退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
苏宇欢;
无;
硅; 锗化硅; MOSFET; 沟道技术;
机译:混合浅沟槽隔离对应力Si / SiGe沟道HfSiON / SiO_2 p沟道MOSFET的NBTI退化的机械应力效应的沟道长度依赖性
机译:具有超薄N_2O退火的SiN栅极电介质的深亚微米应变Si_(0.85)Ge_(0.15)沟道p沟道p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)
机译:太赫兹制程中用于10纳米以下逻辑技术的Si核/ SiGe壳沟道纳米线FET
机译:使用电荷泵技术评估SiGe / Si异质结构中的界面陷阱密度以及SiGe沟道pMOSFET的陷阱密度与低频噪声之间的相关性
机译:低Cu反应器压力容器钢中Mn-Ni-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si的热力学和动力学建模
机译:SiGe P沟道NiSiGe肖特基结的微波退火
机译:si / si0.64Ge0.36 / si pmOsFETs中增强的速度过冲和跨导 - 深亚微米器件的预测
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:从PFET源/漏区中去除沟道SiGe,以改进HKMG技术中无嵌入式SiGe的硅化物形成
机译:在同一模具上形成Ge / SiGe沟道和III-V沟道晶体管的技术
机译:包括Si和SiGe层或Si和SiGeC层作为沟道区的MOS场效应晶体管
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。