掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
电子学、通信
>
Gallium Nitride Materials and Devices
Gallium Nitride Materials and Devices
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
福光技术
天津通信技术
通信世界
洗净技术
电子质量
电信建设
通讯世界
红外技术
无线电通信技术
电讯技术
更多>>
相关外文期刊
Telecommunication Journal of Australia
The journal of the Institute of Telecommunications Professionals
International journal of digitial television
IEEE microwave magazine
Land & Sea-Based Electronics Forecast
PTT Technische Mitteilungen
Advanced Functional Materials
Electronics manufacture and test
International Journal of Satellite Communications and Networking
International journal of autonomous and adaptive communications systems
更多>>
相关中文会议
第十二届全国固体薄膜会议
2009年全国博士生学术会议暨第二届海峡两岸博士生论坛——光学微结构和激光技术
中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
中国电子学会第十四届青年学术年会
中国电影电视技术学会第八届学术年会
全国第二届塑料光纤、聚合物光子器件研究、生产和应用会议
2007年激光技术发展与应用学术交流会
2010中国电子学会可靠性分会第十五届可靠性学术年会
第五届中国信息和通信安全学术会议
NCTC·2012第十四届全国有线电视技术研讨会
更多>>
相关外文会议
Conference on laser refrigeration of solids II; 20090128-29; San Jose, CA(US)
Micro-Optics II
Fifteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition, May 14-18, 2000, Toronto, Ontario
IFIP 158; IFIP TC8 Working Conference on Mobile Information Systems(MOBIS); 20040915-17; Oslo(NO)
International Workshop on Combinatorial Image Analysis(IWCIA 2004); 20041201-03; Auckland(NZ)
First International Symposium on High-Power Laser Macroprocessing, May 27-31, 2002, Osaka, Japan
Optoelectronic integrated circuits XII
Optoelectronic Integrated Circuits IX; Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering; vol.6476
International Conference & Workshop on Electronics & Telecommunication Engineering
20th International technical meeting of the Satellite Division of the Institute of Navigation (ION GNSS 2007)
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
Synthesis of nanoporous GaN crystalline particles by chemical vapor deposition
机译:
化学气相沉积法合成纳米多孔GaN晶体颗粒
作者:
Joan J. Carvajal
;
Nadia Gomez
;
Jie Bai
;
Michael Dudley
;
J. Carlos Rojo
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
nanoporous semiconductors;
wide band-gap semiconductors;
chemical vapor deposition;
TEM;
SEM;
2.
Structural and Optical Characterization of Wurtzite Al_(0.8)In_(0.2)N Thin Films Grown by Low Temperature Magnetron Sputter Epitaxy
机译:
低温磁控溅射外延生长的纤锌矿型Al_(0.8)In_(0.2)N薄膜的结构和光学特性
作者:
T. Seppaenen
;
L. Hultman
;
J. Birch
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
thin films;
wurtzite;
AlInN;
InAlN;
sputtering;
epitaxy;
luminescence;
3.
Studies of electron trapping in Ⅲ-nitride semiconductors
机译:
Ⅲ族氮化物半导体中电子俘获的研究
作者:
Olena Lopatiuk
;
rei Osinsky
;
Leonid Chernyak
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
Ⅲ-nitrides;
p-type GaN;
electron trapping;
acceptors;
diffusion length;
cathodoluminescence;
4.
Solar-blind AlGaN 256x256 p-i-n detectors and focal plane arrays
机译:
日盲AlGaN 256x256 p-i-n探测器和焦平面阵列
作者:
M. B. Reine
;
A. Hairston
;
P. Lamarre
;
K. K. Wong
;
S. P. Tobin
;
A. K. Sood
;
C. Cooke
;
M. Pophristic
;
S. Guo
;
B. Perez
;
R. Singh
;
C. R. Eddy
;
Jr.
;
U. Chowdhury
;
M. M. Wong
;
R. D. Dupuis
;
T. Li
;
S. P. DenBaars
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
AlGaN;
solar-blind detectors;
UV detectors;
UV photodiodes;
UV focal plane arrays;
5.
Growth of GaN on patterned GaN/sapphire substrates with various metallic masks by high pressure solution method
机译:
高压溶液法在带有各种金属掩模的GaN /蓝宝石衬底上生长GaN
作者:
M. Bockowski I. Grzegory
;
G. Nowak
;
G. Kamler
;
B. Lucznik
;
M. Wroblewski
;
P. Kwiatkowski
;
K. Jasik
;
S. Krukowski
;
S. Porowski
会议名称:
《》
|
2006年
关键词:
high-pressure growth from solution;
seeded growth;
lateral overgrowth;
gallium nitride;
6.
Gd-implanted GaN as a candidate for spin injector
机译:
植入GaN的GaN作为自旋注入器的候选材料
作者:
V. Avrutin
;
UE. Oezguer
;
J. Xie
;
Y. Fu
;
F. Yun
;
H. Morkoc
;
V. I. Litvinov
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
spintronics;
magnetic semiconductors;
magnetic properties;
7.
Growth and characterization of AlInN/GaInN quantum wells for high-speed intersubband devices at telecommunication wavelengths
机译:
电信波长下高速子带间设备的AlInN / GaInN量子阱的生长和表征
作者:
C. Skierbiszewski
;
G. Cywinski
;
M. Siekacz
;
A. Feduniewicz-Zmuda
;
L. Nevou
;
L. Doyennette
;
M. Tchernycheva
;
F. H. Julien
;
J. Smalc
;
P. Prystawko
;
M. Krysko
;
S. Grzanka
;
I. Grzegory
;
J. Z. Domagala
;
T. Remmele
;
M. Albrecht
;
S. Porowski
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
intersubband absorption;
molecular beam epitaxy;
superlattices;
GaN;
8.
Growth of bulk GaN by HVPE on pressure grown seeds
机译:
HVPE在压力生长的种子上生长块状GaN
作者:
I. Grzegory
;
B. Lucznik
;
M. Bockowski
;
B. Pastuszka
;
M. Krysko
;
G. Kamler
;
G. Nowak
;
S. Porowski
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
low dislocation density GaN;
pressure grown GaN seeds;
bulk GaN by HVPE;
9.
Polarization management techniques for enhanced vertical and lateral transport in Ⅲ-Nitride superlattices
机译:
增强Ⅲ型氮化物超晶格垂直和横向传输的极化管理技术。
作者:
Mohammad Z. Kauser
;
rei Osinsky
;
Brian Hertog
;
Amir Dabiran
;
Peter Chow
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
graded doped superlattices;
enhanced vertical transport;
10.
Review of Recent Efforts on the Growth and Characterization of Nitride-based Diluted Magnetic Semiconductors
机译:
基于氮化物的稀磁半导体生长和表征的最新研究进展
作者:
Matthew H. Kane
;
Martin Strassburg
;
Ali Asghar
;
Nola Li
;
Will Fenwick
;
Ian T. Ferguson
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
spintronics;
diluted magnetic semiconductor;
GaMnN;
ferromagnetic semiconductor;
MOCVD;
11.
Recovery of GaN surface after reactive ion etching
机译:
反应离子刻蚀后GaN表面的恢复
作者:
Qian Fan
;
S. Chevtchenko
;
Xianfeng Ni
;
Sang-Jun Cho
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
12.
Quantum-structure dependent excitonic carrier dynamics of In_xGa_(1-x)N/GaN multi-quantum-wells
机译:
In_xGa_(1-x)N / GaN多量子阱的量子结构相关激子载流子动力学
作者:
Sangsu Hong
;
Yong Seok Kim
;
Young Joon Yoon
;
June Sik Park
;
Bae Kyun Kim
;
Alexer Fomin
;
Gyu Han Lee
;
Je Won Kim
;
Hyung Koun Cho
;
Duk su Kim
;
Taiha Joo
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
multi-quantum wells;
MQW;
time-resolved photoluminescence;
TRPL;
excitonic oscillator strengths;
InGaN;
GaN;
InN;
nitride;
semiconductor;
light emitting diode;
LED;
blue;
green;
13.
Conductive atomic force microscopy study of MBE GaN films
机译:
MBE GaN膜的导电原子力显微镜研究
作者:
J.C. Moore
;
K.A. Cooper
;
J. Xie
;
H. Morkoc
;
A.A. Baski
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
AFM;
C-AFM;
leakage;
localⅠ-Ⅴ;
morphology;
conduction mechanism;
14.
Characterization of GaN epitaxial films grown on SiN_x and TiN_x porous network templates
机译:
在SiN_x和TiN_x多孔网络模板上生长的GaN外延膜的表征
作者:
J. Xie
;
Y. Fu
;
UE. Oezguer
;
Y. T. Moon
;
F.Yun
;
H. Morkoc
;
H. O. Everitt
;
A. Sagar
;
R. M. Feenstra
;
C. K. Inoki
;
T. S. Kuan
;
L. Zhou
;
D. J. Smith
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
MOCVD;
SiN_x;
TiN_x;
porous network;
dislocation;
SEM;
TEM;
XRD;
TPRL;
15.
Applications of transparent Al-doped ZnO contact on GaN-based power LED
机译:
透明掺杂铝的ZnO触点在GaN基大功率LED上的应用
作者:
C. J. Tun
;
J. K. Sheu
;
B. J. Pong
;
M. L. Lee
;
M. Y. Lee
;
C. K. Hsieh
;
C. C. Hu
;
G. C. Chi
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
LED;
TCO;
transparent contact layer;
AZO;
ZnO;
ohmic;
16.
Cathodoluminescence study of GaN and GaN: Si on sapphire
机译:
蓝宝石上GaN和GaN:Si的阴极发光研究
作者:
Nicolas Pauc
;
Matthew Phillips
;
Vincent Aimez
;
Dominique Drouin
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
low voltage cathodoluminescence;
gallium nitride;
dislocations;
17.
Etched Facet Technology for GaN and Blue Lasers
机译:
GaN和蓝色激光的刻面技术
作者:
Alex Behfar
;
Alfred Schremer
;
Jeff Hwang
;
Cristian Stagarescu
;
Alan Morrow
;
Malcolm Green
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
18.
Effects of growth interruption time on InGaN/GaN quantum dots grown by metal organic chemical vapor deposition
机译:
生长中断时间对金属有机化学气相沉积法生长的InGaN / GaN量子点的影响
作者:
H. H. Yao
;
G. S. Huang
;
T. C. Lu
;
C. Y. Chen
;
W. D. Liang
;
H. C. Kuo
;
S. C. Wang
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
self-assembled quantum dots;
InGaN/GaN;
interruption growth;
MOCVD;
AFM;
PL;
19.
Increase of output power and lifetime by improving the heat dissipation of GaN-based laser diodes
机译:
通过改善GaN基激光二极管的散热来增加输出功率和寿命
作者:
Jung-Hye Chae
;
Han-Youl Ryu
;
Kyu-Sang Kim
;
Kyoung-Ho Ha
;
Suhee Chae
;
Hyungkun Kim
;
Sung-Nam Lee
;
Kwang-Ki Choi
;
Taehoon Jang
;
Joong-Kon Son
;
Ho-Sun Baek
;
Youn-Joon Sung
;
Sakong Tan
;
Yeonhee Kim
;
Ok-Hyun Nam
;
Yong-Jo Park
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
blue-violet laser diode;
InGaN;
junction temperature;
lifetime;
20.
Hydrostatic pressure - a unique tool in studies of quantum structures and light emitting devices based on group-Ⅲ nitrides
机译:
静水压-研究基于Ⅲ族氮化物的量子结构和发光器件的独特工具
作者:
T. Suski
;
G. Franssen
;
P. Perlin
;
H. Teisseyre
;
A. Kaminska
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
InGaN;
AlGaN;
high pressure;
indium fluctuations;
built-in electric fields;
21.
High reflectivity and thermal-stability Cr-based Reflectors and n-type Ohmic Contact for GaN-based flip-chip light-emitting diodes
机译:
高反射率和热稳定性Cr基反射器和GaN基倒装芯片发光二极管的n型欧姆接触
作者:
Kuang-Po Hsueh
;
Kuo-Chun Chiang
;
Charles J. Wang
;
Yue-Ming Hsin
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
flip-chip light-emitting diode;
GaN;
FCLED;
Cr;
Al;
22.
GROWTH AND CHARACTERIZATION OF AlGaN/GaN EPITAXIAL LAYERS BY MOCVD ON SIC SUBSTRATES FOR RF DEVICE APPLICATIONS
机译:
射频器件应用SIC基体上的MOCVD生长和表征AlGaN / GaN外延层
作者:
Ashok K. Sood
;
Raj winder Singh
;
Yash R. Puri
;
Frederick W. Clarke
;
Oleg Laboutin
;
Paul M. Deluca
;
Roger E. Welser
;
Jie Deng
;
James C. M. Hwang
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
23.
Very low dislocation density AlN substrates for device applications
机译:
位错密度极低的AlN衬底,用于器件应用
作者:
Sra B. Schujman
;
Leo J. Schowalter
;
Wayne Liu
;
Joseph Smart
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
24.
Ferroelectric PZT/AlGaN/GaN field effect transistors
机译:
铁电体PZT / AlGaN / GaN场效应晶体管
作者:
Youn-Seon Kang
;
Bo Xiao
;
Ya. I. Alivov
;
Qian Fan
;
Jinqiao Xie
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
ferroelectric field effect transistor;
PZT;
AlGaN;
hysteresis;
25.
Surface spatial profiles of defects in GaN
机译:
GaN中缺陷的表面空间分布
作者:
D. K. Johnstone
;
S. Akarca-Biyikli
;
J. Xie
;
Y. Fu
;
C. W. Litton
;
H. Morkoc
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
GaN;
epitaxy;
deep level;
deep level profile;
formation energy;
spontaneous polarization;
26.
TEM studies of laterally overgrown GaN layers grown in polar and non-polar direction
机译:
沿极性和非极性方向生长的横向过度生长的GaN层的TEM研究
作者:
Z. Liliental-Weber
;
D. Zakharov
;
B. Wagner
;
R.F. Davis
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
lateral overgrowth;
polar and non-polar substrates;
structural quality;
transmission electron microscopy;
pendeo epitaxy;
27.
Deep UV AlGaN light emitting diodes grown by gas source molecular beam epitaxy on sapphire and AlGaN/sapphire substrates
机译:
气体源分子束外延在蓝宝石和AlGaN /蓝宝石衬底上生长的深紫外AlGaN发光二极管
作者:
S. Nikishin
;
B. Borisov
;
V. Kuryatkov
;
A. Usikov
;
V. Dmitriev
;
M. Holtz
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
28.
Direction Dependent Homoepitaxial Growth and Bandgap of GaN Nanowires
机译:
GaN纳米线的方向相关同质外延生长和带隙
作者:
Mahendra K Sunkara
;
Hongwei Li
;
Alan H. Chin
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
gallium nitride;
nanowires;
homo-epitaxy;
surface diffusion;
29.
Investigation of band gaps and bowing parameters for zincblende Ⅲ-nitride ternary alloys
机译:
闪锌矿Ⅲ型氮化物三元合金的带隙和弯曲参数的研究
作者:
Bo-Ting Liou
;
Sheng-Horng Yen
;
Yen-Kuang Kuo
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
Hi-nitride semiconductor;
lattice constant;
band gap bowing parameter;
30.
Investigation the strain distribution of GaN/AlN Wurtzite structure material self-organized truncated pyramid shaped quantum dot
机译:
研究GaN / AlN纤锌矿结构材料自组织截顶金字塔形量子点的应变分布
作者:
Yumin Liu
;
Zhongyuan Yu
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
quantum dots;
strain;
GaN/AlN;
low dimension structure;
31.
Microscopic emission properties of nonpolar a-plane GaN grown by HVPE
机译:
HVPE生长的非极性a面GaN的微观发射特性
作者:
T. Paskova
;
R. Kroeger
;
P. P. Paskov
;
S. Figge
;
D. Hommel
;
B. Monemar
;
B. Haskell
;
P. Fini
;
J. S. Speck
;
S. Nakamura
会议名称:
《Gallium Nitride Materials and Devices》
|
2006年
关键词:
a-plane GaN;
emission properties;
stacking faults;
dislocations;
pits;
cracks;
cathodoluminescence;
TEM;
意见反馈
回到顶部
回到首页