...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Синие флип-чип светодиоды на основе AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой
【24h】

Синие флип-чип светодиоды на основе AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой

机译：基于远程蓝宝石衬底上蓝色倒装芯片发光二极管的AlGaInN

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Рассматриваются характеристики светодиодов на основе AlGaInN c удаленной сапфировой подложкой. Для удаления подложки применялся метод лазерного отделения (lift-off). Подложка удалялась с готового светодиодного кристалла, смонтированного методом флип-чип на кремниевой плате. С целью увеличения эффективности вывода света на поверхности n-GaN был создан рассеивающий рельеф методом реактивного ионного травления в газовой смеси Cl_2:Ar. В результате этой операции было достигнуто увеличение внешней квантовой эффективности светодиодного кристалла на 25--30%. Светодиоды, изготовленные из кристаллов, полученных описанным способом, устойчиво работают в диапазоне токов накачки до 300 мА, достигая оптической мощности 110 мВт.
机译：考虑了基于远程蓝宝石衬底的AlGainn的LED的特性。为了拆下基板，使用激光室（剥离）。通过在硅板上的倒装芯片安装在安装的LED晶体中除去基板。为了提高N-GaN表面上的光输出的效率，通过CL_2：Ar气体混合物中的反应离子蚀刻产生散射浮雕。由于该操作的结果，LED晶体的外量子效率的增加达到了25-30％。由所描述的方法获得的晶体制成的LED在泵电流范围内稳定地操作，高达300mA，达到110mW的光功率。

著录项

  • 来源
  • 作者

    И.П.Смирнова; Л.К.Марков; Д.А.Закгейм; Е.М.Аракчеева; М.Р.Рымалис; IP. Smirnova; L.K. Markov; D.A. Zakheim; E.M. Arakcheeva; M.R. Rymalis;

  • 作者单位

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    loffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    loffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    loffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    loffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    loffe Physico-Technical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号