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纳米器件、包括该纳米器件的晶体管、用于制造该纳米器件的方法,以及用于制造该晶体管的方法

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摘要

提供了纳米器件、包括该纳米器件的晶体管、制造该纳米器件的方法，以及制造包括该纳米器件的晶体管的方法。该纳米器件包括衬底、位于衬底上并具有至少一个开口的掩模层，以及穿过所述开口沿开口的边缘在衬底上形成的纳米管。所述纳米管在与衬底的表面基本垂直的方向延伸穿过开口。

1. 纳米器件、包括该纳米器件的晶体管、用于制造该纳米器件的方法,以及用于制造该晶体管的方法 [P] . 中国专利： CN101959789B . 2014.04.02
2. 一种裁剪金属纳米结构和组装纳米器件及对纳米器件原位表征的方法 [P] . 中国专利： CN111620298A . 2020-09-04
3. Nanodevice, transistor comprising the nanodevice, method for manufacturing the nanodevice, and method for manufacturing the transistor [P] . 美国专利： US8357922B2 . 2013-01-22

机译：纳米器件，包括纳米器件的晶体管，用于制造纳米器件的方法以及用于制造晶体管的方法
4. NANODEVICE, TRANSISTOR COMPRISING THE NANODEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE NANODEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSISTOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2940733B1 . 2020-10-28

机译：纳米器件，包括纳米器件的晶体管，制造纳米器件的方法以及制造晶体管的方法
5. NANODEVICE, TRANSISTOR COMPRISING THE NANODEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE NANODEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TRANSISTOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2247528B1 . 2016-05-11

机译：纳米器件，包括纳米器件的晶体管，制造纳米器件的方法以及制造晶体管的方法