首页>中文会议>工业技术>无线电电子学与电信技术>第十三届全国红外科学技术交流会

第十三届全国红外科学技术交流会

召开年：1998
召开地：北京
出版时间： 2000-01-01

主办单位：中国科学院上海技术物理研究所

会议文集：第十三届全国红外科学技术交流会论文集

会议论文

热门论文

全部论文

最新会议

更多>>

全选（0）

1.MOVPE有CdTe衬底的损伤层研究
- 宋炳文;杨玉林;刘朝旺;王静宇
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：对用于有机金属汽相外延(MOVPE)生长的<211>方向的碲化镉(CdTe)衬底进行多次抛光、腐蚀，在相同的测量条件下，测其X射线双晶衍射回摆曲线的全半高宽度(FWHM)，研究CdTe衬底的表面损伤。
2.外延HgCdTe薄膜用CdZnTe衬底表面的X射线双晶衍射分析
- 刘朝旺;雷春红;莫玉东;何永成;吴刚;黄晖
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文用测量材料双晶回摆曲线的方法详细研究了外延HgCdTe（简称MCT）薄膜所用CdZnTe（简称CZT）衬底的表面结构情况。指出对CZT的切割、粗研所引起的表面损伤在用精研及化学腐蚀的方法去除之前，对表面结构完整性的主要影响来自损伤层未完全去除；当损伤层之后，对表面结构完整性的主要影响来自化学腐蚀对衬底的不均匀取向腐蚀。所以衬底的化学腐蚀时间的正确使用一达到恰好去除损伤层，而又不再进行之后的不均匀取向腐蚀一是制备出最有利于外延生长用CZT衬底表面结构的重要的因素。
3.用红外透射法确定任意厚度下碲镉汞晶体的组分
- 杨彦
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文选用组分(X=0.170-0.300)均匀碲镉汞晶片作减薄实验，即将样品的厚度从800μm逐次减去处100μm后，在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱。
- 碲镉汞晶体;
4.LPEHg1-xCdxTe薄膜生长工艺的研究
- 雷春红
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文介绍昆明物理研究所开管、水平滑块、富Tc源方式下，生长Hg1-xCdxTe(MCT)薄膜的液相外延(LPE)工艺技术，对外延膜的一些特性进行了分析。
- 薄膜生长;
5.用红外透射法确定任意厚度下磅镉汞晶体的组分
- 李玉德;刘新进;廖仕坤;杨彦
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文选用组分(X=0.170-0.300)均匀碲镉汞晶片作减薄实验，即将样品的厚度从800μm逐次减去处100μm后，在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱。取透射比为5％对应的波长值，结合理论计算，得到了用红外透射法测量800μm范围内任意厚度下碲镉汞晶体组分的经验公式。然后，选用任一碲镉汞晶片，将其厚度逐次减薄后，均测量透射比为5％对应的波长值，用此经验公式计算组分。结果表明；同一碲镉汞晶片，在不同厚度时，用该文的经验公式得到的组分值均相同。还将组分结果同Higgins的结果进行了比较，两者
6.64×64 InSb凝视焦平面探测器技术研究
- 赵建中
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文根据近两年来在64×64 InSb凝视焦平面探测器研究工作中的一些问题及进展对InSb凝视焦平面探测器技术所涉及的几项关键工艺进行了一些分析，并对如何解决这些问题提出了一些认识。最后介绍了目前64×64 InSb凝视焦平面探测器的研究进展。
7.64×64元InSb光伏红外探测器列阵性能表征
- 汪辉;杨华;王正官;陆蔚;陈伯良
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：用改进的恒压微探针方法设备64×64元InSb凝视红外焦平面器件用光伏探测器列阵芯片的性能进行了统计抽样检测和均匀性评价，统计检测项目有像元零偏压电阻及其分布，像元黑体响应率及其分布，动态电阻偏压依赖关系，以及像元电学串音。结果表明冷探针统计抽样检测可作为评价二维InSb探测器列阵芯片性能的有效手段，其检测结果可作为挑选焦平面器件互连用芯片的重要依据。
- 列阵性能表征;
- 红外红探测器;
8.直接注入方式64×64元红外焦平面的硅读出电路研制
- 唐红兰;丁瑞军;董亮初;张学敏;梁平治;江美玲
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：用于焦平面的读出电路是新研制的ISM64×64—2型电路，它是采用自积分读出模式工作的ISM64×64—1型电路的改进型。ISM64×64—2型电路采用直接注入读出模式工作。用这种方式工作的64×64元红外焦平面硅读出电路具有红外探测器可以在较低的偏压下工作，动态范围大，输出线性好的优点。
9.128×1线列碲镉汞长波红外焦平面硅读出电路的研制
- 张学敏;丁瑞军;梁平治;倪云芝
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：研制了适用于128×1线列碲镉汞长波红外焦平面器件的硅读出电路。电路由CMOS移位寄存器进行选址，探测器的信号读出采用CTIA方式。采用这种读出方式，可以使探测器工作在零偏置状态，有利于降低器件的噪声。运算放大器为CMOS集成运放，128个集成运放做在同一个电路里。为提高电路的读出速度，整个电路分八路进行输出，与探测器之间由铟柱进行互联。
10.运算放大器积分模式在红外焦平面读出电路中的应用
- 冯晓梅;倪云芝;江美玲;梁平治
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：根据一种短波红外碲镉线列焦平面的要求，工作人员研制了一种采用运放积分模式的读出电路，型号为MCT-22-5
11.64×64红外焦平面用读出电路测试分析
- 韩建忠;唐剑;方龙江;喻松林;严峻
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：读出电路是红外焦平面器件的重要组成部分之一。该文介绍了64×64凝视型碲镉汞红外焦平面的硅CMOS读出电路的测试分析情况。首先介绍该读出电路的电路功能及设计特点，叙述了工作方式及特点。对该读出电路的输出性能，噪声，功率，阈值电压及低温性能作了测试与讨论。
12.红外焦平面硅CMOS信号处理电路测试技术
- 周劲松;孙明峰
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文详细介绍利用DIC-8032大型测试系统对红外焦平面信号电路的测试方法，测试码点的生成，电路的故障诊断和版图验证及测试程度的开发性。
13.Hg<,1-x>Cd<,x>Te/GaAs光伏中波红外探测器的变温特性研究
- 苏现军;吴伟;孙维国;鲁正雄;彭震宇
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：为研究能在较高温度(140-200)工作的光伏红外探测器，在GaAs衬底上MBE生长的Hg<,1-x>CdTe(x=0.31)p型材料上制作了光伏器件，研究了其在77K—220K温度间的变温特性，并与InSb器件进行了比较。
14.红外焦平面参数测试系统
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：红外焦平面由单元探测器，经多元发展而来，探测器的元件数大大增加，并带有读出电路，具有信号获取与信号读出双重功能，其特性的描述增加了许多新的内容，如何评价焦平面器件的性能是焦平面器件研制的关键技术之一。红外焦平面由红外敏感列阵，大规模SI-CMOS信号读出集成电路组成，信号串行输出，测试系统必须提供焦平面工作需要的具有严格逻辑关系的多路时序脉冲和直流偏置、高速、低噪声、大容量的信号与数据处理功能，测试系统涉及半导体光电器件、自动控制、低温致冷、计算机等多学科，要求相当高。
- 参数测试;
- 红外焦平面;
15.HgCdTe焦平面列阵光电子物理研究进展
- 褚君浩
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
- 光电子物理;
- 红外焦平面列阵;
16.红外焦平面技术进展及发展对策探讨
- 韩建忠
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
17.HgCdTe分子束外延材料电学性能
- 杜;王善力;陈新强;方维政
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文报道了分子束外延(MBE)HgCdTe薄膜材料的电学性能的最新结果，从材料电学性能的均匀性、时间稳定性及热处理的可调性的角度分析了MBE技术的制备红外焦平面列阵器件(IRFPAs)上所具有的独特优势和潜力。分析表明：P型热处理MBE-HgCdTe材料纵向电学性质均匀且不随时间推移而变化，这些品质是制备红外焦平面列阵器件必须的。
18.LPE Hg1-xCdxTe薄膜生长工艺的研究
- 董先庆;黄晖;莫玉东;欧明娣;陈建才;雷春红
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文介绍昆明物理研究所开管、水平滑块、富Tc源方式下，生长 Hg1-xCdxTe(MCT)薄膜的液相外延(LPE)工艺技术，对外延膜的一些特性进行了分析。相外延，碲锅汞。
- 薄膜生长;
19.MCT液相外延薄膜的低温热处理研究
- 雷春红;陈建才
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文主要介绍对用LPE法生长的MCT薄膜的低温热处理方法，并对LPE生长的MCT原生片和低温热处理后的外延片电参数、组份和形貌进行了对比分析。
20.双相复合生长大直径(Φ40)碲镉汞晶体
- 王金义;刘克岳
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），详细阐述了该方法的生长机理和生长过程：分析了该方法生长过程中影响晶体生长的因素（生长温度、温度梯度、生长速率、固液界面等）：总结了该方法晶体生长的优点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善晶体生长的措施：通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施，获得了目前国内外报导直径最大、大单晶面积、径向组份均匀、光电性能良好、厚的晶片透过率的碲镉汞晶体。
21.固态再结晶法生长碲镉汞晶体的缺陷研究
- 王跃;宋炳文;韩庆林;李全保;王跃
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文简单介绍了利用金相显微镜、扫描电镜和同步辐射等方法，在用固态再结晶技术生长的原生碲镉汞晶体中所观察到的缺陷，简单讨论了这些缺陷的成因及其与生长过程的关系，并认为提高原材料统纯度、合适的化学组分配比及改善淬火工艺，可以减少缺陷，改善碲镉汞晶体的质量。
22.垂直布里奇曼法生长CdTe和CdZnTe衬底晶体中的沉积相或包裹体及其检测
- 陈华;岳全龄;秦娟;董先庆;莫玉东
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：介绍了垂直布里奇曼方法生长的CdTe和CdZnTe衬底晶体中沉积相对衬底质量和外延碲镉汞薄膜质量的影响、沉积相或包裹体形成的原因、控制原理以及减少沉积相密度和尺寸的方法；给出了不同CdTe和CdZnTe晶体样品中沉积相的红外显微反射象、光学显微象和X射线衍射反射扫描象，并用扫描电子探针证实了这些沉积相大多数是碲的沉积相，同时给出了这些沉积相的密度的尺寸。
23.碲镉汞寿命测量样品制备工艺过程的优化
- 薛南屏;姚立斌
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文试图从减小样品表面复合速度入手来优化样品制备工艺过程。实验结果表明，适当选取的工艺过程可以大大减小表面复合对测量结果的影响。
24.2×64元双色红外焦平面探测器的研究
- 张艳冰
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文报导了研制的2×64元双色红外焦平面探测器的结构特点，工艺研究重点以及测量方法和最终性能。对存在的主要问题进行了探讨，指出了改进方向。
25.128元长波碲镉汞红外焦平面组件
- 张建平;诸子玲;韩福忠;耿小敏;张土山;喻松林;东海杰;罗元海
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文主要叙述工作在7.5μm-10.7μm波段范围的红外焦平面组件，它是由64×2双排交错排列的HgCdTe芯片，读出电路、微型杜瓦、斯特林制冷机、驱动电路组成，HgCdTe芯片与COMS读出电路——对应连接，安装在焦平面微型杜瓦内，在红外辐照下，器件在杜瓦内便可实现光电转换和信号处理，以两路视频信号输出，焦平面器件探测率K<'*,λ>≥7.5×10<'10>cmHz<'-1/2>W<'-1>，电压响应率Rv(λ)≥5A/W，它是一种实用化组件。器件的工作寿命可达5年。
26.64/128元线列混成InSb焦面探测器
- 王巍;黄水安
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：研究人员制造的64/128元线列混成InSb焦面探测器是光伏型的，由光伏型线列Sb芯片与Si-CMOS多路传输器混成，集成在一个微型玻璃杜瓦中，探测器的光电信号输出有两路，可以进行相关双取样处理。64元器件的光敏面为70×70μm<'2>，128元器件的光敏面为50×50μ m<'2>；探测器的视埸可以按用途确定；工作波段为3.7～4.8μm ；采用J-T效应制冷器，其D<'*>bb·1.5×10<'10>cm·Hz<'1/2>/W，响应率不均匀度≤±10％，读出速率≥1MHz。
27.混成红外焦平面铟柱制备及应用
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文报导一种制备In柱的新方法及初步的实验结果，并就其制备原理、设计原则、工艺难度进行了分析讨论。认为用该技术制备的In柱可满足混成红外焦平面倒装互连的要求。
28.混合式红外焦平面阵列互连铟凸点技术
- 李建林
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文讨论了金属铟柱高度的计算方法，认为矩形截面的铟柱抗弯曲的能力比圆形截面的铟柱更强，指出器件制造工艺误差的影响，严格控制健合的压力和键合后的铟柱高度是获得100％互连成品率的关键。并给出一种利用表面能原理得到较高金属的方法。
29.混合红外焦平面器件倒装焊芯片非接触找平方法
- 孙娟
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文介绍了非接触光学找平的基本原理和在倒装焊机中的实际应用，分析计算了找平误差，讨论了这种方法的优缺点。
30.低成本非制冷红外焦平面探测器
- 房红兵;周士源;皮德富
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文叙述低成本非制冷的硅微辐射热计焦平面阵列长波(8～12m)红个探测器的结构、性能和应用。低成本、高性能、体积小、重量轻、低维护是其特点。可广泛地应用于军事和民用。
31.红外焦平面阵列特性参数测试技术规范编制说明
- 梁平治;陈世军;唐红兰;丁瑞军;董亮初
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
32.昆明物理研究所HgCdTe光导探测器的现状及发展
- 蔡毅
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：“七五”、“八五”期间，昆明物理研究所成功的研制和发展了HgCdTe SPRITE探测器件和多元短线列光导HgCdTe 探测器组件，该文简要报导了这两种沉没器组件的现状和今后的发展。
33.砷注入碲镉汞P-on-N结特性研究
- 陆慧庆;胡晓宁;李向阳;赵军
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：工作人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了一些研究。目前，对于λ<,c>=5.2μm器件，R<,0>A值达到68Ω-cm<'2>，黑体探测率D<'.,bb>(500K)可达2×10<'10>cm-Hz<'1/2>/W；对于λ<,c>=14.5μm的器件，R<,0>A值达到0.2Ω-cm<'2>，黑体探测率D<'.,bb>(500K)可达1×10<'10>cm-Hz<'1/2>/W。
34.质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究
- 陆慧庆;赵军;李向阳;胡新文
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：同质子辐照P型碲镉汞材料的方法成功地制备了n-on-p型短波与中波光伏器件，其中中波器件的载止波长为6.5mm，黑体探测率达2.3×10<'10>cmHz<'0.5>W<'-1>，量子效率为28％，其R<,0>A在175Ω·cm。对辐照前后材料和器件的载止波长变化作出了初步解释。C-V特性研究发现其为突变结，其噪声频谱表明在低频(<300Hz)时主要时1/f噪声限制，在中频和高频时主要是白噪声限制。短波器件和电流电压特性表明器件在室温可承受15V的反向偏压。
35.高Tc超导4×4元面阵研制
- 诸君浩;陈惠秀;刘兴海;石保安;李标;刘心田
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：选用高Tc超导薄膜YBa<,3>Cu<,3>O<,7-8>引用微加工技术，制出了4×4元面阵红外探测器，超导膜用湿法工艺光刻成折线结构，总红长约2000μm，可提高敏感元工作电阻率。对于4×4元列阵。16个敏感元公用电极的安排是小关键。在工作人员的设计中。16个敏感元是同时读取信号，其探测率D<'.>1.2×10<'A>-7.2×10<'3cm·Hz<'1/2>·W<'-1>之间，工作温度为88K。
36.高灵敏度室温锑化铟红外探测器研制
- 付安英;陈仁厚;荡国平;薛三旺
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文通过对室温工作的光导型锑化铟红个探测器的设计与工艺研究，在理论分析和工艺实验的基础上优选制造灵敏元的材料；精心设计探测器的光学系统；改进制造工艺，实现对灵敏元精密腐蚀的有效控制等。研制成功电压响应率达10<'10>.W<'-1>左右，光谱响应范围2～8μm，响应时间≤2×10<'-8>秒的高性能、高稳定性、高可靠器件。
37.HgCdTe分子束外延衬底温度的辐射研究
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：HgCdTe MBE生长的温度稳定性对于MCT的晶体质量起着重要的作用。研究结果表明；对于HgCdTe材料，组分不同使得材料的吸收系数发生变化，材料的发射率发生变化，因而表面辐射量不同：通过计算2-2.6um波段的辐射量变化发现，不同组分的HgCdTe材料，测温仪等到的温度读数经过几个振荡后趋于稳定，达到稳定所需要的时间随HgCdTe的组分不同而不同，小组分HgCdTe的温度读数振荡范围较小，周期稍长一些，达到稳定温度的时间比较短。工作人员利用红外辐射测温的方法获得样口表面温度的波动较小（小于±1℃），完
38.HgCdTe超重力晶体生长系统
- 李全葆
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文通过详细的理论推导，求得离心机转速随剩余熔体长度的变化规律。
39.测量半导体中少子漂移迁移率和扩散长度的新方法
- 方家熊;李言谨
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：根据少子衰退的加速度分布，提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法。实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度。
40.HgCdTe/CdTe界面组分互扩散研究
- 于梅芳;王善力;方维政;陈新强;杨建荣;巫艳
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文尝试椭偏测量的方法，通过对HgCdTe/CdTe/GaAs样品进行剥层腐蚀，获得样品在不同厚度下的椭偏光谱。对测得的光谱进行组分分析，得到HgCdTe/CdTe样品的组分在不同厚度下的分布。并根据上述结果对Zanio的提出扩散系数公式(1)进行修正，最终得到490℃的组分互扩散系数。D(x)=4×10<'-3>×10<-3x>
41.用FTIR测量碲镉汞晶片组份X值的误差分析
- P.维克多;吴人齐
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文九个碲镉汞标准组份样品（组份分别从0.195～0.230）进行不同条件的测量。根据统计分布理论分别计算出了它们的平均偏差和均方根偏差。并计算出用FTIR测量碲镉汞晶片组份X值的总误差δ∑=11.05cm<'-1>。
42.64×64InSb凝视焦平面探测器技术研究
- 赵建中
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文根据近两年来在64×64InSb凝视焦平面探测器研究工作中的一些问题及进展对InSb凝视焦平面探测器技术所涉及的几项关键工艺进行了一些分析，并对如何解决这些问题提出了一些认识。
- 焦平面探测器;
43.混合红外焦平面铟柱制备及应用
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文报导一种制备In柱的新方法及初步的实验结果，并就其制备原理、设计原则、工艺难度进行了分析讨论。
- 红外焦平面;