利用侧向湿法腐蚀Al InN牺牲层技术构造GaN微腔

机译：通过选择性去除（Al，In）N牺牲层制成的具有双介电镜的（In，Ga）N / GaN微腔

机译：通过对（111）Si衬底进行湿法化学刻蚀制造的具有介电分布布拉格反射器的GaN微腔结构

机译：湿法刻蚀制备的GaN微腔的光学表征

机译：通过利用TMAH溶液中的各向异性湿法蚀刻来制造高性能AlGaN / GaN FinFET

机译：研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件，该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。

机译：用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究

机译：通过选择性去除（Al，In）N牺牲层制成的具有双介电镜的（In，Ga）N / GaN微腔

机译：侧向极性GaN mEsFET的制作：探索性研究;最后的技术部门。 2006年9月1日至2007年5月31日

机译：利用生态友好提取技术制备玉米GAN提取物的方法，由此制备玉米GAN提取物，并用相同的提取物进行抗老化的化妆品组合物