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电子材料快报

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2000
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12期 11期 10期 9期 8期 7期 6期 3期 2期 1期
1995
12期 11期 10期 9期 8期 7期 6期 5期 4期 3期 2期 1期

电子材料快报 >2000年第3期

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共4384条结果

1.AlGaN／GaN双异质激光器结构的制备和特性
- 毕叔和;
- 《电子材料快报》 | 1999年第7期
2.ZnSe外延层中氮受主束缚激子的应力相关Zeeman效应
- 徐永宽;
- 《电子材料快报》 | 1999年第8期
3.GaAs衬底上CdTe外延膜的HWE生长
- 徐永宽;
- 《电子材料快报》 | 1999年第8期
4.多孔SiC
- 庶民;
- 《电子材料快报》 | 1999年第8期
5.GaAs体单晶生长概述
- 壹彬;
- 《电子材料快报》 | 1999年第8期
6.布里奇曼仪生长Ce：（Lu1—xYx）AlO3晶体
- 岫林;
- 《电子材料快报》 | 1999年第8期
7.红外器件用InSb体单晶
- 毕叔和;
- 《电子材料快报》 | 1999年第8期
8.YAlO3单晶的生长与特性
- 重木;
- 《电子材料快报》 | 1999年第8期
9.LiNbO3：Yb3＋晶体的光学表征
- 徐永宽;
- 《电子材料快报》 | 1999年第8期
10.用于Ⅲ—Ⅴ族半导体多晶片生长的新型反应器
- 苏宇欢;
- 《电子材料快报》 | 1999年第8期
11.GaAs体单晶生长概述
- 壹彬;
- 《电子材料快报》 | 1999年第9期
12.在氢钝化Si（100）上C60膜的损伤
- 张忱;
- 《电子材料快报》 | 1999年第9期
- 硅;
- 碳;
- 氢;
- 钝化;
- 膜;
13.醇盐溶液制备的SrBi2Ta2O9铁电薄膜的特性表征
- 徐永宽;
- 《电子材料快报》 | 1999年第9期
14.SiGe／Si中等离子体分散效应及其应用
- 苏宇欢;
- 《电子材料快报》 | 1999年第9期
15.Si／Si0.64Ge0.36／Si MOSFET沟道技术
- 苏宇欢;
- 《电子材料快报》 | 1999年第9期
- 硅;
- 锗化硅;
- MOSFET;
- 沟道技术;
16.W（110）表面上的WSi2单晶生长
- 义仡;
- 《电子材料快报》 | 1999年第9期
- 钨;
- 硅化钨;
- 单晶;
- 生长;
17.在Ⅲ族氮化物生长中氢的作用
- 未休;
- 《电子材料快报》 | 1999年第9期
18.传输CO2激光辐射的氧化铜空心波导
- 云长;
- 《电子材料快报》 | 1999年第9期
19.YBa2Cu3O7—x薄膜中表面电阻与微缺陷的相关性
- 未休;
- 《电子材料快报》 | 1999年第9期
20.高能量密度物质一氮—5（N5）研究取得实验室突破
- 严如岳;
- 《电子材料快报》 | 1999年第9期
21.FeRAM用强介电体材料
- 张忱;
- 《电子材料快报》 | 1999年第10期
22.富Ge GeSi体单晶中浅受主
- 苏宇欢;
- 《电子材料快报》 | 1999年第10期
- 锗;
- 硅化锗;
- 单晶;
23.多模和单模硫化物玻璃光纤
- 毕叔和;
- 《电子材料快报》 | 1999年第10期
24.CZ硅中氧沉淀与P—N结漏电流间的相互关系
- 徐永宽;
- 《电子材料快报》 | 1999年第10期
- CZ;
- 硅;
- 氧沉淀;
- PN结;
- 漏电流;
25.在驰豫Si1—xGex上生长应力Si NMOSFETs
- 苏宇欢;
- 《电子材料快报》 | 1999年第10期
- 锗化硅;
- 硅;
- NMOSFET;
26.GaAs体单晶生长概述
- 壹彬;
- 《电子材料快报》 | 1999年第10期
27.CZ法生长GeSi合金晶体
- 岫林;
- 《电子材料快报》 | 1999年第10期
- CZ法;
- 生长;
- 硅化锗;
- 合金;
- 晶体;
28.Cr4＋,Yb3＋：YAG晶体生长及其吸收光谱性能
- 毕叔和;
- 《电子材料快报》 | 1999年第10期
29.特大直径硅单晶的性质研究
- 岫林;
- 《电子材料快报》 | 1999年第10期
- 硅;
- 单晶;
- 性质;
30.表面再构对Ⅲ—Ⅴ族半导体界面结构的影响
- 徐永宽;
- 《电子材料快报》 | 1999年第10期

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曾用名：
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地区：CN
语言：中文
热门主题：半导体硅化合物半导体 GAAS 半导体材料单晶砷化镓氮化镓单晶生长 GAN
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