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ECR-PEMOCVD在GaN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法

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本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在GaN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。3）采用ECR-PEMOCVD（电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积）系统，将反应室抽真空，将基片加热至200～600℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气。

著录项

公开/公告号CN103361629B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-01

原文格式PDF
申请/专利权人沈阳工程学院;
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申请/专利号CN201310299023.2
发明设计人张东;王存旭;宋世巍;王健;王刚;李昱材;
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申请日2013-07-17
分类号C23C16/34(20060101);C23C16/511(20060101);C23C16/27(20060101);
代理机构21107 沈阳亚泰专利商标代理有限公司;
代理人史旭泰
地址 110136 辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号
入库时间 2022-08-23 09:40:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-03-22

专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/34 登记生效日:20170303 变更前: 变更后: 申请日:20130717

专利申请权、专利权的转移
2016-06-01

授权

授权
2016-04-27

著录事项变更 IPC(主分类):C23C 16/34 变更前: 变更后: 申请日:20130717

著录事项变更
2013-11-20

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20130717

实质审查的生效
2013-10-23

公开

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