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硅基GaN外延生长的界面分析

摘要

该文报导了在硅基上用真空反应法生长出了GaN外延层,利用X射线衍射仪和投射电镜对外延层和初底处的界面情况进行了研究分析,发现在界面外存在着一层GaN多晶过渡层,这层过渡层能够有效地缓解由两种材料晶格失配引起的应变,改善外延层的晶体质量。同时初步建立了在Si初底上生长GaN的模型。

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