...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников
【24h】

Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников

机译：的InGaAs / GaAs量子点的用于红外探测器的夹层结构

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Обсуждается новый вариант формирования гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками для фотоприемников инфракрасного диапазона методом металлорганической газофазной эпитаксии. Особенностями процесса являются использование повышенного времени роста квантовых точек и чередование низко- и высокотемпературного режимов заращивания квантовых точек барьерными слоями GaAs В процессе зара-щивания происходят частичное растворение крупных квантовых точек и формирование вторичной квантовой ямы InGaAs из материала растворенных больших островков. При этом образуется сэндвич-структура, в которой квантовые точки расположены между двумя тонкими слоями с повышенным содержанием индия - смачивающим слоем InAs и вторичным слоем InGaAs. Высота квантовых точек определяется толщиной слоя низкотемпературного GaAs. Для полученных структур характерна внутризонная фотопроводимость в области 4.5 мкм вплоть до 200 К При 90 К фоточувствительность составляет 0.5 А/Вт, обнаружительная способность 3 109 см Гц1/2Вг~'.
机译：讨论了通过冶金气相外延的方法形成具有用于红外范围的光电探测器的量子点的InAs / GaAs异质结构的新版本。该方法的特点是使用增加的量子点生长时间和通过注射过程中的GaAs的阻挡层交替的量子点生长时间和交替的低温和高温量子点线，发生大量子点的部分溶解和形成a来自溶解大胰岛材料的InGaAs中的次要量子堵塞。同时，形成夹层结构，其中量子点位于两个薄层之间，其中印度含量高，ina的润湿层和ingaas的次级层。量子点的高度由低温GaAs的层厚度确定。对于所得结构，4.5μm的区域内的内部光电电导在90℃至60k至光敏性为0.5A / W，检测能力为3,109cm Hz1 / 2Vg〜'。

著录项

  • 来源
  • 作者

    Л.Д- Молдавская; Н.В. Востоков; ДМ. Гапонова; В.М. Данильцев; М.Н. Дроздов; Ю.Н. Дроздов; В. И. Шашкин; L.D. Moldavskaya; N.V. Vostokov; DM. Gaponova; V.M. Daniltsev; M.N. Drozdov; Yu.N. Drozdov; V.I. Shashkin;

  • 作者单位

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号