RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長－低温成長InN/GaNバッファー層の効果

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• 来源
  《電子情報通信学会技術研究報告. レ-ザ·量子エレクトロニクス. Lasers and Quantum Electronics》 |2002年第117期|共4页
• 作者

  東脇正高; 松井敏明; Masataka Higashiwaki; Toshiaki Matsui;

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• 作者单位

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• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 jpn
• 中图分类 基础理论;
• 关键词

  窒化インジウム; RFプラズマ分子線結晶成長法; 移動度; キャリア濃度; Indium nitride (InN); RF-MBE; Mobility; Carrier density;

  机译：氮化铟;射频等离子体分子束晶体生长方法;迁移率;载流子浓度;氮化铟（InN）;RF-MBE;迁移率;载流子密度;