Кинетика фазово-структурных преобразований в тонких пленках SiO_x в процессе быстрого термического отжига

В.А.Данько; И.З.Индутный; В.С.Лысенко; И.Ю.Майданчук; В.И.Минько; А.Н.Назаров; А.С.Ткаченко; П.Е.Шепелявый; V. A. Dan’ko; I. Z. Indutnyi; V. S. Lysenko; I. Yu. Maidanchuk; V. I. Min’ko; A. N. Nazarov; A. S. Tkachenko; P. E. Shepelyavyi

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Кинетика фазово-структурных преобразований в тонких пленках SiO_x в процессе быстрого термического отжига

【24h】

Кинетика фазово-структурных преобразований в тонких пленках SiO_x в процессе быстрого термического отжига

机译：在薄膜SiO_x相结构转变的快速热退火时的动力学

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Методами инфракрасной спектроскопии и фотолюминесценции изучались процессы изменения состава оксидной фазы пленки SiO_x и выделения фазы Si в процессе быстрого термического отжига в интервалах времен 1--40 с и температур 500--1000°C. При температурах 600--700°C впервые наблюдалась кинетика фазовыделения: рост количества выпавшего кремния с увеличением времени отжига и выход на насыщение. При температурах выше 900°C процесс разделения фаз завершается уже за 1 c. В рамках модели диффузионно-контролируемого формирования наночастиц Si проведена оценка величины коэффициента диффузии. Полученные значения на 5--10 порядков превышают коэффициенты диффузии кремния в SiO_2 и Si и сравнимы с коэффициентами диффузии кислорода в подобных структурах. Предполагается, что именно подвижность кислорода лежит в основе механизма структурно-фазовых превращений слоев SiO_x и образования наночастиц Si в процессе отжига.

机译：研究了红外光谱和光致发光的方法，研究了SiO_X膜的氧化物相的组成的变化过程以及Si相中的分离在快速热退火过程中以1-1-40秒的时间间隔500-1000°C的温度在温度600-700°C时，观察到相支出的动力学：硅量的增加随着退火时间的增加和饱和的出口。在900℃高于900℃的温度下，完成相分离过程1c。在纳米颗粒Si的扩散控制形成模型的框架内，评价扩散系数的值。所获得的5--10阶值超过SiO_2和Si中硅的扩散系数，并且与这种结构中的氧的扩散系数相当。假设它是氧气的迁移性下潜SiO_x层的结构相变的机理和在退火过程中形成Si纳米颗粒。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2005年第10期|共7页
作者
В.А.Данько; И.З.Индутный; В.С.Лысенко; И.Ю.Майданчук; В.И.Минько; А.Н.Назаров; А.С.Ткаченко; П.Е.Шепелявый; V. A. Dan’ko; I. Z. Indutnyi; V. S. Lysenko; I. Yu. Maidanchuk; V. I. Min’ko; A. N. Nazarov; A. S. Tkachenko; P. E. Shepelyavyi;
展开▼
作者单位

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine Kiev 03028 Ukraine;

Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine Kiev 03028 Ukraine;

Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine Kiev 03028 Ukraine;

Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine Kiev 03028 Ukraine;

Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine Kiev 03028 Ukraine;

Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine Kiev 03028 Ukraine;

Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine Kiev 03028 Ukraine;

Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine Kiev 03028 Ukraine;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Polyvinylpyrrolidone surface modification with SiO_x containing amorphous hydrogenated carbon (a-C:H/SiO_x) and nitrogen-doped a-C:H/SiO_x films using Hall-type closed drift ion beam source [J] . A. Lazauskas, V. Grigaliunas, A. Guobiene, Thin Solid Films . 2013,第jula1期

机译：使用霍尔型封闭漂移离子束源，用含有非晶态氢化碳（a-C：H / SiO_x）和氮掺杂的a-C：H / SiO_x膜的SiO_x改性聚乙烯吡咯烷酮
2. Corrosion behavior of titanium silicide surface with hydrogen peroxide: Formation of sub-μm TiO_x- based spheres, nanocomposite TiO_x/SiO_x phases, and mesoporous TiO_x/SiO_x network [J] . Jandova V, Fajgar R., Kupcik J., Applied Surface Science . 2020,第Nova1期

机译：用过氧化氢硅化钛表面的腐蚀行为：基于亚微米TiO_x的球体，纳米复合性TiO_x / SiO_x阶段和中孔TiO_x / SiO_x网络的形成
3. Antioxidant migration resistance of SiO_x layer in SiO_x/PLA coated film [J] . Chongxing Huang, Yuan Zhao, Hongxia Su, Food additives & contaminants . 2018,第2期

机译：SiO_x / PLA涂膜中SiO_x层的抗氧化迁移性
4. Formation of Si nanocrystals in SiO_x, SiO_x:C:H films and Si/SiO_2 multilayer nano-heterostructures by pulse laser treatments [C] . I.G. Neizvestniy, V.A. Volodin, A.A. Gismatulin, International conference on micro- and nano-electronics . 2014

机译：通过脉冲激光处理在SiO_x，SiO_x：C：H薄膜和Si / SiO_2多层纳米异质结构中形成Si纳米晶体
5. Fractal growth of deposited carbon on the unirradiated surface of SiO_x nanowires induced by focused electron beam [O] . 苏江滨, 朱贤方, 李论雄, 2010

机译：聚焦电子束在SiO_x纳米线未辐照表面上沉积碳的分形生长

Кинетика фазово-структурных преобразований в тонких пленках SiO_x в процессе быстрого термического отжига

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅