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张昊翔; 叶志镇; 赵炳辉; 李先杭; 汪雷;
中国有色金属学会;
硅; 外延生长; 氢化镓;
机译:金属有机气相外延生长GaN双极性选择区中界面形成机理的分析
机译:氮化对分子束外延生长在GaN模板上的AlGaN / GaN结构再生界面的影响
机译:氮化对GaN模板上分子束外延生长的AlGaN / GaN结构再生界面的影响
机译:金属化学气相沉积甘硅基衬底上GAN的PENDEO-外延生长
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:在蚀刻的GaN纳米棒阵列上通过金属有机气相外延生长的GaN / InGaN / GaN核-壳结构的刻面恢复和发光
机译:GaN异质外延生长的界面工程与缺陷控制
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:外延生长用基板,GaN半导体膜的制造方法,GaN半导体膜,GaN半导体发光元件的制造方法以及GaN半导体发光元件
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