Характеризация фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник по спектрам брэгговского отражения света

Г.М.Гаджиев; В.Г.Голубев; Д.А.Курдюков; А.Б.Певцов; А.В.Селькин; В.В.Травников; G.M. Gajiev; V.G. Golubev; D.A. Kurdyukov; A.B. Pevtsov; A.V. Selkin; V.V. Travnikov

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Характеризация фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник по спектрам брэгговского отражения света

【24h】

Характеризация фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник по спектрам брэгговского отражения света

机译：基于光子晶体的表征复合材料蛋白石 - 半导体的光的布拉格反射光谱

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Исследованы спектры брэгговского отражения света от фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник (GaP, GaN). Развит подход, позволяющий проводить характеризацию опалоподобных структур, основанный на исследовании формы спектров брэгговского отражения света и условий, в которых проявляется многоволновая брэгговская дифракция. Анализ формы спектров отражения выполнен в рамках приближения планарной слоисто-периодической среды с учетом спекания и одноосного сжатия сфер a-SiO2, формирующих 3D решетку опала. Диаметры и коэффициенты сжатия сфер найдены с учетом предложенного в работе спектроскопического структурного инварианта, определяющего условия наблюдения многоволновой брэгговской дифракции на системе плоскостей {111}.

机译：研究了一种基于蛋白石半导体复合物（间隙，GaN）的光子晶体吹扫光的光谱的光谱。开发了一种发展，其允许基于对吹嘘光谱的光谱的形式的研究表征蛋白质样结构，其中表现了多波吹拉衍射的微波吹拉衍射的条件。考虑到A-SiO2球体的烧结和单轴压缩，形成反射光谱的形式的分析，形成A-SiO2球体的烧结和单轴压缩，形成3D蛋白石格栅。考虑到工作中提出的光谱结构不变量，发现了球形的直径和系数，这决定了观察{111}平面系统上的多聚吹干衍射的条件。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2005年第12期|共7页
作者
Г.М.Гаджиев; В.Г.Голубев; Д.А.Курдюков; А.Б.Певцов; А.В.Селькин; В.В.Травников; G.M. Gajiev; V.G. Golubev; D.A. Kurdyukov; A.B. Pevtsov; A.V. Selkin; V.V. Travnikov;
展开▼
作者单位

Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук 367003 Махачкала Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук 367003 Махачкала Россия;

Institute of Physics Daghestan Scientific Center Russian Academy of Sciences 367003 Makhachkala Russia;

loffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

loffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

loffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

loffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

loffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

中文文献
专利

Характеризация фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник по спектрам брэгговского отражения света

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅