首页> 中文会议>1998年全国半导体硅材料学术会议 >重掺锑直拉硅单晶电阻率的控制

重掺锑直拉硅单晶电阻率的控制

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

通过拉晶实验，研究了炉室气压、拉晶速率和成晶时间等晶体生长工艺条件对直拉重掺锑单晶电阻率的影响。实验结果表明，炉室气压、拉晶速率和成晶时间对电阻率影响很大，推导一经验公式，选用适当工艺参数，能准确控制单晶电阻率大小及其纵向均匀性。

著录项

来源
《1998年全国半导体硅材料学术会议》|1998年|71-72|共2页
会议地点上海
作者
万关良; 方锋; 吴志强; 郝玉清; 张果虎;
展开▼
作者单位

中国有色金属学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
重掺锑; 硅单晶; 电阻率; 工艺;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. CZ重掺锑硅单晶的锑和氧杂质 [J] . 罗木昌 ,杨德仁 ,阙端麟 . 半导体技术 . 1999,第5期
2. 重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定 [J] . 常青 ,曾世铭 ,何林 . 稀有金属 . 1995,第3期
3. 重掺锑直拉单晶硅的掺氮效应 [J] . 韩建超 . 世界有色金属 . 2015,第001期
4. 直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究 [J] . 吕菲 ,耿博耘 ,于妍 . 电子工业专用设备 . 2013,第009期
5. 直拉重掺硼硅单晶的研究进展 [J] . 李春龙 ,沈益军 ,杨德仁 . 稀有金属 . 2003,第3期
6. 重掺锑直拉硅单晶原生氧沉淀形成的研究 [C] . 朱伟江 ,马向阳 ,杨德仁 . 第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 . 2009
7. 重掺锑直拉硅单晶的氧沉淀行为 [A] . 朱伟江 . 2010

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号