双轴应变对纤锌矿GaN、AlN、InN及其合金电子有效质量的影响(英文)

周卓帆; 张继华; 刘伟; 杨传仁; 陈宏伟; 赵强

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利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金在双轴应变下的电子有效质量。对于GaN和AlN,张应变使电子有效质量增大而压应变使电子有效质量减少,但却使InN电子有效质量在张应变和压应变下都增大。由于三元合金(AlxGa1-xN,InxGa1-xN和AlxIn1-xN)与GaN异质结的新颖特性,同时计算了三元合金在松弛和应变下电子有效质量的变化趋势。受制于GaN基板的平面应力,外延AlxGa1-xN和AlxIn1-xN电子有效质量将减少,而InxGa1-xN电子有效质量增大,且随着In含量变大而更显著。对铟氮化合物应变下电子有效质量异常的机制也做了讨论。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2012年第4期|318-324|共8页
作者
周卓帆; 张继华; 刘伟; 杨传仁; 陈宏伟; 赵强;
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作者单位

电子科技大学;

电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

成都610054;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
Ⅲ族氮化物; 电子有效质量; 双轴应变; 能带结构; 第一性原理;

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