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半导体椭圆柱正方阵列的三阶光学非线性增强

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采用Rayleigh曲势展开和退耦合近似方法，研究了在绝缘体中掺入半导体椭圆柱正方阵列的光学非线性增强。我们汁算了其三阶光学非线性电极化率χe与外电场频率ω的关系。结果表明，在|χe|-ω曲线上出现了增强峰，其峰强明显地依赖十椭圆的形状，当基体介电常数较大时，随着椭圆的纵横比的减少，峰强将增加近60倍。

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来源
《2006全国光电子与光电信息技术学术研讨会》|2006年|96-98|共3页
会议地点哈尔滨
作者
周进; 杨柏峰;
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作者单位

哈尔滨工业大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 O472.8;
关键词
三阶光学非线性; 复合材料; 退耦合近似; 绝缘体; 介电常数;

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