首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур
【24h】

Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур

机译:在发光二极管结构的薄层的光衰减系数的测定

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Предложена методика определения коэффициента ослабления света в тонком GaN-слое на основе измерений интенсивности электролюминесценции вдоль и поперек слоя. Получена величина коэффициента ослабления света 90±15 см-1 в GaN-слое светодиодной InGaN-структуры.
机译:提出了一种方法,用于基于沿着层次和跨越层的电致发光强度测量的测量来确定薄GaN层中的光衰减系数。 获得了LED IngaN结构的GaN层中90±15cm-1的衰减系数的值。

著录项

  • 来源
  • 作者单位

    Санкт-Петербургский государственный политехнический университет 194251 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    St. Petersburg State Polytechnical University 194251 St. Petersburg Russia;

    loffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    loffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    loffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    loffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    loffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号