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HgCdTe分子束外延衬底温度的辐射研究

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HgCdTe MBE生长的温度稳定性对于MCT的晶体质量起着重要的作用。研究结果表明；对于HgCdTe材料，组分不同使得材料的吸收系数发生变化，材料的发射率发生变化，因而表面辐射量不同：通过计算2-2.6um波段的辐射量变化发现，不同组分的HgCdTe材料，测温仪等到的温度读数经过几个振荡后趋于稳定，达到稳定所需要的时间随HgCdTe的组分不同而不同，小组分HgCdTe的温度读数振荡范围较小，周期稍长一些，达到稳定温度的时间比较短。工作人员利用红外辐射测温的方法获得样口表面温度的波动较小（小于±1℃），完

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来源
《第十三届全国红外科学技术交流会》|1998年|P.11-13|共3页
会议地点北京
作者

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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所;

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关键词
辐射; 衬底温度; 分子束外延; HgCdTe;

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