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徐永宽;
无;
氮化镓; 缓冲层; 生长速度; 蓝宝石;
机译:通过脉冲激光沉积在GaN /蓝宝石衬底上的后退火缓冲层上的ZnO外延层的特性
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r平面蓝宝石衬底上MOCVD生长a平面GaN膜的比较研究
机译:通过MOVPE在掺有Fe的GaN缓冲层的蓝宝石上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:N / GA通量对GaN缓冲层生长的影响(0001)蓝宝石对GaN主层缺陷形成的影响
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:在轴上蓝宝石衬底上的N极性GaN的mOCVD生长:alN的影响 GaN表面小丘密度上的成核层
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应
机译:GaN半导体器件和在多晶碳化硅上的薄蓝宝石层上使用GaN的工艺
机译:由蓝宝石衬底上的沟槽图案化的GaN层制造GaN衬底的结构和方法
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