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氧化物半导体纳米结构的构筑及光电纳米器件研究

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近年来,利用纳米压印、原子力刻蚀、电场组装等方法制备并组装了ZnO、SnO2、WO3、CuO等氧化物半导体纳米结构及纳米器件。系统研究了一维纳米结构的输运特性。研究表明,纳米线的输运特性受肖特基势垒的控制,纳米线的表面态是形成肖特基势垒的关键因素。发展了电化学沉积、UV光照等调控纳米结构输运特性的有效方法。通过利用纳米线肖特基势垒,发展了一些高性能的光电器件,例如:具有高灵敏度、快速回复特性的紫外光检测器,在室温下具有超高灵敏度的气敏传感器等。

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来源
《第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议》|2012年|332|共1页
会议地点开封
作者
Zuliang Du; 杜祖亮;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN36:TN304.2;
关键词
氧化物半导体; 纳米结构; 肖特基势垒; 光电器件;

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