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封闭式热场对晶体纵向氧含量的影响

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该文生要研究封闭式热场（ＣｌｏｓｅＨｏｔＺｏｎｅ）对晶体纵向氧含量的影响。并与敞开式热场（ＯｐｅｎＨｏｔＺｏｎｅ）进行了比较，再通过适当调节熔料功率、埚位、埚转等工艺条件参数，拉制出Φ１５０ｍｍ低氧硅单晶（氧含量：２０～２８ｐｐｍａ）。

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来源
《1998年全国半导体硅材料学术会议》|1998年|59-60|共2页
会议地点上海
作者
张向东;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
封闭式热场; 晶体生长; 纵向氧含量; 硅; 工艺;

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