...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами
【24h】

Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами

机译：在异质结构的InAs /的AlSb QW持久光电导光谱

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Исследовалась остаточная фотопроводимость гетероструктур AlSb/InAs/AlSb с двумерным электронным газом в квантовых ямах InAs при T - 4.2К. При подсветке ИК излучением hω = 0.6-1.2эВ наблюдалась положительная остаточная фотопроводимость, связываемая с фотоионизацией глубоких доноров. В коротковолновой области наблюдается отрицательная остаточная фотопроводимость, связанная с межзонной генерацией электронно-дырочных пар с последующим разделением электронов и дырок встроенным электрическим полем, захватом электронов на ионизованные доноры и рекомбинацией дырок с двумерными электронами в InAs. При /ми>3.1эВ обнаружено резкое падение отрицательной фотопроводимости, связываемое с включением нового канала фотоионизации глубоких доноров в AlSb за счет переходов электронов в вышележащую над зоной проводимости энергетическую зону.
机译：研究了T - 4.2K中具有二维电子气体的AlSB / InAs / AlSB异质结构的残留光电导性。当通过辐射照射时，Hω= 0.6-1.2eV，观察到正剩余光电导性，连接到深供料的光相。在短波区域中，存在与电子孔对的间带生成相关的负残留光电导，然后通过集成电场分离电子和孔，将电子捕捉到电离供体和二维孔的重组电子中的电子。使用/m /m3.1ev，检测到负光电导性的急剧下降，由于电子过渡到在导通带上方的能量区域中，将深层供体的光学激化的光相对于ALSB的新光相的新通道结合。

著录项

  • 来源
  • 作者

    В. Я. Алешкин; В.И. Гавриленко; Д. М. Гапонова; А. В. Иконников; К. В. Маремьянин; С. В. Морозов; Ю. Г. Садофьев; S. R. Johnson; Y.-H. Zhang; V. Ya. Aleshkin; V. I. Gavrilenko; D. M. Gaponova; A. V. Ikonnikov; K. V. Maremyanin; S. V. Morozov; Yu. G. Sadofyev; S. R. Johnson; Y.-H. Zhang;

  • 作者单位

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research Arizona State University Tempe AZ 85287 USA;

    Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research Arizona State University Tempe AZ 85287 USA;

    Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research Arizona State University Tempe AZ 85287 USA;

    Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures of Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research Arizona State University Tempe AZ 85287 USA;

    Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research Arizona State University Tempe AZ 85287 USA;

    Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research Arizona State University Tempe AZ 85287 USA;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号