绝缘体

摘要： 硅是自然界中分布最广的元素之一,其晶体结构决定了硅的物理化学性质,在常温下,硅很不活泼,是一种表面呈银灰色金属光泽的绝缘体,然而在高温熔融状态下,硅导电性极强,同时具有较大的化学活性,可与部分金属互熔并生成硅的化合物,即使石英也能与之发生反应。

摘要： 氧化锆具有高熔点和高沸点、硬度大等特点,常温下为绝缘体、而高温下则具有优良的导电性,因此其作为结构陶瓷和功能陶瓷材料在机械、电学、电子、光学、生物学和催化等多方面有很大的应用潜力。

摘要： 同学们,在四年级科学上册第四单元《导体和绝缘体》中,我们已经知道像铁钉、铝箔等物品容易导电,被称为导体;像塑料尺、干燥的竹签等物品不容易导电,被称为绝缘体。本期,黄老师给大家介绍另一个小伙伴——超导体。"超"字体现出它有很强的能力,那这种能力是什么呢?不着急,我们慢慢来看。

摘要： (续上期)5.5磁性粉末的种类粉末烧结软磁体是由软磁粉末压制烧结而成,磁粉芯是由软磁合金粉末与作为绝缘体的黏结相组成,是一种软磁复合材料。最终制品都是由软磁粉末压制成型与烧结后,直接得到的致密材料或零件。

摘要： 纵观历史,人类对材料的认知不断推动着社会的进步和发展,这方面在过去一个多世纪对材料电学性质的研究上体现得尤为显著.我们可以将材料粗略地分为金属、半导体、绝缘体,也可以分为超导、非超导、磁性、非磁性等.不难发现,所有这些性质都源于同一种微观粒子:电子.随着研究的深入,科学家们开始期待在一种材料中能实现以上多种甚至所有可能的电子态.最近,以二维体系为代表的低维体系研究向我们展示了实现这一愿景的可能性.

摘要： 通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道,日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管,可用来生产高密度数据存储器件。此外,通过使用反铁电体代替铁电体,他们发现擦除数据只需要很小的净电荷,从而提高了写入的效率。发表在2022年IEEE硅纳米电子研讨会上的该项成果,将催生新的更小、更环保的数据存储器。

摘要： 在涉及高电压和超高电压的地方,每一个细节都很重要。如绝缘体上的铸造毛刺,必须仔细去除--以前是手工完成。现在,特殊机械公司Potzi的一个设备将这个过程实现最大程度的自动化。SEW的驱动解决方案覆盖了广泛的应用范围。当位于班贝格的Trench Germany公司,西门子能源公司的子公司,要移动自己生产的绝缘体时需要应用重型设备。

摘要： 当年丈夫出轨,她因爱生恨,视男人为洪水猛兽。怕女儿走她的老路,她多次干涉女儿和男生交往。最终,女儿患上了社交恐惧症,并发誓终身不嫁。

摘要： 一作为一个中奖绝缘体,我生平第一次出现在中奖名单里时,却十分高兴不起来。此时此刻,我坐在一家清静的奶茶店里,发起抽奖的博主就坐在我对面。他面带神秘的微笑,静静注视我长达--分钟之后,徐徐开腔道:“何小沅同学,你对我的视频有很多意见?”我虎躯一震,吓得差点失声痛哭,他连我的名字都打听到了,肯定不会轻易放过我!

摘要： 1影响配电网供电可靠性因素线路跳闸。线路运行时,若电线绝缘体出现破损,例如绝缘体因树木掉落受损、高空坠物砸坏等,会引起线路跳闸。天气也是直接影响因素,例如雷击、洪灾、大风、大雪等极端天气,常常引起线路跳闸。非故障停电。例如输变电线路、设备定期检测。也有供电工程项目建设的需要,为保证作业安全性,须将电源及时切断,这也会影响电网运行可靠性。

摘要： 超微矩形电连接器绝缘体具有孔距小、孔腔内部尺寸小、孔腔结构复杂及尺寸精度较高等特点.根据超微矩形电连接器绝缘体的这些特点,有效保证其成型精度及质量,选择高精度镶拼型芯及型腔的方式成型塑件.设计上利用UG三维软件合理拆分出用于镶拼的模具零件,保证每个被拆分出的零件可以用精简的方式加工.工艺上对工艺装备及工艺流程进行分析改善,提出了可行的、合理的加工方案,确保模具零件具备高精度特点.实践证明,该设计与工艺可行有效,不仅满足了超微矩形电连接器绝缘体的高精度要求,而且实现了不同孔腔数量的绝缘体通过增减拼片及拼块可以在在同一套模具上完成压制的愿望.

摘要： 本文从理论上提出了利用离散电子态计算绝缘体中金属纳米颗粒Fermi能级的方法，并计算得出金属纳米颗粒的能级结构，得到了计算金属纳米颗粒尺寸的新公式，该理论可解释相关现象。本文设计了相关实验，初步验证了该理论的正确性。

摘要： 本文报道了一种新的利用侧向湿法腐蚀AlInN牺牲层技术制备GaN微腔的方法。我们采用金属有机化学气相外延(MOCVD)技术在监宝石和自支撑的GaN衬底上生长一层100nm的AlInN牺牲层,再生长180nm的GaN层,利用湿法腐蚀GaN和AlInN合金具有高的选择比的特性,通过侧向湿法腐蚀AlInN层实现衬底剥离。同时结合干法刻蚀技术以及绝缘体介质材料沉积技术成功制备出了直径为501am,上下为双介质分布布拉格反射镜(DBR)结构的GaN微腔。

摘要： 采用Rayleigh曲势展开和退耦合近似方法，研究了在绝缘体中掺入半导体椭圆柱正方阵列的光学非线性增强。我们汁算了其三阶光学非线性电极化率χe与外电场频率ω的关系。结果表明，在|χe|-ω曲线上出现了增强峰，其峰强明显地依赖十椭圆的形状，当基体介电常数较大时，随着椭圆的纵横比的减少，峰强将增加近60倍。

摘要： 本文讨论了电子工业芯片微芯化中纳米技术的机会.半导体工作电压的降低及在多层陶瓷电容器((MLCC)中生产高体积效率的需求导致这些配件的绝缘层厚度的大幅减少和层数的急剧增加.这种趋势的结果大大增加了对如BaTiO3绝缘粉,电极金属粉末和化学机械平面化浆泥的需求.本文对生产纳米BaTiO3合成方法的优点和挑战性进行了简短评述。

摘要： 本文讨论了电子工业芯片微芯化中纳米技术的机会.半导体工作电压的降低及在多层陶瓷电容器((MLCC)中生产高体积效率的需求导致这些配件的绝缘层厚度的大幅减少和层数的急剧增加.这种趋势的结果大大增加了对如BaTiO3绝缘粉,电极金属粉末和化学机械平面化浆泥的需求.本文对生产纳米BaTiO3合成方法的优点和挑战性进行了简短评述。

摘要： 本文讨论了电子工业芯片微芯化中纳米技术的机会.半导体工作电压的降低及在多层陶瓷电容器((MLCC)中生产高体积效率的需求导致这些配件的绝缘层厚度的大幅减少和层数的急剧增加.这种趋势的结果大大增加了对如BaTiO3绝缘粉,电极金属粉末和化学机械平面化浆泥的需求.本文对生产纳米BaTiO3合成方法的优点和挑战性进行了简短评述。

摘要： 本文讨论了电子工业芯片微芯化中纳米技术的机会.半导体工作电压的降低及在多层陶瓷电容器((MLCC)中生产高体积效率的需求导致这些配件的绝缘层厚度的大幅减少和层数的急剧增加.这种趋势的结果大大增加了对如BaTiO3绝缘粉,电极金属粉末和化学机械平面化浆泥的需求.本文对生产纳米BaTiO3合成方法的优点和挑战性进行了简短评述。

摘要： 本文讨论了电子工业芯片微芯化中纳米技术的机会.半导体工作电压的降低及在多层陶瓷电容器((MLCC)中生产高体积效率的需求导致这些配件的绝缘层厚度的大幅减少和层数的急剧增加.这种趋势的结果大大增加了对如BaTiO3绝缘粉,电极金属粉末和化学机械平面化浆泥的需求.本文对生产纳米BaTiO3合成方法的优点和挑战性进行了简短评述。

摘要： 本文讨论了电子工业芯片微芯化中纳米技术的机会.半导体工作电压的降低及在多层陶瓷电容器((MLCC)中生产高体积效率的需求导致这些配件的绝缘层厚度的大幅减少和层数的急剧增加.这种趋势的结果大大增加了对如BaTiO3绝缘粉,电极金属粉末和化学机械平面化浆泥的需求.本文对生产纳米BaTiO3合成方法的优点和挑战性进行了简短评述。

摘要： 绝缘体(5)包括：线圈缠绕部(50)、第一凸缘部(51)，以及第二凸缘部(52)。线圈缠绕部(50)供由剖面为圆形的绕线构成的线圈(7)缠绕；第一凸缘部(51)设置在线圈缠绕部(50)的铁心扇形体(41)侧；第二凸缘部(52)设置在线圈缠绕部(50)的齿部(42)的径向内端侧。所述线圈缠绕部(50)具有倾斜面(50a)，该倾斜面(50a)与第一凸缘部(51)连接且以从所述第一凸缘部(51)朝着所述第二凸缘部(52)自所述齿部(42)的上表面(42a)算起的高度逐渐变高的方式倾斜。在将所述线圈的线径设为D(mm)，将以所述齿部的轴向端面为基准面的情况下的所述倾斜面50a的倾斜角设为α(°)时，满足以下关系：0＜(－6.8D+b)≤α＜30(b为常数，8.3≤b≤11.6)。

摘要： 本发明公开了一种绝缘体。该绝缘体(5)包括：线圈缠绕部(50)、第一凸缘部(51)以及第二凸缘部(52)。线圈缠绕部(50)供线圈(7)缠绕；第一凸缘部(51)形成在线圈缠绕部(50)的铁心扇形体(41)侧，且具有朝着线圈缠绕部(50)引导线圈(7)的线圈导入槽(53)；第二凸缘部(52)形成在线圈缠绕部(50)的齿部(42)的径向内端侧。线圈导入槽(53)具有第一槽部(53a)，该第一槽部(53a)以与第一凸缘部(51)的内表面(51a)所成的角度θ为锐角的方式延伸。

摘要： 本发明公开了一种绝缘体。该绝缘体(5)包括：线圈缠绕部(50)、第一凸缘部(51)以及第二凸缘部(52)。线圈缠绕部(50)供线圈(7)缠绕；第一凸缘部(51)形成在线圈缠绕部(50)的铁心扇形体(41)侧，且具有朝着线圈缠绕部(50)引导线圈(7)的线圈导入槽(53)；第二凸缘部(52)形成在线圈缠绕部(50)的齿部(42)的径向内端侧。线圈导入槽(53)具有第一导入槽(53a)和第二导入槽(53b)，第一导入槽(53a)和第二导入槽(53b)以径向为基准彼此面对称且分别以与第一凸缘部(51)的内表面(51a)所成的角度θ为锐角的方式延伸。

摘要： 提出一种用于制造空心电绝缘体的方法，包括以下步骤：提供芯体；将第一纤维元件的第一卷绕层(2)卷绕到芯体上；将第二纤维元件(8)的第二卷绕层(7)卷绕到芯体的端部区域(10)上，第一卷绕层(2)具有第一纤维元件的线匝，所述第一纤维元件的线匝与芯体的主延伸方向(R)成第一卷绕角；第二卷绕层(7)具有第二纤维元件(8)的线匝(18)，所述第二纤维元件的线匝与芯体的主延伸方向(R)成大于第一卷绕角的第二卷绕角(α2)，并且芯体的内部区域(11)没有第二卷绕层(7)。此外给出空心电绝缘体及其应用。

摘要： 本发明公开了一种绝缘体。该绝缘体(5)包括：线圈缠绕部(50)、第一凸缘部(51)以及第二凸缘部(52)。线圈缠绕部(50)供线圈(7)缠绕；第一凸缘部(51)形成在线圈缠绕部(50)的铁心扇形体(41)侧，且具有朝着线圈缠绕部(50)引导线圈(7)的线圈导入槽(53)；第二凸缘部(52)形成在线圈缠绕部(50)的齿部(42)的径向内端侧。线圈导入槽(53)具有第一导入槽(53a)和第二导入槽(53b)，第一导入槽(53a)和第二导入槽(53b)以径向为基准彼此面对称且分别以与第一凸缘部(51)的内表面(51a)所成的角度θ为锐角的方式延伸。

摘要： 绝缘体(5)包括：线圈缠绕部(50)、第一凸缘部(51)，以及第二凸缘部(52)。线圈缠绕部(50)供由剖面为圆形的绕线构成的线圈(7)缠绕；第一凸缘部(51)设置在线圈缠绕部(50)的铁心扇形体(41)侧；第二凸缘部(52)设置在线圈缠绕部(50)的齿部(42)的径向内端侧。所述线圈缠绕部(50)具有倾斜面(50a)，该倾斜面(50a)与第一凸缘部(51)连接且以从所述第一凸缘部(51)朝着所述第二凸缘部(52)自所述齿部(42)的上表面(42a)算起的高度逐渐变高的方式倾斜。在将所述线圈的线径设为D(mm)，将以所述齿部的轴向端面为基准面的情况下的所述倾斜面50a的倾斜角设为α(°)时，满足以下关系：0＜(－6.8D+b)≤α＜30(b为常数，8.3≤b≤11.6)。

摘要： 绝缘体(5)包括线圈缠绕部(50)、第一凸缘部(51)以及第二凸缘部(52)，线圈缠绕部(50)供线圈(7)缠绕，第一凸缘部(51)设在线圈缠绕部(50)的靠铁心扇形体(41)一侧，且具有将线圈(7)引导至线圈缠绕部(50)的线圈导入区域(53)，第二凸缘部(52)设在线圈缠绕部(50)的靠齿(42)径向内端一侧。从外周面(50a)延伸出去的突起部(54)设为位于线圈导入区域(53)的出口(53a)附近且线圈(7)的第一层中第一周绕线(711)与第二周绕线(712)之间。

摘要： 绝缘体(5)包括第一凸缘部(51)和第二凸缘部(52)，第一凸缘部(51)设在供线圈(7)缠绕的线圈缠绕部(50)的靠铁心扇形体(41)一侧，且具有将线圈(7)引导至线圈缠绕部(50)的线圈导入槽(53)，第二凸缘部(52)设在供线圈(7)缠绕的线圈缠绕部(50)的靠齿(42)径向内端一侧。在线圈缠绕部(50)的表面，从第一凸缘部(51)的根部朝向径向内侧设有由凹凸部(54a)构成的移动限位部(54)。凹凸部(54a)的平均长度比线圈(7)的线径短，凹凸部(54a)的算术平均粗糙度Ra比线圈缠绕部(50)上移动限位部(54)以外的部分即平滑表面部(55)的算术平均粗糙度Ra’大。

摘要： 绝缘体(5)包括线圈缠绕部(50)、第一凸缘部(51)以及第二凸缘部(52)，线圈缠绕部(50)供线圈(7)缠绕，第一凸缘部(51)设在线圈缠绕部(50)的靠铁心扇形体(41)一侧，且具有将线圈(7)引导至线圈缠绕部(50)的线圈导入槽(53)，第二凸缘部(52)设在线圈缠绕部(50)的靠齿(tooth)(42)径向内端一侧。在线圈缠绕部(50)的表面与第二凸缘部(52)的内表面(52a)之间的角部，形成有从线圈缠绕部(50)的表面起的高度为H的突起部(54)。设线圈(7)的线径的一半值为r时，高度H在0.9r(1+tan30°)＜H＜1.1r(1+tan30°)的范围内。

摘要： 本发明公开了一种绝缘体。该绝缘体(5)包括：线圈缠绕部(50)、第一凸缘部(51)以及第二凸缘部(52)。线圈缠绕部(50)供线圈(7)缠绕；第一凸缘部(51)形成在线圈缠绕部(50)的铁心扇形体(41)侧，且具有朝着线圈缠绕部(50)引导线圈(7)的线圈导入槽(53)；第二凸缘部(52)形成在线圈缠绕部(50)的齿部(42)的径向内端侧。线圈导入槽(53)具有第一槽部(53a)，该第一槽部(53a)以与第一凸缘部(51)的内表面(51a)所成的角度θ为锐角的方式延伸。