锑化铟

摘要： 采用原子层沉积技术制备Al_(2)O_(3)薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al_(2)O_(3)介电层引入了表面固定正电荷,200°C和300°C退火处理可有效减小慢界面态密度,利用Terman法得到了禁带界面态密度分布,表明200°C退火可使禁带中央和导带附近的界面态密度显著减小。同时文章对C-V曲线滞回的原因进行了分析,认为Al_(2)O_(3)介电层中离界面较近的负体陷阱电荷是主要影响因素。实验证明了200°C~300°C的退火处理可有效改善InSb/Al_(2)O_(3)界面质量。

摘要： 锑化铟(InSb)是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,在3~5μm波段具有很高的量子效率,采用Czochralski直拉法技术完成大直径锑化铟晶体生长,获得了位错密度较低且沿晶体分布较均匀的4英寸InSb晶体。InSb晶片位错密度小于80 cm^(-2),77 K的霍尔测量表明载流子浓度和迁移率分布均匀,锑化铟晶片适用于新一代高性能超大规模阵列焦平面探测器。

摘要： 林兰英,1928年2月7日出生于福建福田,是半导体材料科学家,中国科学院院士,中国科学院半导体研究所研究员。在锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶和高纯锑化铟单晶和制备及性质等研究方面获得成果,其中砷化镓气相和液相外延单晶的纯度及电子迁移率,均曾达到国际先进水平。

摘要： 经传统的背面减薄工艺处理后,锑化铟焦平面器件的表面上经常会有细微划道;采用传统的表面清洗方式时也容易对器件表面造成划道,导致工艺重复性差.因此,当器件经过背面减薄后,利用腐蚀液去除划道,并采用基于石油醚和无水乙醇的非接触式清洗方法,有效降低了器件表面产生划道的几率,同时避免了由于表面腐蚀速率不均匀导致测试时部分区域电平较高、在测试图像上出现亮斑等情况;另外还提高了工艺的重复性,使锑化铟器件的红外成像均匀且没有划道,从而提高了该器件的成品率.

摘要： 锑化铟焦平面探测器是红外成像系统的重要组成部分,对红外成像的成本和性能都有重要影响.锑化铟晶片的质量及均匀性决定了探测器的性能.通过霍尔效应测试、低温探针法以及微波光电导衰退法研究了锑化铟晶片的电学性能均匀性.结果 表明,所制备的锑化铟晶片的载流子浓度和电子迁移率的面分布较均匀,但低温电阻率以及少子寿命的分布呈现较小的非均匀性变化,这主要与锑化铟生长过程中的杂质分凝有关.

摘要： 设计了一种专门用于锑化铟红外探测器器件工艺中钝化前的脱水处理工艺技术.包含脱水、干燥和表面处理等一系列的工艺步骤,可作为基于锑化铟材料的焦平面红外探测器器件中钝化前的标准化处理工艺.针对脱水工艺设计中遇到的问题对操作方式进行了重新设计和改进,避免了工艺引入杂质和离子对器件性能造成影响.改进后的工艺在脱水处理后采用高温烘干与吹扫相结合的方式对芯片进行干燥,并加入预处理工艺对脱水后钝化前的芯片进行表面处理,从而使锑化铟材料红外器件工艺适应各种环境湿度的工艺条件.

摘要： 本文介绍了设计的一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体开关.此种液体开关是利用液体流动时的冲击力推动置于液体管道中的涡轮转动.该涡轮由磁钢材料制作,当转动的涡轮叶片靠近锑化铟—铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化,进而产生交变信号.经过对信号的处理,最后送入单片机进行计数,当脉冲频率低于某一设定值或高于某一设定值时,通过单片机输出高电平,起到报警的目的.本流量开关是基于四分管设计,其监测的范围可在流量为1.5l/min与8.4l/min之间任意选取.

摘要： 本文简要报道昆明物理研究所锑化铟体晶材料、弹用锑化铟红外探测器组件和320×256锑化铟焦平面器件的最新进展.

摘要： 本文采用低能团簇束流淀积(LECBD)装置,在不同温度的衬底上,制备得到不同形貌的锑化铟团簇颗粒,如三角形颗粒、六边形薄片和长方体颗粒等.形貌的差别认为是由锑化铟各向异性生长所致.

摘要： 本文介绍了锑化铟磁阻型光电传感器的结构及工作原理,并对锑化铟磁阻型光电传感器的输出特性进行了研究.结果表明:磁阻型光电传感器的中心频率为50Hz,通频带为46Hz～55Hz,即通频带宽度为9Hz,经计算,可得其品质因数Q为5.56,若按可调式高品质有源滤波放大电路设计理论获得的计算值,该滤波电路的中心频率为50Hz,品质因数为8.01,带宽为6.24Hz,故理论值与实际所测的频率特性有些误差.

摘要： 介绍了锑化铟磁阻型光电传感器的结构及工作原理,并对锑化铟磁阻型光电传感器的输出特性进行了研究;随着间隙由0mm增至5mm,放大后的光电传感器输出电压峰峰值由3V多急剧下降至500mV以下;若使输入光脉冲电压的频率保持50Hz不变,改变红外发光二极管输入光脉冲电压(变化范围Vpp为3.8～5.0V),测量磁阻型光电传感器输出电压峰值Vpp随输入光脉冲电压的增加按指数规律增加;磁阻型光电传感器的中心频率为50Hz,通频带为46～55Hz,即通频带宽度为9Hz,可得其品质因数Q为5.56。

摘要： 自从超材料吸收器的概念从2008年在《Physical Review Letters》上报道以来,其优越的吸收特性和广阔的应用前景得到了广大科研工作者的注意.但是由于一些条件的调制,使得红外和太赫兹频段的吸收性都固定在特定频段.为了满足在多频段可调谐的器件,本文研究了锑化铟在太赫兹频段的特性.

摘要： 本文介绍了锑化铟表面吸附物的控制技术，从化学机械抛光和清洗两个过程来控制锑化铟表面的吸附物。通过大量实验提出了优化方案，确定了碱性条件下的最佳CMP工艺参数，获得了在优化的pH值、压力、温度、浓度、转速及流量等条件下的最佳抛光效果，得到了较好的表面状态和较低的表面粗糙度。

摘要： 制成一种半导体锑化铟-铟共晶型薄膜材料,并用这种材料制成三端式磁阻元件.把这种磁阻元件置于恒定磁场中,在波长λ=660nm光脉冲照射下,其中间端点会输出随光脉冲的变化而变化的脉冲电信号.用此元件已制成了新型的磁阻式光电传感器.

摘要： InSb材料是波长在3-5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料之一.本文以本单位内部生产的InSb(100）衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧机制、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3nm(10μm×10μm）,FWHM≈7arcsec;采用相同的生长温度和V/III束流比,并且采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延本征非掺杂的InSb层,获得了较高质量的InSb本征异质外延样品,2μm样品的室温电子迁移率高达6.06×104cm2V-1s-1,FWHM<190arcsec.InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺铝InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据.

摘要： InSb材料是波长在3-5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料之一.本文以本单位内部生产的InSb(100）衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧机制、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3nm(10μm×10μm）,FWHM≈7arcsec;采用相同的生长温度和V/III束流比,并且采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延本征非掺杂的InSb层,获得了较高质量的InSb本征异质外延样品,2μm样品的室温电子迁移率高达6.06×104cm2V-1s-1,FWHM<190arcsec.InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺铝InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据.

摘要： 本发明提供一种铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法，所述铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器结构，包括：一GaSb衬底；一第一GaSb缓冲层，其生长在GaSb衬底上；一InGaAsSb PIN型短波器件，其生长在第一GaSb缓冲层上；一第二GaSb缓冲层，其生长在InGaAsSb PIN型短波器件上；一InAsSb NIP型中波器件，其生长在第二GaSb缓冲层上。本发明可以实现对红外中波波段及短波波段的信号探测。

摘要： 本发明属于纳米功能材料技术领域，具体为一种透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法。本发明由高温导电粘结胶制备、超晶格体材料透射样品和原位电极制备三部分组成。砷化铟/锑化镓化合物超晶格半导体通过导电胶对粘、机械减薄等过程，制备出适合透射电镜表征测试的样品，之后利用绝缘漆包线使之与四电极透射电镜样品台连接，即可开展透射电镜原位加电测试。砷化铟/锑化镓超晶格半导体作为经典实用的红外光电探测器件，研究其微观结构与载流子性质之间的物理机理和加电工作状态下载流子输运机理有助于红外探测器、量子级联激光器等光电器件的设计。

摘要： 本发明的目的是针对现有技术由于铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格的晶内界面多，使得材料的生长难度提高，材料的生长成本高、生产设备寿命低的不足，提供一种提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法及铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格材料及其应用，这种提高铟砷/镓锑超晶格红外探测器材料截止波长的方法，通过增加所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格单胞中InSb层的应力，改变超晶格材料的能带结构，增加所述铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格红外探测器材料截止波长，采用本发明方法，可以改变能带结构增加超晶格红外探测材料的截止波长，得到的铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格材料制成的器件具有更高的探测率，减少了材料界面数量，减少了层级，且进一步提高了铟砷/镓锑Ⅱ类超晶格材料的探测波长和探测率。

摘要： 本发明提供一种铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法，所述铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器结构，包括：一GaSb衬底；一第一GaSb缓冲层，其生长在GaSb衬底上；一InGaAsSb PIN型短波器件，其生长在第一GaSb缓冲层上；一第二GaSb缓冲层，其生长在InGaAsSb PIN型短波器件上；一InAsSb NIP型中波器件，其生长在第二GaSb缓冲层上。本发明可以实现对红外中波波段及短波波段的信号探测。

摘要： 本发明一种磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管，其中包括：一衬底；该衬底上生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的N型子收集区；该子收集区上是轻掺杂的N型磷化铟收集区；该收集区生长有一层与磷化铟晶格匹配的重掺杂的P型作为基区，基区上面是磷化铟发射区；最上面一层是作欧姆接触层。

摘要： 本发明提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。该材料结构所获得量子点的室温光致发光达到1.3微米以上，半峰宽仅为20毫电子伏特，量子点具有良好的尺寸均匀性。此外，本发明也公开了一种外延生长1.3微米波长的均匀量子点材料结构的制造方法。

摘要： 本发明属于纳米功能材料技术领域，具体为一种透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法。本发明由高温导电粘结胶制备、超晶格体材料透射样品和原位电极制备三部分组成。砷化铟/锑化镓化合物超晶格半导体通过导电胶对粘、机械减薄等过程，制备出适合透射电镜表征测试的样品，之后利用绝缘漆包线使之与四电极透射电镜样品台连接，即可开展透射电镜原位加电测试。砷化铟/锑化镓超晶格半导体作为经典实用的红外光电探测器件，研究其微观结构与载流子性质之间的物理机理和加电工作状态下载流子输运机理有助于红外探测器、量子级联激光器等光电器件的设计。

摘要： 一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层；步骤4：在锑层上依次生长多个周期的量子点结构、本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p+型Al

摘要： 碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料，涉及一类新型红外材料。其化合物以HgTe、CdTe和InSb为原料，采用真空中高温固相合成法。其单晶生长温度为700～850°C，控制坩埚下降速度为5～30mm/h。其薄膜材料采用分子束外延方法制备。本类材料是一种带隙在较宽范围内可调整，结构相对稳定，组分均匀，且制备工艺相对简单，低汞含量而响应波长在中长波段的且性能可与MCT红外半导体材料相媲美的新型红外材料。

摘要： 本发明公开了一种锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉，其可降低锑化铟晶体应力，该方法基于晶体生长炉实现，晶体生长炉包括炉体、设置于炉体内的坩埚、位于坩埚上方的热屏，坩埚内盛装有锑化铟多晶原料，热屏内部设置有电磁感应加热线圈，电磁感应加热线圈套装于锑化铟晶体的外周且与锑化铟晶体的局部间隔对应；使用晶体生长炉并基于切克劳斯基法进行锑化铟晶体生长，锑化铟晶体生长时依次穿过热屏的屏口、电磁感应加热线圈，通过电磁感应加热线圈对锑化铟晶体进行周期性加热。