎ〈１１１〉高阻单晶，替代区熔单晶，用于制造小功率器件。

著录项

来源
《1998年全国半导体硅材料学术会议》|1998年|39-40|共2页
会议地点上海
作者
郝玉清; 方锋; 吴志强;
展开▼
作者单位

中国有色金属学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
勾形磁场; 拉晶; 硅; 单晶生长;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 采用磁场拉晶技术改进太阳能级硅单晶质量 [J] . 李振国 ,张群社 . 新材料产业 . 2008,第011期
2. 磁场拉晶技术简介 [J] . 韩玉杰 ,孙同年 . 半导体情报 . 1989,第001期
3. 勾形磁场下多晶硅定向凝固模拟与分析 [J] . 罗玉峰 ,刘杰 ,张发云 . 人工晶体学报 . 2016,第1期
4. 勾形磁场中硅单晶氧轴向均匀性控制 [J] . 刘要普 ,史舸 ,王新 . 中国集成电路 . 2015,第007期
5. 勾形磁场作用下分离结晶中熔体热毛细对流的数值模拟 [J] . 彭岚 ,龚欢 ,李友荣 . 功能材料 . 2014,第001期
6. 勾形磁场对分离结晶过程中熔体热毛细对流的影响 [C] . 彭岚 ,龚欢 ,李友荣 . 2012年中国工程热物理学会工程热力学与能源利用学术年会 . 2012
7. 勾形磁场中直拉硅单晶的模拟与磁场参数优化 [A] . 李波 . 2008

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号