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(In,Ga)N/GaN microcavities with double dielectric mirrors fabricated by selective removal of an (Al,In)N sacrificial layer

机译：通过选择性去除（Al，In）N牺牲层制成的具有双介电镜的（In，Ga）N / GaN微腔

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Comparable microcavities with 3λ/2 (～240 nm) active regions containing distributed (In,Ga)N quantum wells, grown on GaN substrates and bounded by two dielectric mirrors, have been fabricated by two different routes: one using laser lift-off to process structures grown on GaN-on-sapphire templates and the second using freestanding GaN substrates, which are initially processed by mechanical thinning. Both exploit the properties of an Al_(0.83)In_(0.17)N layer, lattice matched to the GaN substrate and spacer layers. In both cases cavity quality factors > 400 are demonstrated by measurements of the cavity-filtered room-temperature excitonic emission near 410 nm.
机译：可通过两种不同的方法制造具有可比的微腔，这些微腔具有3λ/ 2（〜240 nm）的有源区域，其中的有源区域包含分布在（GaN）衬底上并由两个介电镜界定的分布式（In，Ga）N量子阱。在蓝宝石上的GaN模板上生长的工艺结构，第二个使用独立的GaN衬底，首先通过机械减薄对其进行处理。两者都利用与GaN衬底和间隔层晶格匹配的Al_（0.83）In_（0.17）N层的性质。在这两种情况下，空腔质量因子均大于400，这是通过在410 nm附近对空腔过滤后的室温激子发射进行测量得出的。

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