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【2h】

Suppressing the Initial Growth of Sidewall GaN by Modifying Micron-Sized Patterned Sapphire Substrate with H3PO4-Based Etchant

机译：通过基于H3PO4的蚀刻剂修饰微米尺寸的图案化蓝宝石衬底抑制侧壁GaN的初始生长

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Micron-sized patterned sapphire substrates (PSS) are used to improve the performance of GaN-based light-emitting diodes (LEDs). However, the growth of GaN is initiated not only from the bottom c-plane but also from the sidewall of the micron-sized patterns. Therefore, the coalescence of these GaN crystals creates irregular voids. In this study, two kinds of nucleation layers (NL)—ex-situ AlN NL and in-situ GaN NL—were used, and the growth of sidewall GaN was successfully suppressed in both systems by modifying the micron-sized PSS surface.
机译：微米尺寸的图案化蓝宝石衬底（PSS）用于改善GaN基发光二极管（LED）的性能。但是，GaN的生长不仅从底部c平面开始，而且从微米尺寸图案的侧壁开始。因此，这些GaN晶体的聚结产生不规则的空隙。在这项研究中，使用了两种成核层（NL），即非原位AlN NL和原位GaN NL，并且通过修饰微米级PSS表面在两个系统中都成功地抑制了侧壁GaN的生长。

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