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基于RF-MBE的蓝宝石衬底上GaN低温生长研究

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GaN基半导体材料在紫外/蓝光/绿光发光二极管、激光器、探测器,以及高频高温大功率电子器件等方面有着重要而广泛的应用.目前,高质量的GaN材料通常由MOCVD和MBE在高温条件下进行生长,本文依托RF-MBE提出了两种非高温的方式来增加原子的表面迁移能力，为进而实现高质量GaN的低温生长提供可能的途径的离子。本文研究了在低温生长时，离子轰击对材料质量的影响，样品D在生长过程中将氮等离子体源出口处的偏压关闭，从而让离子到达样品表面进行轰击，其它生长条件与样品C-致。其XRD和AFM的测试结果如Table 1所示，从中可以看出，此时的离子轰击减小了FWHM(002)和RMS，但增加了FWHM(102)，说明离子轰击增强了C轴取向，减小了刃位错，但增加了螺位错。样品D的RHEED图如Fig, 2(d)所示，从中可以看出，离子轰击并没有使表面更粗糙。

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|176-177|共2页
会议地点苏州
作者
吴超; 余佳东; 罗毅; 郝智彪; 王健; 汪莱; 鄂炎雄; 孙长征; 韩彦军; 熊兵; 李洪涛;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;
关键词
氮化镓; 低温生长; 离子轰击; 表面迁移能力;

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