Особенности эпитаксиалыюго наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ

О. И. Хрыкин; А. В. Бутин; Д. М. Гапонова; В. М. Данильцев; М. Н. Дроздов; Ю. Н. Дроздов; А. В. Мурель; В. И. Шашкин; O. I. Khrykin; A. V. Butin; A. V. Butin; D. M. Gaponova; V. M. Daniltsev; M. N. Drozdov; Yu. N. Drozdov; A. V. Murel; V. I. Shashkin

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Особенности эпитаксиалыюго наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ

【24h】

Особенности эпитаксиалыюго наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ

机译：属性减压MOCVD反应器epitaksialyyugo容量的GaN

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Изучены свойства слоев GaN, полученных методом МОГФЭ на сапфировых подложках при атмосферном и при пониженном давлении в реакторе. Проведен сравнительный анализ морфологии поверхности, структурных, люминесцентных и электрических транспортных свойств таких структур. Методом ВИМС измерены профили распределения элементов по глубине слоев. Методом электрохимического C-V-профилирования проанализировано распределение носителей тока в сильно легированных структурах с p-n-переходом. Показано, что слои GaN, полученные в реакторе низкого давления, отличаются улучшенными структурными, электрическими и оптическими характеристиками.

机译：研究了通过在大气和减压在反应器中的蓝宝石衬底上获得的GaN层的性质。对这种结构的表面，结构，发光和电气传输性能的形态进行了比较分析。通过层的深度中的元素的分布轮廓来测量WMS方法。电化学C-V型分析方法分析了具有P-N-转变的高合金结构中电流载体的分布。结果表明，在低压反应器中获得的GaN层的特征在于改进的结构，电气和光学特性。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2005年第1期|共4页
作者
О. И. Хрыкин; А. В. Бутин; Д. М. Гапонова; В. М. Данильцев; М. Н. Дроздов; Ю. Н. Дроздов; А. В. Мурель; В. И. Шашкин; O. I. Khrykin; A. V. Butin; A. V. Butin; D. M. Gaponova; V. M. Daniltsev; M. N. Drozdov; Yu. N. Drozdov; A. V. Murel; V. I. Shashkin;
展开▼
作者单位

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. N-face GaN/AlN/GaN/InAlN and GaN/AlN/AlGaN/GaN/InAlN high-electron-mobility transistor structures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on vicinal substrates [J] . Ahmadi Elaheh, Wu Feng, Li Haoran, Semiconductor science and technology . 2015,第5期

机译：N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构，通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
2. GaN系HFETsの電流コラプスの測定～非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET [J] . 杉山貴之, 本田善央, 山口雅史, 電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials . 2011,第46期

机译：使用非极性a面GaN衬底上的HFET和c-GaN衬底上的p-GaN栅极来测量GaN基HFET的电流崩溃-常关型JHFET
3. GaN系HFET盲の電流コラプスの測定: 非極性a面GaN基板上HFET及びc－GaN基板上p－GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET [J] . 杉山　貴之, 本田　善央, 山口　雅史, 電子情報通信学会技術研究報告 . 2011,第44期

机译：基于GaN的HFET盲电流塌陷测量：常关JHFET，在非极性a面GaN衬底上使用HFET，在c-GaN衬底上使用p-GaN栅极
4. 再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発 [C] . 柴田　大輔, 半田　浩之, 塩崎　奈々子, 電子デバイス研究会 . 2017

机译：使用再生p-GaN / AlGaN / GaN半极性栅极结构开发常关GaN衬底上的垂直GaN晶体管
5. Electron Microscopy Characterization of GaN-on-GaN Vertical Power Devices =Electron Microscopy Characterization of GaN-on-GaN Vertical Power Devices [D] . Peri, Prudhvi Ram. 2021

机译：GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
6. Enhanced P-Type GaN Conductivity by Mg Delta Doped AlGaN/GaN Superlattice Structure [O] . Ying Zhao, Shengrui Xu, Hongchang Tao, 2021

机译：Mg Delta掺杂AlGaN / GaN超晶格结构增强了P型GaN电导率
7. On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes [O] . Kyaw, Z., Zhang, Z. H., Liu, W., 2014

机译：关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响
8. GaN Power Electronics: From GaN-on-Si Lateral Transistor to GaN-on-GaN Vertical Transistor and GaN CMOS IC. [R] . Chu, R., Cao, Y., Li, R., 2017

机译：GaN功率电子器件：从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。

Особенности эпитаксиалыюго наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅