高熔点

摘要： 钛金工艺被越来越多地运用到高级珠宝上。钛是自然界的一种金属矿物,最早出现在18世纪末,后来被广泛应用于航空航天、潜艇和医疗器具。钛拥有十分优越的性质:坚韧、高熔点、耐腐蚀、银亮而不会变黑,成为近年来珠宝行业新宠。

摘要： 氧化锆具有高熔点和高沸点、硬度大等特点,常温下为绝缘体、而高温下则具有优良的导电性,因此其作为结构陶瓷和功能陶瓷材料在机械、电学、电子、光学、生物学和催化等多方面有很大的应用潜力。

摘要： 过渡金属轻元素化合物(TMLEs)由于具备高硬度,高熔点,优异电学、磁学、超导等性质受到广泛关注,是一类具有优异力学性质的功能性材料。优异力学性质与功能性的结合,使TMLEs成为极端环境下使用的特种材料。然而,高熔点导致TMLEs的制备往往需要高温高压(HPHT)极端实验条件。目前,已经有了大量HPHT制备TMLEs的报道,然而,多数都只关注产物的性质,对在HPHT下TMLEs的生长机制报道较少。因此,总结HPHT制备的TMLEs、分析TMLEs的晶体生长过程,对理解TMLEs的晶体生长机理、探究新型TMLEs的制备具有重要意义。结合本课题组研究经验及其他相关文献总结了HPHT方法制备的过渡金属硼化物(TMBs)、碳化物(TMCs)和氮化物(TMNs)的晶体生长情况,分别从起始原料、温压条件、晶体形貌等方面分析了TMLEs的生长机制。总结如下:通过原料配比和温度控制是制备TMBs单一相的关键;提出硼亚结构单元是使TMBs形成台阶式生长模式的本质因素;碳源和氮源的选择决定了TMCs和TMNs的生长机制。同时提出,缺少利用HPHT制备TMLEs毫米级单晶的报道,限制了TMLEs部分本征的性质探究;并且,新型高轻元素含量的TMLEs结构依然有待开发。随着人类对材料的要求越来越苛刻,以及TMLEs的不断发展,TMLEs将在未来特种材料领域具有不可替代的地位。

摘要： 选题背景热障涂层采用高熔点、低导热的陶瓷材料涂覆在航空发动机叶片金属基体表面,从而降低高温环境中金属基体的表面工作温度,保护其免受高温氧化与热腐蚀。热障涂层可以保证热端部件在高温环境中持续工作,提高工作效率,已成为高性能航空发动机涡轮叶片部分的三大核心技术之一。

摘要： [发布日期:2022-02-25]近日,鞍钢集团北京研究院有限公司成功研制出Ti60高温钛合金,首个工业级铸锭重达3 t。目前传统高温钛合金的最高使用温度为600°C,且Ti60材料成分极其复杂,含有多种高熔点、难熔化、易偏析元素,真空熔炼控制难度很高。该产品的研制成功填补了鞍钢集团有限公司在该合金研发和制备领域的空白。

摘要： 目的比较3种方法制备的苯妥英固体分散体(SD)的理化性质。方法以高熔点(296°C)难溶性药物苯妥英原料药(API)为模型药,分别采用喷雾干燥技术、热熔挤出技术、共喷共挤(喷雾干燥结合热熔挤出)技术制备苯妥英SD。选择X射线粉末衍射(XRPD)、差示扫描量热(DSC)法,进行溶出度、表观溶解度、稳定性试验,分析不同方法制备的SD的物相状态、溶出性能和稳定性。结果XRPD和DSC分析结果显示,喷雾干燥技术和共喷共挤技术可制备无定形态SD,以热熔挤出技术制备时存在少量微晶;热台显微镜观察结果显示,共喷共挤技术制备的SD相容性较好;溶出度和表观溶解度试验结果显示,3种SD的溶出度和溶解度均较好;稳定性试验结果表明,共喷共挤技术制备的SD稳定性较好。结论3种方法制备的SD溶出性能均较好;其中共喷共挤技术制备的SD稳定性更好,该技术对于提升高熔点难溶性药物的溶出性能和稳定性具有借鉴意义。

摘要： 钽铌矿是指含有钽和铌地矿物的总称,共有百余种。其中可作矿石开采的,主要有钽铁矿、铌铁矿和烧绿石。钽(Ta)铌(Nb)都属于高熔点(钽2 996°C、铌2 468°C)、高沸点(钽5 427°C、铌5 127°C)稀有金属,外观似钢,灰白色光泽,粉末呈深灰色,具有吸气、耐腐蚀、超导性和在高温下强度高等特性.

摘要： 钼作为一种资源相对稀少的难熔金属,具有高熔点、高硬度、高强度、耐腐蚀、良好的导电导热性等优良特性。高技术含量、高品质的钼材料已成为能源、化工、电子、军工、航天、航空行业的重要基础材料,广泛渗透到当代科技的各个领域,是这些行业技术进步的材料基础。随着全球经济对节能减排的要求及科学技术的高速发展,钢铁、能源、新材料行业对钼的需求稳步提高,钼以其独有的特性备受瞩目。

摘要： 难熔金属通常指熔点在2000°C以上的金属,主要包括钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铌(Nb)和铼(Re)等,除了铼为密排六方晶格,其余均为体心立方晶格。难熔金属具有高熔点、高强度、低热膨胀系数、低电阻率、良好的热稳定性等优异的性质,在航空航天、电子、核工业、半导体照明、医疗、高温高压装备等领域具有不可替代的作用。

摘要： 莱钢炼钢厂120t LF精炼炉在供近终形异型坯钢液时采用硅钙钡、碳化钙脱氧造渣,脱氧产生高熔点Ca_(2)SiO_(4)、Ca_(3)SiO_(3)不熔物,吸附夹杂物效果差,连铸机在浇注时出现水口结瘤,无法实现稳态浇注,铸坯和轧材出现批量腹板裂纹;通过对IF精炼炉脱氧造渣工艺优化完善,将炉渣CaO-SiO_(2)二元渣系向CaO-SiO_(2)-Al_(2)O_(3)三元渣系转变,有效提高炉渣炉渣吸附夹杂物效果,解决水口结癇问题,提高钢液质量。

摘要： 一种微电子组件(10、110、210、310、410)包括：第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)，具有第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)；以及第二衬底(14、114、214、314、414)，具有第二导电元件(26、126、226、326、426)。该组件还包括导电合金块(16、116)，接合至第一和第二导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)，包括第一、第二和第三材料。导电合金块(16、116)的第一和第二材料的熔点均低于合金的熔点。第一材料的浓度从朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)设置的位置处的相对较大量向朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)的相对较小量变化，并且第二材料的浓度从朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)设置的位置处的相对较大量向朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的相对较小量变化。通过将具有第一接合部件(30、230、330、430)的第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)与具有第二接合部件(40、240、340、440)的第二衬底(14、114、214、314、414)对准来形成微电子组件(10、110、210、310、410)，使得第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件彼此接触，第一接合部件(30、230、330、430、1030)包括邻近第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的第一材料层(36、536、636、736、836、936)以及上覆第一材料层(36、536、636、736、836、936)的第一保护层(38、538、638、738、838、938)，第二接合部件(40、240、340、440)包括邻近第二导电元件(26)的第二材料层(46)以及上覆第二材料层(46)的第二保护层(48)，并且加热第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件使得第一(36、536、636、736、836、936)和第二(46)材料层的至少部分一起扩散以形成使第一(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)和第二(14、114、214、314、414)衬底彼此接合的合金块(16、116)。可以在第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)上形成多个第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)以及在第二衬底(14、114、214、314、414)上形成多个第二导电元件(26、126、226、326、426)，由多个导电合金块(16、116)接合。导电合金块(116)还可以包围并密封内部容积。

摘要： 一种具有低熔点及高结晶度的共聚酯，包含如式(I)所示的第一链段、如式(II)所示的第二链段，及如式(III)所示的第三链段，其中，第二链段与第一链段的摩尔比值为X且X的范围为0.5至3，且第三链段与第一链段的摩尔比值为Y且Y的范围为1.3至8。本发明另提供一种具有低熔点及高结晶度的共聚酯的制造方法，以及一种由所述具有低熔点及高结晶度的共聚酯所制得的低熔点聚酯纤维。本发明具有低熔点及高结晶度的共聚酯具有小于220°C的熔点及大于12J/g的热焓。

摘要： 一种微电子组件(10、110、210、310、410)包括：第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)，具有第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)；以及第二衬底(14、114、214、314、414)，具有第二导电元件(26、126、226、326、426)。该组件还包括导电合金块(16、116)，接合至第一和第二导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)，包括第一、第二和第三材料。导电合金块(16、116)的第一和第二材料的熔点均低于合金的熔点。第一材料的浓度从朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)设置的位置处的相对较大量向朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)的相对较小量变化，并且第二材料的浓度从朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)设置的位置处的相对较大量向朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的相对较小量变化。通过将具有第一接合部件(30、230、330、430)的第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)与具有第二接合部件(40、240、340、440)的第二衬底(14、114、214、314、414)对准来形成微电子组件(10、110、210、310、410)，使得第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件彼此接触，第一接合部件(30、230、330、430、1030)包括邻近第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的第一材料层(36、536、636、736、836、936)以及上覆第一材料层(36、536、636、736、836、936)的第一保护层(38、538、638、738、838、938)，第二接合部件(40、240、340、440)包括邻近第二导电元件(26)的第二材料层(46)以及上覆第二材料层(46)的第二保护层(48)，并且加热第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件使得第一(36、536、636、736、836、936)和第二(46)材料层的至少部分一起扩散以形成使第一(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)和第二(14、114、214、314、414)衬底彼此接合的合金块(16、116)。可以在第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)上形成多个第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)以及在第二衬底(14、114、214、314、414)上形成多个第二导电元件(26、126、226、326、426)，由多个导电合金块(16、116)接合。导电合金块(116)还可以包围并密封内部容积。

摘要： 一种具有低熔点及高结晶度的共聚酯，包含如式(I)所示的第一链段、如式(II)所示的第二链段，及如式(III)所示的第三链段，其中，第一链段与第二链段的摩耳比为1：0.5至1：3，且第一链段与第三链段的摩耳比为1：1.3至1：8。本发明另提供一种具有低熔点及高结晶度的共聚酯的制造方法，以及一种由所述具有低熔点及高结晶度的共聚酯所制得的低熔点聚酯纤维。本发明具有低熔点及高结晶度的共聚酯具有小于220°C的熔点及大于12J/g的热焓。

摘要： 本发明的喷镀用高熔点金属粉末的特征在于，1次粒子的平均粒径为1~10μm，该1次粒子粘接而成的2次粒子的平均粒径为20~150μm，粒径为20~150μm的2次粒子的比例为整体的70质量%以上。另外，优选控制2次粒子的密度和流动性。当使用这种处理性良好且成膜性好的喷镀用高熔点金属粉末来形成喷镀膜时，容易得到厚度均匀的高熔点金属膜。

摘要： 本发明公开一种低熔点金属和异种高熔点金属扩散偶的制备方法，包括如下步骤：步骤一、高熔点金属试样制作与预处理；步骤二、夹具制作；步骤三、低熔点金属熔炼；步骤四、浇铸与冷却。本发明根据扩散偶组元金属性质选择不同的熔炼方法和加工形状，既适用于易氧化金属组元，又适用于惰性金属，实验操作简单，过程简化，极大地降低了扩散退火的实验要求，排除扩散界面氧元素的干扰；根据模具与高熔点金属试样的尺寸，设计夹具，在一次浇铸制样中可以获得多个扩散偶；制备的扩散偶在做扩散试验研究时，仅需在大气环境下普通热处理炉扩散退火即可；由于已知夹具和模具的尺寸，在模具冷却拆模后得到方便切割的扩散偶，在切割过程中不破坏扩散偶。

摘要： 一种由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶，其特征在于，具有由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶材与靶材以外的高熔点金属板接合的结构。本发明提供由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶及其制造方法，其特征在于，能够比较容易地制造由难以进行机械加工的高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶，并且有效地抑制制造靶时及大功率溅射时裂纹的产生，并抑制热压时靶原料与模具的反应，还能够降低靶的翘曲。

摘要： 本发明的喷镀用高熔点金属粉末的特征在于，1次粒子的平均粒径为1~10μm，该1次粒子粘接而成的2次粒子的平均粒径为20~150μm，粒径为20~150μm的2次粒子的比例为整体的70质量%以上。另外，优选控制2次粒子的密度和流动性。当使用这种处理性良好且成膜性好的喷镀用高熔点金属粉末来形成喷镀膜时，容易得到厚度均匀的高熔点金属膜。

摘要： 半导体器件制造方法,用于形成高熔点金属硅化物层,在溅射设备不造成损坏条件下溅射高熔点金属,还提供了其溅射设备。方法中,在有半导体元件栅极的硅衬底上淀积高熔点金属形成高熔点金属膜,然后热处理,在与膜的界面上形成高熔点金属硅化物,在到达栅极的电荷量Q小于5C/cm2时用磁控溅射设备淀积高熔点金属膜。溅射设备30设有含导电材料的有许多从靶到晶片的通孔的校准板32,位于靶夹具16与晶片夹具14间并接地。

摘要： 本发明公开一种低熔点金属和异种高熔点金属扩散偶的制备方法，包括如下步骤：步骤一、高熔点金属试样制作与预处理；步骤二、夹具制作；步骤三、低熔点金属熔炼；步骤四、浇铸与冷却。本发明根据扩散偶组元金属性质选择不同的熔炼方法和加工形状，既适用于易氧化金属组元，又适用于惰性金属，实验操作简单，过程简化，极大地降低了扩散退火的实验要求，排除扩散界面氧元素的干扰；根据模具与高熔点金属试样的尺寸，设计夹具，在一次浇铸制样中可以获得多个扩散偶；制备的扩散偶在做扩散试验研究时，仅需在大气环境下普通热处理炉扩散退火即可；由于已知夹具和模具的尺寸，在模具冷却拆模后得到方便切割的扩散偶，在切割过程中不破坏扩散偶。