氧化物半导体

摘要： 通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道,日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管,可用来生产高密度数据存储器件。此外,通过使用反铁电体代替铁电体,他们发现擦除数据只需要很小的净电荷,从而提高了写入的效率。发表在2022年IEEE硅纳米电子研讨会上的该项成果,将催生新的更小、更环保的数据存储器。

摘要： 氧化物半导体由于具有相对较高的载流子迁移率、良好的均匀性和光学透明度、较低的工艺温度、低成本及可在柔性衬底上制作等特点,近十年来引起了人们的广泛关注。基于氧化物有源层的柔性薄膜晶体管(TFT)已经在下一代显示器(AMOLED,Micro LED)、物联网技术、柔性传感器、可穿戴领域及微型植入系统等领域中获得应用。综述了氧化物TFT的器件结构,介绍了柔性氧化物TFT的研究进展,包括在不同种类的柔性衬底PET、PEN、PI上制作TFT的研究现状,并对氧化物TFT的未来发展进行了总结和展望。

摘要： 紫外探测技术是继红外探测与激光探测技术之后的又一项军民两用探测技术,有广阔的应用前景。真空光电倍增管和Si基光电二极管是常见的商品化紫外探测器,但是真空光电倍增管易受高温和电磁辐射干扰,需要在高压下工作;而Si基光电二极管需要昂贵的滤光片。宽禁带半导体紫外探测器克服了上述两种器件面临的一些问题,成为紫外探测器研究的热点。其中宽禁带氧化物材料,具有易于制备高响应高增益器件、有丰富的微纳结构、易于制备微纳器件的特点,引起了人们的广泛关注。本文对宽禁带半导体氧化物材料的微纳结构器件进行梳理,对近年来的一些相关研究进行了综述。其中涉及的氧化物材料包括ZnO,Ga_(2)O_(3),SnO_(2),TiO_(2)等,涉及的器件结构包括金属-半导体-金属型器件,肖特基结型器件,异质结型器件等。

摘要： 氧化镓的别名是三氧化二镓,氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作02化学探测器。

摘要： 低温多晶硅-氧化物半导体混合集成(Low temperature polycrystalline silicon and oxide,LTPO)的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)背板技术融合了低温多晶硅和氧化物半导体TFT两者的优势,为低功耗、高性能显示以及功能化集成提供了新的发展机遇,获得了产业界和学术界的广泛关注.本文系统地总结和分析了 LTPO相关技术与应用的研究进展以及面临的技术挑战.首先,讨论了分别针对液晶显示(Liquid crystal display,LCD)和有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)显示的LTPO背板的集成方式,进一步总结分析了实现LTPO集成的器件结构和工艺挑战.此外,针对有源矩阵OLED显示,分析了 LTPO技术用于设计兼容低帧率和高帧率驱动、具有内部补偿功能的像素电路的优势,以及在超低帧率(如1 Hz)驱动情况下,TFT器件稳定性带来的影响和相关的补偿驱动方法.最后,对LTPO技术进一步发展的可能趋势进行了展望.

摘要： 薄膜晶体管(TFT)作为显示器的寻址和像素灰阶控制器件,是有源显示器实现图像视频显示的关键核心元器件。传统的TFT背板是基于真空法制备以及光刻法图形化的,成本较高;相比之下,印刷(溶液加工)法因为工艺简单、材料利用率高等优点受到广泛关注。文中系统地总结和分析了印刷TFT相关技术与应用的研究进展以及面临的技术挑战。首先归纳和总结用于制备TFT的各种印刷技术,比较不同印刷技术的优缺点;在此基础上,分别介绍印刷有机TFT、印刷氧化物TFT、印刷碳纳米管TFT的半导体材料、印刷制备方法、最新进展以及面临的问题,重点聚焦于面向显示应用的印刷TFT的研究进展和面临的挑战。

摘要： 本文对基于氧化物半导体的薄膜晶体管稳定性领域的专利申请进行了统计分析,并对相关专利文献发展路线进行了梳理。

摘要： 文件审批要求的提高,环评编制质量也提出更高的要求,如何把握环境影响评价工作重点和核心,本文以生产工艺复杂、使用化工原辅料及特种气体较多的广东省某氧化物半导体材料显示器项目环境影响评价为例,就氧化物半导体材料显示器项目在开展环境影响评价工程分析、污染防治等问题进行一些粗浅的探讨,供同行参考.

摘要： 为满足印刷显示的大面积制备、低信号延迟的需求,有必要开发应用于氧化物薄膜晶体管(TFTs)的低电阻印刷电极.研究发现喷墨打印Ag和氧化物有源层的界面接触特性较差,导致基于Ag电极的氧化物TFT性能很差.通过在Ag电极和有源层中间插入喷墨打印的氧化铟锡(ITO)电极,可以阻隔Ag纳米颗粒扩散入有源层.此外,ITO电极可以与Ag和有源层形成良好的接触特性,大幅降低了接触电阻.基于Ag/ITO双层电极的TFT较基于单层Ag电极的性能大幅提升:迁移率达16.0 cm2·V-1·s-1,开关比达6.2×107,亚阈值摆幅为174 mV/Decade,阈值电压为-2.0 V.该结果证明了印刷Ag电极在氧化物TFT的应用潜力,并有助于建立导电氧化物薄膜和金属导电纳米材料堆叠结构的复合导电薄膜体系,实现优势互补.

摘要： 许磊,博士,教授,硕士生导师,华北水利水电大学物理与电子学院党委副书记,电子科学与技术专业负责人,河南省物理学会理事,河南省教育厅学术技术带头人,河南省高等学校青年骨干教师。担任“电子材料与元器件”“现代通信与光电子技术基础”“半导体器件”等本科生、研究生课程教学负责人。主持或参与多项教育部产学合作协同育人项目;主持开发“非晶氧化物半导体薄膜晶体管的制备与测量虚拟仿真实验”,荣获第一届全国高校电子信息类专业课程实验教学案例设计竞赛二等奖;近年来指导学生获省级大学生创新创业训练项目及省级以上学科竞赛奖多项,其中指导本科生在中国电工技术学会主办的首届全国大学生等离子体科技创新竞赛中荣获一等奖。

摘要： 近年来,利用纳米压印、原子力刻蚀、电场组装等方法制备并组装了ZnO、SnO2、WO3、CuO等氧化物半导体纳米结构及纳米器件。系统研究了一维纳米结构的输运特性。研究表明,纳米线的输运特性受肖特基势垒的控制,纳米线的表面态是形成肖特基势垒的关键因素。发展了电化学沉积、UV光照等调控纳米结构输运特性的有效方法。通过利用纳米线肖特基势垒,发展了一些高性能的光电器件,例如:具有高灵敏度、快速回复特性的紫外光检测器,在室温下具有超高灵敏度的气敏传感器等。

摘要： 发光显示(AMOLED、AMQLED)具有超薄、高画质、柔性可弯曲等特点,随着市场对显示要求的不断提高,对高分辨率、大尺寸面板的需求量迅速增加.本报告以本实验室的研究成果为基础,重点介绍新型氧化物半导体材料,高质量薄膜的工艺,高迁移率、高稳定性TFT器件制备,高分辨率TFT阵列背板制备,柔性AMOLED显示屏的薄膜封装技术,薄膜应力管控技术,AMOLED和AMQLED显示屏印刷制备技术等.

摘要： 本文提供一种基于静电纺丝技术制备的W掺杂NiO氧化物半导体敏感材料的二甲苯传感器、制备方法及其在室内环境中检测二甲苯蒸汽方面的应用。利用静电纺丝技术制作了4种不同掺杂摩尔比(0％,1％,2％和4％)的W6+掺杂NiO一维纳米管,并将此种纳米材料制作成气体传感器.通过气敏特性测试,对比4种W6+掺杂NiO纳米管制作的传感器对200ppm二甲苯的灵敏度可知,基于掺杂浓度为2mo1％的纳米管制作的传感器的灵敏度最好,它的灵敏度是不掺杂(0％)NiO纳米管的3.3倍.本文提供一种利用静电纺丝技术制备的W6+掺杂NiO纳米管二甲苯传感器、制备方法及其在室内环境气体方面的应用.通过对半导体材料进行掺杂,可以降低传感器的检测下限,增加传感器的灵敏度,促进此种传感器在环境监测领域的实用化.

摘要： SrCu2O2(SCO)是一种新型可掺杂为p型导电的直接带隙透明氧化物半导体,其沉积温度低,基于pSrCu2O2和n-ZnO薄膜已经成功制备了异质结透明近紫外发光二极管,预示着其广阔的应用前景.对SCO薄膜的几种制备技术的特点进行了详细说明,结合"域匹配外延"的观点讨论了SCO在ZnO上的外延关系,并提出了SCO膜生长机理方面需要解决的问题.

摘要： 气体传感器在有毒、有害、易燃易爆气体检测方面的重要作用,因此,开发出具有高灵敏度,低检测下限,良好选择性和长期稳定性的传感器具有重要的科研和实际应用意义.基于此,文中简单介绍几种最具代表性半导体氧化物分等级异质结构敏感材料的制备和气敏特性研究。以提高传感器灵敏度,选择性和降低检测检测下限为目标,通过结构增感和改性增感的方式,构筑了不同形貌的分等级半导体氧化物异质结构复合氧化物.气敏特性测试结果表明这些异质结构氧化物复合材料较单一氧化物表现出了更为优异的气敏特性(如更高的灵敏度,更快的响应速度等),这主要可归因于其独特的微观结构及基本构成单元之间的协同作用.

摘要： 气体传感器在有毒、有害、易燃易爆气体检测方面的重要作用,因此,开发出具有高灵敏度,低检测下限,良好选择性和长期稳定性的传感器具有重要的科研和实际应用意义.基于此,文中简单介绍几种最具代表性半导体氧化物分等级异质结构敏感材料的制备和气敏特性研究。以提高传感器灵敏度,选择性和降低检测检测下限为目标,通过结构增感和改性增感的方式,构筑了不同形貌的分等级半导体氧化物异质结构复合氧化物.气敏特性测试结果表明这些异质结构氧化物复合材料较单一氧化物表现出了更为优异的气敏特性(如更高的灵敏度,更快的响应速度等),这主要可归因于其独特的微观结构及基本构成单元之间的协同作用.

摘要： 气体传感器在有毒、有害、易燃易爆气体检测方面的重要作用,因此,开发出具有高灵敏度,低检测下限,良好选择性和长期稳定性的传感器具有重要的科研和实际应用意义.基于此,文中简单介绍几种最具代表性半导体氧化物分等级异质结构敏感材料的制备和气敏特性研究。以提高传感器灵敏度,选择性和降低检测检测下限为目标,通过结构增感和改性增感的方式,构筑了不同形貌的分等级半导体氧化物异质结构复合氧化物.气敏特性测试结果表明这些异质结构氧化物复合材料较单一氧化物表现出了更为优异的气敏特性(如更高的灵敏度,更快的响应速度等),这主要可归因于其独特的微观结构及基本构成单元之间的协同作用.

摘要： 气体传感器在有毒、有害、易燃易爆气体检测方面的重要作用,因此,开发出具有高灵敏度,低检测下限,良好选择性和长期稳定性的传感器具有重要的科研和实际应用意义.基于此,文中简单介绍几种最具代表性半导体氧化物分等级异质结构敏感材料的制备和气敏特性研究。以提高传感器灵敏度,选择性和降低检测检测下限为目标,通过结构增感和改性增感的方式,构筑了不同形貌的分等级半导体氧化物异质结构复合氧化物.气敏特性测试结果表明这些异质结构氧化物复合材料较单一氧化物表现出了更为优异的气敏特性(如更高的灵敏度,更快的响应速度等),这主要可归因于其独特的微观结构及基本构成单元之间的协同作用.

摘要： 本文利用射频等离了体辅助分子束外延方法，在氧化镁衬底上通过优化界面工艺，制备了电学性能较好的氧化亚铜薄膜。薄膜的电阻率最低可到7.02Ωcm，迁移率为30-40cm2/Vs，载流了浓度约为2.5x1016cm-3，与目前已报道的结果相比，薄膜电学性能得到了较大的改善。薄膜表面比较平整，均方根粗糙度为9.66nm。利用室温反射谱测试可知，氧化亚铜薄膜的带隙宽度为2.46eV。上述结果表明，本文获得了电学性能良好、表面形貌较为平整的p型氧化亚铜材料，为后续的器件研制奠定了坚实的基础。

摘要： 本文利用射频等离了体辅助分子束外延方法，在氧化镁衬底上通过优化界面工艺，制备了电学性能较好的氧化亚铜薄膜。薄膜的电阻率最低可到7.02Ωcm，迁移率为30-40cm2/Vs，载流了浓度约为2.5x1016cm-3，与目前已报道的结果相比，薄膜电学性能得到了较大的改善。薄膜表面比较平整，均方根粗糙度为9.66nm。利用室温反射谱测试可知，氧化亚铜薄膜的带隙宽度为2.46eV。上述结果表明，本文获得了电学性能良好、表面形貌较为平整的p型氧化亚铜材料，为后续的器件研制奠定了坚实的基础。

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：前驱体层的形成工序，其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯；及烧成工序，其在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后，在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。

摘要： 一种新颖的氧化物半导体膜。一种缺陷少的氧化物半导体膜。一种氧化物半导体膜与绝缘膜的界面的浅缺陷态密度的峰值小的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包括In、M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn以及浅缺陷态密度的峰值小于1×1013cm‑2eV‑1的区域。

摘要： p‑型氧化物半导体，其包括：包含铊(Tl)的金属氧化物，其中所述金属氧化物已经被空穴掺杂。

摘要： 本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：前驱体层的形成工序，其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯；及烧成工序，其在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后，在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。

摘要： 本发明涉及包含彼此三维连接的纳米孔、介孔和大孔的多孔氧化物半导体，该多孔氧化物半导体的制造方法，以及包含该多孔氧化物半导体作为气体感测物质的气体传感器，更具体地涉及多孔氧化物半导体，该多孔氧化物半导体的制造方法，以及包含该多孔氧化物半导体作为气体感测物质的气体传感器，该多孔氧化物半导体包括彼此三维连接的直径为1nm至小于4nm的纳米孔，直径为4nm至50nm的介孔，直径为100nm至小于1μm的大孔。根据本发明，提供了通过控制纳米孔、介孔和大孔表现出对多种待检测气体表现出超高灵敏度和超高速响应特征的氧化物半导体型气体传感器。

摘要： 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。

摘要： 一种新颖的氧化物半导体膜。一种缺陷少的氧化物半导体膜。一种氧化物半导体膜与绝缘膜的界面的浅缺陷态密度的峰值小的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包括In、M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn以及浅缺陷态密度的峰值小于1×1013cm‑2eV‑1的区域。

摘要： 一种氧化物半导体化合物，其含有镓和氧，光学带隙为3.4eV以上，300K下的通过霍尔(Hall)测定得到的电子的霍尔(Hall)迁移率为3cm2/Vs以上。

摘要： 本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In