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氧化物半导体化合物、具备氧化物半导体化合物的层的半导体元件和层叠体

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摘要

一种氧化物半导体化合物，其含有镓和氧，光学带隙为3.4eV以上，300K下的通过霍尔(Hall)测定得到的电子的霍尔(Hall)迁移率为3cm2/Vs以上。

公开/公告号CN109075205A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-21

原文格式PDF
申请/专利权人国立大学法人东京工业大学;AGC株式会社;
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申请/专利号CN201780014378.9
发明设计人细野秀雄;神谷利夫;云见日出也;金正焕;中村伸宏;渡边晓;宫川直通;
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申请日2017-02-23
分类号H01L29/786(20060101);H01B1/08(20060101);H01B5/14(20060101);H01L21/336(20060101);H01L51/50(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人盛曼;金龙河
地址日本东京都
入库时间 2023-06-19 07:51:04

1. 氧化物半导体化合物、具备氧化物半导体化合物的层的半导体元件和层叠体 [P] . 中国专利： CN109075205A . 2018-12-21
2. 氧化物半导体层及其制造方法、以及氧化物半导体的前驱体、氧化物半导体层、半导体元件及电子装置 [P] . 中国专利： CN105474372A . 2016-04-06
3. Oxide semiconductor compound, semiconductor element including oxide semiconductor compound layer, and stacked body [P] . 日本专利： JPWO2017150351A1 . 2019-01-10

机译：氧化物半导体化合物，包括氧化物半导体化合物层的半导体元件以及层叠体
4. OXIDE SEMICONDUCTOR COMPOUND, SEMICONDUCTOR ELEMENT PROVIDED WITH LAYER OF OXIDE SEMICONDUCTOR COMPOUND, AND LAMINATED BODY [P] . 美国专利： US2018374959A1 . 2018-12-27

机译：氧化物半导体化合物，具有氧化物半导体化合物层的半导体元件以及层叠体
5. Oxide semiconductor compound, semiconductor element provided with layer of oxide semiconductor compound, and laminated body [P] . US11075303B2 . 2021-07-27

机译：氧化物半导体化合物，设置有氧化物半导体化合物层的半导体元件，以及层压体